【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种贫氧低温烧结纳米银焊膏的装置,具体涉及一种为连接芯片与铜基板或直接键合铜基板(DBC)的新型绿色高效纳米银焊膏提供惰性贫氧气体氛围的密闭加热装置,及贫氧低温烧结纳米银焊膏的方法。
技术介绍
功率电子封装领城中经常需要在惰性气体保护下进行无氧、无尘操作。绿色连接材料纳米银焊膏的出现为连接芯片与基板提出了一种新思路。纳米银焊膏的烧结温度为·275°C,远远低于银的熔点960°C,故封装领域将其烧结过程称为低温烧结。诸多优势使纳米银焊膏成为功率电子封装领域的研究热点,并逐渐在工业界推广。铜基板或DBC基板近些年来被广泛应用于功率电子器件中,但是由于金属铜受热极易在空气中氧化,这严重影响其电、热性能。因此,为实现芯片与铜基板或DBC基板的直接连接,纳米银焊膏的烧结过程需在惰性气体氛围中进行。目前常见的惰性氛围操作箱多为有机玻璃箱体,采用有机玻璃粘合成各种形体,强度低、气密性差、不耐高温,不能满足在275°C内无氧烧结纳米银焊膏的工艺,也无法为此烧结工艺提供必需的智能加热保温装置。因此需要专利技术新的装置,完成纳米银焊膏的贫氧烧结,实现功率电子芯片与铜基 ...
【技术保护点】
一种贫氧低温烧结纳米银焊膏的装置,其特征是:包括不锈钢箱体(1)以及设置在箱体(1)上的温度表(2)、采光视镜(3)、照明灯(4)及通气阀(5),所述箱体(1)的前侧壁面上密封连接有观察视镜(6),所述箱体(1)的前侧壁面下部有手套孔(7),手套孔(7)上装有耐高温手套,所述箱体(1)左侧面有电源线挠性保护管(8),所述电源线挠性保护管(8)内通过开关插座电源线,所述箱体(1)左侧面有舱门(9)及通气阀(5),所述箱体(1)右侧面有一通气阀(5),所述箱体(1)右侧面与一不锈钢过渡室(10)固定连接,所述过渡室(10)侧面及顶部装有通气阀(5),所述过渡室(10)顶面装有一 ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:梅云辉,赵姿贞,陈旭,陆国权,
申请(专利权)人:天津大学,
类型:实用新型
国别省市:
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