一种半导体处理设备及其使用方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体处理设备的使用方法，该使用方法的步骤包括：将晶圆和晶圆盖贴合，在所述晶圆和晶圆盖之间形成第一空腔；将所述晶圆和晶圆盖竖直嵌入至处理容器腔内底部的第一沟槽内；利用配重从上方对所述晶圆和晶圆盖进行夹持；对所述晶圆进行处理。相应地，本发明专利技术还提供了一种晶圆盖、处理容器、配重、以及由上述晶圆盖、处理容器和配重所组成的半导体处理设备。本发明专利技术可以有效地防止在处理过程中晶圆和晶圆盖的分离，且可以大大减小晶圆与晶圆盖以及与处理容器之间的接触面积，以及适用于不同厚度的晶圆，具有一定的灵活性。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体处理设备及其使用方法。
技术介绍
在半导体制造中，经常需要对晶圆进行单面的处理，例如对晶圆进行单面的扩散、离子注入、蒸镀、溅射、沉积或退火等操作。用以执行上述操作的半导体处理设备通常包括处理容器500以及晶圆盖600，请参考图9，图9为现有技术中半导体处理设备在使用过程中的剖面示意图。其中，在所述处理容器腔内501的底部通常存在矩形的沟槽503，该沟槽503用于固定晶圆700、并使所述晶圆700保持竖直状态。所述晶圆盖600通常为一片晶圆，将所述晶圆盖600和待处理的晶圆700贴合在一起后，竖直地插入到处理容器腔内501底部的沟槽503内，晶圆盖600对与晶圆700贴合的一面起到遮挡的作用，以避免面受到污 染，并且更进一步起到了对晶圆700进行支撑、确保其在处理过程中保持竖直状态的作用。但是，上述常用的半导体处理设备在使用中存在如下一些不足之处I)由于只是将晶圆和晶圆盖的一端插入到处理容器的沟槽中进行固定，而另外一端没有采取任何固定的措施，所以，在处理过程中，处理容器腔内的气体会经由所述晶圆和晶圆盖之间的缝隙，将所述晶圆和晶圆盖分离开，从而造本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶圆盖，其中：所述晶圆盖(100)包括底面、以及与该底面相连接且环绕该底面的侧壁，该侧壁和底面之间的空间形成凹槽。

【技术特征摘要】
2011.07.25 CN 201110209113.91.一种晶圆盖，其中 所述晶圆盖(100)包括底面、以及与该底面相连接且环绕该底面的侧壁，该侧壁和底面之间的空间形成凹槽。2.根据权利要求I所述的晶圆盖，其中 所述晶圆盖(100)的侧壁与底面形成两个凹槽，该两个凹槽分别位于该底面的两侧。3.根据权利要求I或2所述的晶圆盖，其中，所述凹槽的形状为圆形。4.根据权利要求I或2所述的晶圆盖，其中，所述晶圆盖(100)直径的范围为100mm-450mnin5.根据权利要求I或2所述的晶圆盖，其中，所述晶圆盖(100)的厚度范围为.O.1mm-5mmn6.根据权利要求I或2所述的晶圆盖，其中 所述晶圆盖(100)的材料包括氧化硅、单晶Si、单晶Ge、单晶SiGe、多晶Si、多晶Ge、多晶SiGe、非晶Si、非晶Ge、非晶SiGe、III-V或II-VI族化合物半导体或其组合；或者 所述晶圆盖(100)的材料包括不锈钢、铜、以及表面镀有氧化硅、氮化硅的不锈钢和铜中的一种或其任意组合。7.根据权利要求I或2所述的晶圆盖，其中，所述侧壁的上表面为粗糙结构。8.根据权利要求1、2或7所述的晶圆盖，其中，在所述侧壁上存在贯通该侧壁、且与所述凹槽相连通的孔(104)。9.一种处理容器，其中 在所述处理容器腔内(201)的底部具有一个或者多个第一沟槽(202)，该一个或者多个第一沟槽(202)均具两个侧壁，其特征在于 在所述两个侧壁中，至少有一个侧壁呈倾斜状态。10.根据权利要求9所述的处理容器，其中，与所述第一沟槽(202)延伸方向相垂直的截面为倒置的梯形或三角形。11.根据权利要求9所述的处理容器，其中，在所述处理容器腔内(201)的顶部设置有一个或者多个隔板(203)。12.根据权利要求9所述的处理容器，其中，在每个所述第一沟槽(202)具有一个底部，并且在所述沟槽的底部设置有一个第一矩形沟槽(204)。13.根据权利要求12所述的处理容器，其中，所述第一矩形沟槽(204)的宽度与晶片盖的厚度一致。14.根据权利要求9或12所述的处理容器，其中 所述第一沟槽(202)或所述第一矩形沟槽(204)具有一个底部； 所述处理容器(200)的底部设置有进气孔(...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱慧珑，尹海洲，骆志炯，
申请(专利权)人：聚日苏州科技有限公司，
类型：发明
国别省市：