超级电容的充电装置制造方法及图纸

技术编号:8273045 阅读:231 留言:0更新日期:2013-01-31 05:34
一种超级电容的充电装置,属于电器技术领域。该超级电容充电装置包括微处理器、直流电源、IGBT、限流电阻和超级电容,微处理器与IGBT相连接,IGBT与直流电源和限流电阻相连接,直流电源和超级电容相连接,超级电容和限流电阻相连接。装置工作时,微处理器发出控制信号,IGBT导通,直流电源开始对超级电容充电,充电回路串联限流电阻是减小大电流对超级电容的冲击。本发明专利技术的优点:该超级电容充电装置结构简单、操作安全、装置稳定性强。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电器
,特别涉及一种超级电容的充电装置
技术介绍
超级电容也叫做电化学电容器,具 有性能稳定、使用寿命长等特点,近年来在电动汽车、太阳能发电、重型机械等领域表现出前有未有的发展趋势,很多发达国家都已把关于超级电容的项目作为国家重点科研方向,超级电容在国内市场上也呈现出蓬勃发展的景象。
技术实现思路
针对现有技术存在的不足,本专利技术提供一种超级电容充电装置。本专利技术的技术方案是这样实现的该超级电容充电装置包括微处理器、直流电源、IGBT、限流电阻和超级电容,微处理器与IGBT相连接,IGBT与直流电源和限流电阻相连接,直流电源和超级电容相连接,超级电容和限流电阻相连接。装置工作时,微处理器发出控制信号,IGBT导通,直流电源开始对超级电容充电,充电回路串联限流电阻是减小大电流对超级电容的冲击。本专利技术的优点该超级电容充电装置结构简单、操作安全、装置稳定性强。附图说明图I为本专利技术超级电容充电装置结构图。具体实施例方式本专利技术的详细结构结合实施例加以说明。该超级电容充电装置结构如图I所示,IGBT型号选取1MBI200L-120、微控制器选取型号为PIC16F877本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种超级电容的充电装置,其特征在于::该超级电容充电装置包括微处理器、直流电源、IGBT、限流电阻和超级电容,微处理器与IGBT相连接,IGBT与直流电源和限流电阻相连接,直流电源和超级电容相连接,超级电容和限流电阻相连接。

【技术特征摘要】
1.一 种超级电容的充电装置,其特征在于该超级电容充电装置包括微处理器、直流电源、IGBT、限流电阻和超级电容,...

【专利技术属性】
技术研发人员:李翠封仕燕王磊
申请(专利权)人:沈阳创达技术交易市场有限公司
类型:发明
国别省市:

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