一种温度控制的磁电子器件、其制备方法及应用技术

本发明专利技术提供了一种温度控制的磁电子器件，包括衬底以及位于衬底表面的磁性材料层；该衬底具有各向异性热膨胀系数；该磁性材料层的磁致伸缩系数不为零；工作状态时，控制环境温度变化或者衬底温度变化，引起衬底各向异性的热膨胀（或热收缩），所产生的应力通过衬底与磁性材料层的界面传递至磁性材料层，使磁性材料层的磁性能发生变化。与现有技术相比，本发明专利技术具有结构简单、制备方法、对器件磁性能调控效果显著、可扩展性强、温度源选用灵活等优点，在磁电子器件、废热回收等领域具有良好的应用前景。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于磁电子器件
，尤其涉及一种温度控制的磁电子器件、其制备方法及应用。
技术介绍
通过调控电子的电荷这一自由度，人们创造出了二极管、集成电路、超大规模的集成电路，奠定了信息社会的基础。1988年巨磁电阻(GMR)效应的发现，开启了“自旋”时代，利用自旋或磁矩调控输运的磁电子器件引起了人们广泛的兴趣。随后，GMR磁读出头的应用为硬盘磁头领域带来了巨大的商业化成功，进一步促进了磁电子器件研发的热潮。磁电子器件需要用磁场进行控制。在实际的应用中，一般需要电流通过线圈产生 磁场，导致磁电子器件的控制系统结构复杂、功耗高，同时也不利于控制系统的小型化。因此，探索和优化磁电子器件中磁矩或自旋的控制方式一直是一个重要的研究课题。利用铁电、铁磁材料组成铁电/铁磁复合材料，对铁电材料施加电场，所产生的应力通过界面传递给铁磁材料，从而实现电场对磁性质的调控，这是目前一种重要的磁电子器件，称为电场控制的磁电子器件。电场控制的磁电子器件的优势之一在于器件结构简单、集成化、小型化、低功耗。除了电场控制的磁电子器件以外，温度控制的磁电子器件也是磁电子器件领域的一个重要的研究方向，其优势在于结构简单、集本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种温度控制的磁电子器件，其特征是：包括衬底（1），以及位于衬底（1）表面的磁性材料层（2）；所述的衬底（1）具有各向异性热膨胀系数；所述的磁性材料层（2）的磁致伸缩系数不为零；工作状态时，控制环境温度变化或者衬底（1）温度变化，引起衬底（1）各向异性的热膨胀（或热收缩），所产生的应力通过衬底（1）与磁性材料层（2）的界面传递至磁性材料层（2），使磁性材料层（2）的磁性能发生变化。

【技术特征摘要】
1.一种温度控制的磁电子器件，其特征是包括衬底(I)，以及位于衬底(I)表面的磁性材料层(2);所述的衬底(I)具有各向异性热膨胀系数；所述的磁性材料层(2)的磁致伸缩系数不为零；工作状态时，控制环境温度变化或者衬底(I)温度变化，弓I起衬底(I)各向异性的热膨胀(或热收缩)，所产生的应力通过衬底(I)与磁性材料层(2)的界面传递至磁性材料层(2 )，使磁性材料层(2 )的磁性能发生变化。2.根据权利要求I所述的温度控制的磁电子器件，其特征是所述的衬底包括单晶衬底、陶瓷衬底、金属衬底、有机物衬底、塑料衬底、铁电衬底。3.根据权利要求I所述的温度控制的磁电子器件，其特征是所述的磁性材料层(I)由第一磁性材料层(3)、第二磁性材料层(4),以及位于第一磁性材料层(3)与第二磁性材料层(5 )之间的介质层(4 )所构成。4.根据权利要求I所述的温度控制的磁电子器件，其特征是所述的介质层(4)是非磁性金属层、绝缘材料层、铁电材料层或压电材料层。5.根据权利要求I所述的温度控制的磁电子器件，其特征是所述的磁性材料层(2)的构成材料是磁性金属、磁性金属合金、磁性氧化物或者有机...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘宜伟，李润伟，詹清峰，代国红，
申请(专利权)人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所，
类型：发明
国别省市：