一种增强远场场强的系统技术方案

本发明专利技术公开了一种增强远场场强的系统，包括：多个波源及超材料，超材料分成三区段，第一区段与第三区段折射率分布以第二区段成对称关系，且第一区段与第三区段折射率分布满足以下公式：A为波源之振幅，n0为第二区段的折射率，d为超材料的厚度，S为波源垂直于超材料平面上的第一区段起始单元与波源的直线距离，y0为超材料在垂直方向上第一区段起始位置，yi为超材料垂直方向上距离y0的距离；且y1取值范围为：若yi-y0＞s/2；则y1＝yi-y0-s/2；若yi-y0＜s/2；则y1＝yi-y0+s/2。本发明专利技术提供的超材料具有增强远场场强的效果。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及超材料领域，更具体地说，涉及一种增强远场场强的系统。
技术介绍
众所周知，电磁波为横波，电磁波的磁场、电场及其行进方向三者互相垂直，振幅沿传播方向的垂直方向作周期性交变，其强度与距离的平方成反比，波本身带动能量，任何位置之能量功率与振幅的平方成正比，其速度等于光速c (每秒3 X 10的8次方米)，在空间传播的电磁波，距离最近的电场(磁场)强度方向相同，其量值最大两点之间的距离，就是电磁波的波长λ，电磁每秒钟变动的次数便是频率f，三者之间的关系可通过公式c = λ f。电磁波经过不同介质时，会发生折射、反射、绕射、散射及吸收等等。电磁波的传播有沿地面传播的地面波，还有从空中传播的空中波以及天波。波长越长其衰减也越少，电磁 波的波长越长也越容易绕过障碍物继续传播，电能、磁能随着电场与磁场的周期变化以电磁波的形式向空间传播出去，不需要介质也能向外传递能量，这就是一种辐射。电磁波发射有近场与远场之分，电磁波的近场暂时地储存能量，与输入阻抗的虚部有关。电磁波的远场是指由天线发射出延伸至整个空间的电磁场，远场运输能量，与天线的辐射电阻有关。电磁场场强的大小，也就是传递过来的电磁波的强弱本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种增强远场场强的系统，其特征在于，包括：多个波源及超材料，所述超材料包括基材以及多个人造微结构，所述基材分成多个晶格，一个人造微结构置于一个晶格中形成一个单元，所述增强远场场强的系统分成三个区段，第二区段折射率均匀分布，第一区段与第三区段折射率分布以第二区段成对称关系，且所述第一区段与第三区段折射率分布满足以下公式：ni=n0+A×1/d×(yi2+s2-y12+s2);A为波源之振幅，n0为所述第二区段的折射率，d为超材料的厚度，S为波源垂直于超材料平面上的第一区段起始单元与所述波源的直线距离，y0为所述超材料在垂直方向上第一区段中部起始位置，yi为所述超材料垂直方...

【技术特征摘要】
1.一种增强远场场强的系统，其特征在于，包括多个波源及超材料，所述超材料包括基材以及多个人造微结构，所述基材分成多个晶格，一个人造微结构置于一个晶格中形成一个单元，所述增强远场场强的系统分成三个区段，第二区段折射率均匀分布，第一区段与第三区段折射率分布以第二区段成对称关系，且所述第一区段与第三区段折射率分布满足以下公式D; = ·ι0+Λ > I ,d > (% W2 -s:- s V-: - S2)； A为波源之振幅，Iitl为所述第二区段的折射率，d为超材料的厚度，S为波源垂直于超材料平面上的第一区段起始单元与所述波源的直线距离，y0为所述超材料在垂直方向上第一区段中部起始位置，Yi为所述超材料垂直方向上距离I0的距离；且Y1取值范围为若 I「I O > s/2 ;则 Y1 = yi-y0-s/2 ； 若 H < s/2 ;则 Y1 = yi-y0+s/2o2.根据权利要求I所述的增强远场场强的系统，其特征在于，所述增强远场场强的系统由多个片状基板层叠形成，每个片状基板均由基材以及多个人造微结构组成，所有的人造微结构在空间中形成周期阵列。3.根据权利要求2所述的增强远场场强的系统，其特征在于，所述所有的人造微结构在空间...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘若鹏，季春霖，岳玉涛，李云龙，
申请(专利权)人：深圳光启高等理工研究院，深圳光启创新技术有限公司，
类型：发明
国别省市：