一种新型超级电容充电方法及装置制造方法及图纸

技术编号:11032143 阅读:181 留言:0更新日期:2015-02-11 18:02
一种新型超级电容充电方法及装置,是由充电控制电路1、超级电容组2、取样电路3三个部分组成。用电感L1和L2限流,将电感L1和L2串联,用可控硅D2控制主回路的导通与关断,可控硅D1用以在超级电容组3的电压升至额定值的2/3时短路电感L2,将主回路电流控制在8A以下。具体电路是:用取样电路3跟踪超级电容组2电压变化,再送至充电控制电路1。充电控制电路1中有两个比较器U1A和U1B,通过设定R1、R5、R6使得超级电容组电压上升到额定值的2/3时比较器U1A输出由低电平跳转为高电平,使可控硅D1导通短路电感L2,在超级电容组电压上升到额定电压时,比较器U1B输出由高电平跳转为低电平,使可控硅D2截止,停止对超级电容充电。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种新型超级电容充电方法及装置,是由充电控制电路1、超级电容组2、取样电路3三个部分组成。用电感L1和L2限流,将电感L1和L2串联,用可控硅D2控制主回路的导通与关断,可控硅D1用以在超级电容组3的电压升至额定值的2/3时短路电感L2,将主回路电流控制在8A以下。具体电路是:用取样电路3跟踪超级电容组2电压变化,再送至充电控制电路1。充电控制电路1中有两个比较器U1A和U1B,通过设定R1、R5、R6使得超级电容组电压上升到额定值的2/3时比较器U1A输出由低电平跳转为高电平,使可控硅D1导通短路电感L2,在超级电容组电压上升到额定电压时,比较器U1B输出由高电平跳转为低电平,使可控硅D2截止,停止对超级电容充电。【专利说明】一种新型超级电容充电方法及装置
本专利技术涉及一种新型超级电容充电方法及装置,主要适用于以超级电容提供主能量的医用X射线机。
技术介绍
由于超级电容的超大容量使得上电瞬间电流巨大,为了防止这巨大的电流损伤设备,必须限制超级电容的充电电流。目前多以开关电源充电器为主,其缺点是电路较为复杂,成本较高,现专利技术的这种超级电容充电装置电路简单、成本低、性能可靠,特别适用于X光机内部给超级电容充电。
技术实现思路
本专利技术的目的在于用一种简单可靠的方法为超级电容充电;本专利技术的又一目的是为了防止超级电容在上电时电路过大损坏设备。 本专利技术的技术方案是:该装置由充电控制电路1、超级电容组2、取样电路3三个部分组成。用电感LI和L2限流,将电感LI和L2串联,用可控硅D2控制主回路的导通与关断,可控硅Dl用以在超级电容组3的电压升至额定值的2/3时短路电感L2,将主回路电流控制在8A以下。 具体电路是:用取样电路3跟踪超级电容组2电压变化,再送至充电控制电路I。充电控制电路I中有两个比较器UlA和U1B,通过设定R1、R5、R6使得超级电容组电压上升到额定值的2/3时比较器UlA输出由低电平跳转为高电平,使可控硅Dl导通短路电感L2,在超级电容组电压上升到额定电压时,比较器UlB输出由高电平跳转为低电平,使可控硅D2截止,停止对超级电容充电。 【专利附图】【附图说明】 图1为本装置结构框图。 图2为本装置充电控制电路原理图。 图3为本装置取样电路原理图。 【具体实施方式】 该装置由充电控制电路1、超级电容组2、取样电路3三个部分组成。用电感LI和L2限流,将电感LI和L2串联,用可控硅D2控制主回路的导通与关断,可控硅Dl用以在超级电容组3的电压升至额定值的2/3时短路电感L2,将主回路电流控制在8A以下。 具体电路是:用取样电路3跟踪超级电容组2电压变化,再送至充电控制电路I。充电控制电路I中有两个比较器UlA和U1B,通过设定R1、R5、R6使得超级电容组电压上升到额定值的2/3时比较器UlA输出由低电平跳转为高电平,使可控硅Dl导通短路电感L2,在超级电容组电压上升到额定电压时,比较器UlB输出由高电平跳转为低电平,使可控硅D2截止,停止对超级电容充电。 光控晶闸管01、02和光耦03是用来将强电电路和弱电电路隔离开来,以免弱电电路受到干扰。 由电容Cl、C2和二极管D3、D4组成的被压整流电路可以对额定电压不超过600V的超级电容组进行充电,并可以提高充电速度。【权利要求】1.一种新型超级电容充电方法及装置,其特征在于该装置由充电控制电路1、超级电容组2取样电路3三个部分组成,用电感LI和L2限流,将电感LI和L2串联,用可控硅D2控制主回路的导通与关断,可控硅Dl用以在超级电容组3的电压升至额定值的2/3时短路电感L2,将主回路电流控制在8A以下。【文档编号】H02J7/00GK104348200SQ201310332589【公开日】2015年2月11日 申请日期:2013年8月2日 优先权日:2013年8月2日 【专利技术者】李劲生, 卓娇君 申请人:南京普爱射线影像设备有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型超级电容充电方法及装置,其特征在于该装置由充电控制电路1、超级电容组2取样电路3三个部分组成,用电感L1和L2限流,将电感L1和L2串联,用可控硅D2控制主回路的导通与关断,可控硅D1用以在超级电容组3的电压升至额定值的2/3时短路电感L2,将主回路电流控制在8A以下。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:李劲生卓娇君
申请(专利权)人:南京普爱射线影像设备有限公司
类型:发明
国别省市:江苏;32

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