研磨垫及研磨装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种研磨垫，所述研磨垫包括内部区域和外部区域，所述外部区域位于所述内部区域的外侧，所述内部区域内设有若干同心的圆形沟槽，所述若干同心的圆形沟槽以研磨垫的中心为圆心，所述外部区域间隔设置若干由内向外发散的导流槽，位于中心区域的圆形沟槽能够起到保留研磨液的作用，以提高研磨液利用率；而位于外部区域的导流槽，可以使得研磨液快速移动，从而保证研磨液的新鲜度和研磨效率；同时，可以使得堆积于研磨垫的外围区域的研磨液副产物能够快速排离研磨垫，不但可以确保研磨液均匀分布，而且可以避免研磨液副产物引发晶圆表面出现划伤、腐蚀、凹坑等缺陷，提高产品良率。本实用新型专利技术还公开了采用上述研磨垫的研磨装置。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种研磨垫及研磨装置。
技术介绍
在半导体的生产工艺中，经常需要进行化学机械研磨(Chemical MechanicalPolishing, CMP)工艺，化学机械研磨也称为化学机械平坦化(Chemical MechanicalPlanarization)。化学机械研磨工艺是一个复杂的工艺过程,它是将晶圆表面与研磨垫的研磨表面接触，然后，通过晶圆表面与研磨表面之间的相对运动将晶圆表面平坦化，通常采用化学机械研磨设备，也称为研磨机台或抛光机台来进行化学机械研磨工艺。所述研磨装置包括一研磨头，进行研磨工艺时，将要研磨的晶圆附着在研磨头上，该晶圆的待研磨面向下并接触相对旋转的研磨垫，研磨头提供的下压力将该晶圆紧压到研磨垫上，所述研磨垫是粘贴于研磨平台上，当该研磨平台在马达的带动下旋转时，研磨头也进行相应运动；同时，研磨液通过研磨液供应单元输送到研磨垫上，并通过离心力均匀地分布在研磨垫上。·请参阅图1，现有的研磨垫10的研磨表面上均勻分布着若干圆形沟槽11,这些圆形沟槽11具有相同的圆心，其以研磨垫10的中心为圆心。在研磨垫10的研磨表面上设置同心的圆形沟本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种研磨垫，其特征在于，所述研磨垫包括内部区域和外部区域，所述外部区域位于所述内部区域的外侧，所述内部区域内设有若干同心的圆形沟槽，所述若干同心的圆形沟槽以研磨垫的中心为圆心，所述外部区域间隔设置若干由内向外发散的导流槽。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：唐强，洪中山，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：实用新型
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