信号发送-接收控制电路和蓄电池保护电路制造技术

一种信号发送-接收电路，包括第一电路，所述第一电路包括具有栅极和漏极的第一MOS晶体管、具有连接到所述第一MOS晶体管的栅极和漏极的栅极和漏极、和连接到地的源极的第二MOS晶体管，以及连接到所述第一和第二MOS晶体管的漏极的、发送信号的发送端；以及第二电路，包括连接到所述发送端的、接收从所述第一电路的发送端发送的信号的接收端，具有连接到所述接收端的栅极、连接到参考电压发生器电路的漏极和连接到地的源极的第三MOS晶体管，连接在所述第三MOS晶体管和所述参考电压发生器电路之间的电阻器，以及连接在所述电阻器和所述第三MOS晶体管之间的输出端。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于控制在半导体设备之间发送和接收的信号的技术。更具体地，本专利技术涉及适合于控制在蓄电池保护电路的保护集成电路(下文中简称为“保护1C”)之间发送和接收的信号的技术，以保护其中具有多个串联连接的蓄电池的电池组(或单元组)免于过充电或者过放电。保护IC经配置来监测蓄电池组的输出电压波动以有效地发送和接收保护IC之间的信号。
技术介绍
最近，存在对于移动电子设备的日益增长的需求。这种移动电子设备通常包括作为电源的蓄电池(即，电池单元)。在各种蓄电池中，锂离子源。在各种蓄电池中，锂离子蓄 电池由于其轻重量和高能量密度而成为蓄电池的主流。由于过充电或过放电导致蓄电池劣化，所以它们通常包括保护蓄电池免于过充电或过放电的保护电路(或蓄电池保护电路)。锂离子蓄电池对过充电或过放电导致的劣化尤其敏感，因此优选为锂离子蓄电池提供保护电路。在移动电子设备中，笔记本式个人计算机(或笔记本PC)包括电池组，所述电池组包括并联连接的模块，其中每个模块包括串联连接的电池。当在电池组使用锂离子蓄电池时，可能需要由保护电路监测所有的串联连接的电池。例如，公开号2000-354335的日本专利申请(下文中称为“专利文献I”)公开了一种通过为串联连接的各个电池提供保护电路以及将保护电路并联连接来保护串联连接的电池免于过充电或过放电的技术。然而，专利文献I所公开的技术，可能需要包括用于集成电池的所有保护电路的输出的光电耦合器或场效应晶体管(FET)。因此，电路结构可能是复杂的，因此，制造成本可能会增加。此外，例如，4080408号日本专利(下文中称为“专利文献2”)公开了一种技术，以提供用于不论串联连接的电池的数量多少都能保护串联连接的电池的保护1C。在专利文献2中公开的技术中，串联连接的电池分成块(block)，使得有多个块，每块有多个串联连接的电池，并且为各块各自提供保护IC来监测所述块中的输出电压波动。此保护IC包括监测块中的电池的电压的检测电路、向外部输出从检测器电路接收到的信号的输出端、将保护IC连接到不同的保护IC的连接端、以及连接在输出端和连接端之间的输出电路。此外，此输出电路包括电流源、晶体管、基于来自检测器电路的输出结果来变更输出端和连接端之间的电气条件的变更设备、和通过不同的保护IC将供给到连接终端的信号发送到输出端的发送设备。在输出电路中，基于检测器电路的输出结果将电流源切换到开或关，并且将来自电流源的电流输出直接传输到输出端。此外，晶体管的源极和漏极之一连接到输出端，另一个连接到连接端以提供每个保护IC的检测结果输出端之间的级联连接。利用这个结构，能够基于保护IC的最终终端的输出结果来检测所有电池组的过充电或过放电。然而，例如，在专利文献2公开的技术中，如果两个串联连接的电池单元由两个保护电路来保护，则电池单元之一的Cout/Dout端(即，充电/放电控制信号发送端)发送信号到另一个电池单元的CTLC/CTLD端(即，充电/放电控制信号接收端)。此时，施加到内部元件的电压量最大可以对应于两个电池单元的电压的总和。因此，内部的元件可能需要由耐高电压的元件来组成，以承受这样的电压量。这可能导致处理成本的增加或布局面积的增加。例如，公开号2009-17732的日本专利申请(下文中称为“专利文献3”)和公开号2009-195100的日本专利申请(下文中称为“专利文献4”)中公开了承受大的电压量的技术。然而，不顾内部元件的性能，电流可能从电池单元之一的Cout/Dout端流入另一个电池单元的CTLC/CTLD端，以承受大的电压量。因此，可能需要提供外部耐电压的元件或在IC内部提供耐高电压的元件，以降低从电池单元之一的Cout/Dout端到另一个电池单元的CTLC/CTLD端的电流。然而，提供外部耐电压的元件可能会导致元件成本的增加和安装面积的增加，此外，在IC内部提供的耐高电压元件可能会导致布局面积的增加。 因此，可能需要提供可以保护电池单元而无需耐高电压元件并且不引起电流在保护电路之间流动的保护电路。更具体地，可能需要提供一种可以抑制处理成本、布局面积、元件成本或蓄电池保护电路的安装面积的增加的蓄电池保护电路。
技术实现思路
根据实施例，提供一种信号发送接收电路，包括第一电路，包括第一 MOS晶体管，具有栅极和漏极并经配置来由供给到其栅极的低信号导通，第二 MOS晶体管，具有连接到所述第一 MOS晶体管的栅极的栅极、连接到所述第一 MOS晶体管的漏极的漏极和连接到地的源极，并且经配置来由供给到其栅极的高信号导通，以及发送端，连接到所述第一 MOS晶体管和所述第二 MOS晶体管各自的漏极，并经配置来发送信号；以及第二电路，包括接收端，连接到所述第一电路的所述发送端，并经配置来接收从其所述发送端发送的信号，第三MOS晶体管，具有连接到所述接收端的栅极、连接到参考电压发生器电路的漏极和连接到地的源极；电阻器，连接在所述第三MOS晶体管和所述参考电压发生器电路之间，以及输出端，连接在所述电阻器和所述第三MOS晶体管之间。根据实施例，提供一种信号发送接收电路，包括第一电路，包括第一 MOS晶体管，具有栅极和漏极，并经配置来由供给到其栅极的低信号导通，第二 MOS晶体管，具有连接到所述第一 MOS晶体管的栅极的栅极、连接到所述第一 MOS晶体管的漏极的漏极和连接到地的源极，并且经配置来由供给到其栅极的高信号导通，以及发送端，连接到所述第一 MOS晶体管和所述第二 MOS晶体管各自的漏极，并经配置来发送信号；以及第二电路，包括接收端，连接到所述第一电路的所述发送端，并配置来接收从其所述发送端发送的信号，第三MOS晶体管，具有连接到所述接收端的栅极和连接到参考电压发生器电路的漏极；电阻器，连接在所述第三MOS晶体管和所述参考电压发生器电路之间，以及输出端，连接在所述电阻器和所述第三MOS晶体管之间。根据一个实施例，提供了一种信号发送接收电路，包括第一电路，包括第一 MOS晶体管，具有栅极和漏极，并经配置来由供给到其栅极的低信号导通，第二 MOS晶体管，具有连接到所述第一 MOS晶体管的栅极的栅极、连接到所述第一 MOS晶体管的漏极的漏极和连接到地的源极，并且经配置来由供给到其栅极的高信号导通，以及发送端，连接到所述第一 MOS晶体管和所述第二 MOS晶体管的各自的漏极，并经配置来发送信号；以及第二电路，包括接收端，连接到所述第一电路的所述发送端，并配置来接收从其发送端发送的信号，第三MOS晶体管，具有连接到所述接收端的栅极、连接到参考电压发生器电路的漏极和连接到地的源极；电阻器，连接在所述第三MOS晶体管和所述参考电压发生器电路之间；输出端，连接在所述电阻器和所述第三MOS晶体管之间；第四MOS晶体管，具有连接到所述接收端的栅极、连接到地的漏极和连接到所述参考电压发生器电路的源极；外部信号接收电阻器，连接在所述第四MOS晶体管和地之间；以及外部信号接收输出端，连接在所述外部信号接收电阻器和所述第四MOS晶体管之间。根据一个实施例，提供了一种信号发送接收电路，包括第一电路，包括第一 MOS晶体管，具有栅极和漏极，并经配置来由供给到其栅极的低信号导通，第二 MOS晶体管，具有连接到所述第一 MOS晶体管的栅极的栅极、连接到本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：大岛将史，
申请(专利权)人：株式会社理光，
类型：
国别省市：