磁屏蔽电感器结构制造技术

在一个实施方式中，一种装置包括电感器和围绕所述电感器的电传导结构。当第一磁场穿过所述电传导结构时，所述电传导结构传导电流。所述电流产生与所述第一磁场相对的第二磁场。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
具体实施方式总体上涉及磁屏蔽电感器结构。
技术介绍
除非在本文中另外指出，否则在本部分中描述的方案对于本申请的权利要求而言不是现有技术，并且并不因为包括在本部分中就被认为是现有技术。 在集成电路(IC)芯片中，电感器是在电流从其穿过而产生的磁场中存储能量的无源电子组件。每个电感器可以包括多个线圈，其中多个环在线圈内部产生磁场。取决于穿过电感器的电流，线圈内部的磁场可以随时间变化。芯片上的多个电感器可以彼此磁耦合。电感器可以在相当长的片上距离上彼此磁耦合，而这是不期望的。一种解决方案是在电感器之间相隔尽可能远的距离。然而，随着芯片区域日益减少，该解决方案变得越发困难。图I描绘出两个电感器102a和电感器102b的示例。电感器102a和电感器102b分别具有被认为是禁止布线(ke印-out)区域的区域104a和区域104b。即，组件不会被置于芯片上的禁止布线区域104。这可以最小化芯片中磁耦合的影响。然而，芯片中的区域没有被高效使用。同样，随着芯片区域日益减少，使用禁止布线区域104变得困难。
技术实现思路
在一个实施方式中，一种装置包括电感器以及围绕该电感器的电传导结构。该电传导结构在第一磁场穿过该电传导结构时传导电流。该电流产生与该第一磁场相对的第二磁场。在一个实施方式中，电传导结构距电感器一定距离放置用于实现针对该电感器的期望Q(品质因子)。在一个实施方式中，电传导结构距电感器一定距离放置用于实现针对该电感器的电感值。 在一个实施方式中，该电感器包括第一电感器。该装置进一步包括第二电感器。第一电感器与第二电感器之间的电稱合由第二磁场减少。在一个实施方式中，电传导结构包括第一电传导结构并且该电感器包括第一电感器。该装置包括第二电感器以及围绕该第二电感器的第二电传导结构。在一个实施方式中，一种方法包括将由电感器产生的第一磁场穿过电传导结构。该电传导结构围绕着电感器。当第一磁场穿过该电传导结构时，电流绕着该电传导结构进行传导。该电流产生与该第一磁场相对的第二磁场。以下详细的说明和附图提供了对本专利技术的本质和优点的更详细的理解。附图说明图I描绘出两个电感器的示例。图2a描绘出根据一个实施方式的一个电传导结构的不例。图2b描绘出根据一个实施方式的包括两个电传导结构的不例。图3示出了根据一个实施方式与电传导结构连接的示例。图4描绘出根据一个实施方式用于提供电感器屏蔽的方法的简化流程图。·具体实施例方式本文所描述的是用于磁屏蔽电感器结构的技术。在以下描述中，出于解释的目的，阐述了许多示例和具体细节，从而提供对本专利技术的实施方式透彻理解。如由权利要求所限定的特定实施方式可以单独包括这些示例中的部分或全部的特征，或者是与下面将描述的其他特征的组合，并且还可以包括本文所描述的特征和概念的修改和等同物。具体实施方式围绕一个或多个电感器放置电传导结构。该电传导结构减少了一个电感器与另一电感器之间的耦合。由于穿过该电传导结构的磁场在该结构中感应出电流，从而可以减少所述耦合。所述电流产生相对的磁场，其抵消了穿过该结构的磁场的影响。图2a描绘出根据一个实施方式的一个电传导结构的不例。图2b描绘出根据一个实施方式的包括两个电传导结构的示例。电感器202可以包括在IC芯片中。当使用术语电感器202时,该术语可以包括变压器。例如，虽然不出了电感器202a,但是电感器202a可以是变压器或变压器的一部分。电传导结构204可以围绕电感器202的线圈。如果变压器正被使用，则变压器的两个电感器的线圈均由结构204围绕。结构204可以是闭合的环。在不同示例中，结构204可以是圆形、方形或者形成闭合环的其他形状。从结构204的闭合环的内部中心点到外部边缘的距离大于从电感器202的线圈的内部中心点到线圈的外部边缘的距离。例如，结构204的半径或直径可以大于电感器202相应的半径或直径。在结构204的布局中，导线(诸如，金属)可以用于形成结构204。在一个示例中，电感器202可以形成在第一金属层上。结构204继而可以形成在另一金属层上。然而,其上形成电感器202和结构204的层可以变化。例如，可以使用不同的金属层级或者可以使用相同的金属层。同样，结构204可以被放置在先前被认为是禁止布线区域的区域中。该禁止布线区域可以是芯片中限定的围绕电感器202的区域，其中不应当放置组件(诸如，电感器202)。在一个示例中，电感器202a和电感器202b可以在区域中彼此邻近放置，该区域通常被限定为禁止布线区域。因此，电感器202a与电感器202b之间的距离可以使用结构204减少。当磁场穿过结构204时，在闭合环中感应出电流。例如，随时间变化的磁场穿过结构204，其感应出绕着结构204流动的电流。结构204中感应出的电流产生相对的磁场。该相对的磁场抵消了穿过结构204的磁场的影响。例如，减少了穿过结构204的磁场。结构204可以减少以向内方向或向外方向穿过结构204的磁场的影响。例如，参考图2a,来自电感器202a的磁场可以向外穿过结构204。相对的磁场可以由结构204产生用于减少向外穿过磁场与电感器202b的耦合。此外，来自电感器202b的磁场向内穿过结构204。感应出产生向外方向相对磁场的电流。这减少了电感器202a上向内穿过磁场的影响。在图2b中，结构204a与结构204b分别围绕电感器202a与电感器202b放置。针对电感器202a或电感器202b，会发生针对图2a中电感器202a描述的影响。一个差异是来自电感器202a的磁场在向外方向上由结构204a减少。此外，减少的磁场的任何影响由结构204b进一步减少，这是因为向内穿过结构204b的任何磁场感应出产生在向外方向上相对的磁场的电流。这进一步抵消了由电感器202a产生的任何磁场并且减少了电感器202a与电感器202b之间的耦合。此外，穿过结构204b来自电感器202b的磁场由来自结构204b的相对磁场减少。相同的减少还发生在结构204a处。结构204可以对电感器202的特性起作用，诸如，电感器202的Q(品质因子)或电感。该电感是电感器存储磁能的能力。该Q可以测量电感器202的效率。例如，该Q可以是在给定频率下电感器的感抗与其阻抗的比率。电感器202的Q越高表示电感器202的行为越接近理想无损电感器的行为。结构204可以减少电感器202的电感。这是由于由结构204产生的相对磁场可以减少该电感器存储磁能的能力。另外，电感器202的Q通过将结构204绕着电感器202放置来减少。结构204中感应出的电流消耗否则可以用于电感器202a的功率。另外，相对磁场减少由电感器202a生成的磁场,其减少电感器202a的Q。对电感器202的作用可以通过调整结构204与电感器202的距离来改变。感应出的电流和磁场可以与电感器202与结构204之间的距离成比例。例如，结构204距电感器202越远，产生的感应电流越少，并且因此减少相对磁场。在一个示例中，可以增加圆的直径以减少对电感或Q的影响。同样，如果使用其他形状，则可以在远离电感器202的方向上增加距离。结构204的设计可以基于电感器202的期望特性而改变。例如，可以确定距电感器202的距离用于实现期望的Q值或者电感器202a与电感器202b之间期望的最小化耦合。此外，在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：D·M·西格诺夫，W·A·洛布，
申请(专利权)人：马维尔国际贸易有限公司，
类型：
国别省市：