一种超薄充电器及其电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种超薄充电器，包括上绝缘外壳、下绝缘外壳、电路板、接触插头以及金属弹片；金属弹片与电路板连接且均设于上绝缘外壳和下绝缘外壳组合内部；接触插头转动连接于下绝缘外壳，当接触插头转动，其与金属弹片弹性接触，通过金属弹片连通电路板，所述电路板具有USB连接器、超薄高频变压器，其超薄高频变压器的厚度不大于USB连接器的厚度。本实用新型专利技术能解决使用起来不方便以及充电效率低的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种超薄充电器及其电路
本技术涉及一种充电器，尤其涉及一种超薄充电器及其电路。
技术介绍
现有一般充电器大都体积大、形状不规则，接触插头不可转动，特别在插座旁边有遮挡物的时候，使用起来比较麻烦；且还存在充电过程中电路取样精度低，造成充电效率低的问题。
技术实现思路
为了克服现有技术的不足，本技术的目的在于提供一种超薄充电器，其能解决使用起来不方便以及充电效率低的问题。本技术的目的采用以下技术方案实现：一种超薄充电器，包括上绝缘外壳、下绝缘外壳、电路板、接触插头以及金属弹片；金属弹片与电路板连接且均设于上绝缘外壳和下绝缘外壳组合内部；接触插头转动连接于下绝缘外壳，当接触插头转动，接触插头与金属弹片弹性接触，通过金属弹片连通电路板，所述电路板具有USB连接器、超薄高频变压器，超薄高频变压器的厚度不大于USB连接器的厚度。优选地，所述超薄高频变压器包括PIN脚、骨架、铁芯以及绕组；所述骨架具有空芯心轴；所述铁芯分包括上下铁芯，所述上下铁芯包括铁芯轴、以及连接铁芯轴的夹板；所述铁芯轴穿过空芯心轴；所述绕组包括多层导磁线材以及多层导线线材，所述绕组缠绕在空芯心轴外围。优选地，所述绕组由内层到外层依次为导磁线材层、导电线材层和导磁线材层。一种超薄充电器电路，包括：整流滤波电路，用于将市电交流电压整流成平稳的直流电源；超薄高频变压器，用于隔离传输电流；IC控制电路，用于控制超薄高频变压器的初级绕组与电源的通断；充电输出电路，用于输出直流充电电压；IC供电电路，用于对IC控制电路中的IC供电；所述充电输出电路包括高频同步整流输出电路和接入设备识别电路；所述整流滤波电路输出端连接超薄高频变压器；所述IC控制电路连接所述超薄高频变压器；所述IC供电电路分别连接超薄高频变压器和IC控制电路；所述高频同步整流输出电路连接超薄高频变压器；所述接入设备识别电路连接高频同步整流输出电路。优选地，所述IC控制电路包括：芯片U2、电阻R11、电阻R10、电阻R18、快速二极管D2和MOS管Q2；所述MOS管漏极连接超薄高频变压器，源极连接电阻R18，栅极连接电阻R11；所述电阻R10和快速二极管D2串联再与电阻R11并连；所述电阻R11连接芯片U2；所述电阻R18接地。优选地，所述IC供电电路包括：电阻R1和整流二极管D3；所述电阻R12一端与整流二极管D3、超薄高频变压器辅助绕组顺序串接；所述电阻R12连接IC芯片U2。优选地，所述高频同步整流输出电路包括IC芯片U1、电容C1、电容C6、电阻R3和电容C7；所述IC芯片U1第一端与第二端之间连接电容C1，第二端与第三端之间顺序连接电阻R3和电容C6；所述IC芯片U1第二端连接超薄高频变压器次级绕组；所述第三端连接电容C7；所述电容C7接地。优选地，所述接入设备识别电阻包括IC芯片U3、连接器J1和连接器J2；所述IC芯片U3第二端与所述连接器J1和连接器J2的第四端连接并接地；所述IC芯片U3第五端与所述连接器J1和连接器J2的第一端连接并接于IC芯片U1第三端；所述IC芯片U3第一端和第六端分别连接连接器J1第二端和第三端；所述IC芯片U3第三端和第四端分别连接连接器J2第二端和第三端。优选地，还包括EMI电路，用于滤除市电的高频脉冲对电源的干扰，；尖峰吸收电路，用于吸收超薄高频变压器上的尖峰电压；所述EMT电路分别连接整流滤波电路和超薄高频变压器，所述尖峰吸收电路分别连接超薄高频变压器和IC振荡电路。优选地，其特征在于，所述IC芯片U2为型号OB2371的集成电路；所述IC芯片U1为型号JW7707C的集成电路；所述IC芯片U3为型号CX2901A的集成电路。相比现有技术，本技术的有益效果在于：通过电路结构设计，以及超薄变压器的设计使用，使得整个充电器在充电效率更高以及结构上变得更薄，使用起来更方便、美观。附图说明图1为本技术实施例中的充电器的分解示意图；图2为本技术实施例中的超薄高频变压器的俯视示意图；图3为本技术实施例中的超薄高频变压器的前侧视示意图；图4为本技术实施例中的超薄高频变压器的绕组绕线示意图；图5为本技术实施例中的超薄充电器电路的示意图；图中：10、上绝缘外壳；20、电路板；21、骨架；211、空芯心轴；22、铁芯；221、上铁芯；222、下铁芯；223、铁芯轴；23、绕组；231、高导电线材层；232、高导磁线材层；24、PIN脚；30、金属弹片；40、接触插头；50、下绝缘外壳。具体实施方式下面，结合附图以及具体实施方式，对本技术做进一步描述：为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。为更好地描述本技术实施例，本说明书中描述的“前、后、左、右、上、下“与附图中的方向一致。如图1，一种超薄充电器，包括上绝缘外壳10、下绝缘外壳50、电路板20、接触插头40以及金属弹片30；电路板10固定在下绝缘外壳50内面，金属弹片30一端与电路板20电性固定连接，一端与接触插头40转动连接；接触插头40转动固定在下绝缘外壳50；上绝缘外壳10与下绝缘外壳50配合固定一起，电路板20和金属弹片30均设于上绝缘外壳10和下绝缘外壳50组合内部；当接触插头转动，其与金属弹片弹性转动接触，通过金属弹片连通电路板，实现插头能转动使用，使用起来更方便。电路板具有USB连接器、超薄高频变压器等主要大体积器件，本实施例中电路板使用的超薄高频变压器的厚度不大于USB连接器的厚度，使得整个充电器结构更加简单，充电器呈方形且厚度更薄，相比使用传统的变压器使得充电器大而不好看显得更美观。如图2、图3，超薄高频变压器包括PIN脚24、骨架21、铁芯22以及绕组23；骨架21中心部分具有空芯心轴211，PIN脚24嵌镶在骨架21两端中，且PIN脚24为平贴式；铁芯22分为上铁芯221、下铁芯222，铁芯22包括铁芯轴223、以及连接铁芯轴一端的夹板；上铁芯轴从上而下穿进空芯心轴211，下铁芯轴从下而上穿过空芯心轴211，上下铁芯轴的长度和大于等于空芯心轴长度；绕组23包括多层导磁线材232以及多层导线线材231，绕组缠绕在空芯心轴外围。如图4，优先地，导磁线材层232可以是钼锰合金或坡膜合金漆包线组成的高导磁线材层，导电线材层可以是铜或铝漆包线组成的高导电线材层231；绕组23按照由内层到外层依次为导磁线材层232、导电线材层231和导磁线材层232的顺序进行绕线，根据实际需要导电线材层可以是多层，比如2层，3层等，这样就形成了全屏蔽结构，电磁磁通不会泄露，提高效率，由于变压器实际需求的容量一般都是事先设计定好的，所以提高效率，就使初始理论容量就可以变得更小，铁芯体积也就可以变得更小，同理在电路板中预留面积一定下，铁芯的厚度也就变小，变得更薄了，再配前述骨架结构，就实现比较有规则形状的超薄变压器，从而使得充电器变得更薄了。如图5，一种超薄充电器电路，包括：整流滤波电路，用于将市电交流电压整流成平稳的直流电源；超薄高频变压器，用于隔离传输电流；IC控制电路，用于控制超薄高频变压器的初级绕组与电源的通断；充本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种超薄充电器，其特征在于，包括上绝缘外壳、下绝缘外壳、电路板、接触插头以及金属弹片；金属弹片与电路板连接且均设于上绝缘外壳和下绝缘外壳组合内部；接触插头转动连接于下绝缘外壳，当接触插头转动，接触插头与金属弹片弹性接触，通过金属弹片连通电路板，所述电路板具有USB连接器、超薄高频变压器，超薄高频变压器的厚度不大于USB连接器的厚度。

【技术特征摘要】
1.一种超薄充电器，其特征在于，包括上绝缘外壳、下绝缘外壳、电路板、接触插头以及金属弹片；金属弹片与电路板连接且均设于上绝缘外壳和下绝缘外壳组合内部；接触插头转动连接于下绝缘外壳，当接触插头转动，接触插头与金属弹片弹性接触，通过金属弹片连通电路板，所述电路板具有USB连接器、超薄高频变压器，超薄高频变压器的厚度不大于USB连接器的厚度。2.根据权利要求1所述的一种超薄充电器，其特征在于，所述超薄高频变压器包括PIN脚、骨架、铁芯以及绕组；所述骨架具有空芯心轴；所述铁芯包括上下铁芯，所述上下铁芯包括铁芯轴以及连接铁芯轴的夹板；所述铁芯轴穿过空芯心轴；所述绕组包括多层导磁线材以及多层导线线材，所述绕组缠绕在空芯心轴外围。3.根据权利要求2所述的一种超薄充电器，其特征在于，所述绕组由内层到外层依次为导磁线材层、导电线材层和导磁线材层。4.一种权利要求1所述的超薄充电器电路，其特征在于，包括：整流滤波电路，用于将市电交流电压整流成平稳的直流电源；超薄高频变压器，用于隔离传输电流；IC控制电路，用于控制超薄高频变压器的初级绕组与电源的通断；充电输出电路，用于输出直流充电电压；IC供电电路，用于对IC控制电路中的IC供电；所述充电输出电路包括高频同步整流输出电路和接入设备识别电路；所述整流滤波电路输出端连接超薄高频变压器；所述IC控制电路连接所述超薄高频变压器；所述IC供电电路分别连接超薄高频变压器和IC控制电路；所述高频同步整流输出电路连接超薄高频变压器；所述接入设备识别电路连接高频同步整流输出电路。5.根据权利要求4所述的超薄充电器电路，其特征在于，所述IC控制电路包括：芯片U2、电阻R11、电阻R10、电阻R18、快速二极管D2和MOS管Q2；所述MOS管漏极连接超薄高频变压器，源极连接电阻...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡文娟，
申请(专利权)人：深圳信佶科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44