电光学装置、电光学装置的驱动方法以及电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术涉及电光学装置、电光学装置的驱动方法以及电子设备。在半导体基板上形成包括OLED那样的发光元件的像素电路。像素电路（110）包括驱动晶体管（125）、开关晶体管（122）和发光元件（130），这些元件形成在半导体基板上。向开关晶体管（122）供给第1基板电位V4，向驱动晶体管（125）供给与第1基板电位V4不同的第2基板电位V3。

【技术实现步骤摘要】
电光学装置、电光学装置的驱动方法以及电子设备
本专利技术涉及例如在半导体基板上集成了像素电路的电光学装置、电气驱动装置的驱动方法以及电子设备。
技术介绍
近年来，人们提出了各种使用有机发光二极管（OrganicLightEmittingDiode，以下，称为“OLED”）元件等发光元件的电光学装置。在该电光学装置中，一般在玻璃基板上布置扫描线和数据线，并且与扫描线和数据线的交叉对应地形成像素电路。在该像素电路中除了包括上述发光元件之外，还包括通过扫描线的选择而导通的开关晶体管、用于使与保持电位对应的电流流过发光元件的驱动晶体管。由于在玻璃基板上形成像素电路，所以开关晶体管、驱动晶体管一般由薄膜晶体管构成。另一方面，近年来，还提出一种不在玻璃基板上而是在硅基板等半导体基板上形成这种电光学装置的技术（例如参照专利文献1、2）专利文献1：美国专利申请公开第2007／0236440号说明书；专利文献2：日本特开2009－152113号公报。然而，在半导体基板上形成像素电路时，与在玻璃基板上形成的情况相比较，会产生各种问题。
技术实现思路
本专利技术的几个方式的目的之一在于，提供一种考虑到在半导体基板上形成像素电路的情况下的诸多问题的电光学装置、电光学装置的驱动方法以及电子设备。为了实现上述目的，本专利技术的该方式所涉及的电光学装置的特征在于，是在半导体基板上形成了扫描线、数据线以及像素电路的电光学装置，上述像素电路具有：发光元件，其具有第1电极以及第2电极；驱动晶体管，在向上述发光元件供给电流的期间，其与上述发光元件的上述第1电极电连接，并且根据栅极节点的电位来控制上述电流；开关晶体管，其被电连接在上述驱动晶体管的上述栅极节点与上述数据线之间，向上述开关晶体管供给第1基板电位，向上述驱动晶体管供给与上述第1基板电位不同的第2基板电位。根据本方式，在半导体基板上形成包括开关晶体管和驱动晶体管的像素电路时，注重对各晶体管要求的作用来决定基板电位。因此，与只使基板电位与源极电位一致的构成比较，能够将开关晶体管的漏电流等的影响抑制得较小。在上述方式中，在上述开关晶体管是N沟道型晶体管时，优选上述第1基板电位比该开关晶体管的源极电位低的构成、或比该源极电位所能够取得的最小值低的构成。另一方面，在上述方式中，在上述开关晶体管是P沟道型晶体管时，优选上述第1基板电位比该开关晶体管的源极电位高的构成、或比该源极电位所能够取得的最大值高的构成。本专利技术的其他方式的电光学装置的特征在于，是在半导体基板上形成了扫描线、数据线以及像素电路的电光学装置，上述像素电路具有发光元件，其具有第1电极以及第2电极；N沟道型驱动晶体管，在向上述发光元件供给电流的期间，其与上述发光元件的上述第1电极电连接，并且根据栅极节点的电位来控制上述电流；N沟道型开关晶体管，其被电连接在上述驱动晶体管的栅极节点与上述数据线之间，向上述开关晶体管供给第1基板电位，向上述驱动晶体管供给与上述第1基板电位不同的第2基板电位，上述第1基板电位是比上述第2基板电位低的电位。根据本方式，能够将开关晶体管的漏电流等的影响抑制得较小。另外，其他方式的电光学装置的特征在于，是在半导体基板上形成了扫描线、数据线以及像素电路的电光学装置，上述像素电路具有：发光元件，其具有第1电极以及第2电极；P沟道型驱动晶体管，在向上述发光元件供给电流的期间，其与上述发光元件的上述第1电极电连接，并且根据栅极节点的电位来控制上述电流；P沟道型开关晶体管，其被电连接在上述驱动晶体管的栅极节点与上述数据线之间，向上述开关晶体管供给第1基板电位，向上述驱动晶体管供给与上述第1基板电位不同的第2基板电位。上述第1基板电位是比上述第2基板电位高的电位。根据本方式，能够将开关晶体管的漏电流等的影响抑制得较小。在上述方式中可以构成为，上述发光元件以及上述驱动晶体管串联连接在第1电位与第2电位之间，上述第2基板电位是与上述驱动晶体管的源极节点相同的电位。另外，在上述方式中，可以还具备供给第1电位的供电线，上述驱动晶体管的源极节点以及漏极节点的任意一方与上述发光元件的第1电极连接，向上述发光元件的上述第2电极供给与上述第1电位不同的第2电位，上述驱动晶体管的源极节点以及漏极节点的任意另一方与上述供电线连接，上述第1基板是比上述第2电位低的电位。在该构成中，还可以在第1电位与第2电位之间串联连接上述发光元件以及上述驱动晶体管，使上述第2基板电位为与上述第1电位以及上述第2电位的任意一个相同的电位。另外，在上述方式中，可以构成为还具备供给第1电位的供电线，上述驱动晶体管的源极节点以及漏极节点的任意一方与上述发光元件的第1电极连接，上述驱动晶体管的源极节点以及漏极节点的任意另一方与上述供电线连接，向上述驱动晶体管供给与上述第1电位相同的第3基板电位。在上述方式中，可以构成为上述驱动晶体管是串联连接了栅极被公共连接的2个以上的晶体管而成的，该2个以上的晶体管均被供给上述第2基板电位。根据该构成，即使提高电源电压，也可以不必提高晶体管的耐压。在上述方式中，可以构成为上述开关晶体管的源极节点以及漏极节点的任意一方与上述数据线连接，上述开关晶体管的栅极节点与上述扫描线连接。另外，在上述方式中，可以构成为上述像素电路还具备电容元件，上述开关晶体管的源极节点以及漏极节点的任意一方与上述电容元件的一端以及上述驱动晶体管的栅极节点连接。在该构成中，优选流过上述发光元件的上述电流是与被上述电容元件保持的电压对应的电流、或者是与上述驱动晶体管的栅极和源极之间的电压对应的电流。在上述方式中，可以构成为在上述扫描线被选择时，上述开关晶体管将上述驱动晶体管的上述栅极节点与上述数据线电连接，驱动上述扫描线的扫描线驱动电路以及驱动上述数据线的数据线驱动电路与上述像素电路一起形成在上述半导体基板上。在该构成中，可以在设置上述像素电路的显示部与设置上述扫描线驱动电路以及上述数据线驱动电路的外围电路之间形成分离用阱。通过这样形成分离用阱，能够将外围电路的动作对显示部的影响抑制得较小。此外，本专利技术除了涉及电光学装置之外，还涉及电光学装置的驱动方法、具有该电光学装置的电子设备。对于电子设备而言，典型而言，能够例举出头戴式可视设备、电子取景器等显示装置。附图说明图1是表示本专利技术的实施方式所涉及的电光学装置的立体图。图2是表示电光学装置中的各部的配置的俯视图。图3是表示电光学装置的电气构成的框图。图4是表示电光学装置中的阱区的图。图5是表示电光学装置中的像素电路的图。图6是表示电光学装置的动作的图。图7是表示应用例及变形例所涉及的电光学装置的像素电路的图。图8是表示应用例及变形例所涉及的电光学装置的像素电路的图。图9是表示应用例及变形例所涉及的电光学装置的动作的图。图10是表示应用例及变形例所涉及的电光学装置的像素电路的图。图11是表示应用例及变形例所涉及的电光学装置的像素电路的图。图12是表示应用例及变形例所涉及的电光学装置的像素电路的图。图13是表示应用例及变形例所涉及的电光学装置的像素电路的图。图14是表示应用例及变形例所涉及的电光学装置的像素电路的图。图15是表示应用例及变形例所涉及的电光学装置的像素电路的图。图16是表示应用例及变形例所涉及的电光学装置的像本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电光学装置，其特征在于，该电光学装置是在半导体基板上形成了扫描线、数据线以及像素电路的电光学装置，上述像素电路具有：发光元件，其具有第1电极以及第2电极；驱动晶体管，在向上述发光元件供给电流的期间，其与上述发光元件的上述第1电极电连接，并且根据栅极节点的电位来控制上述电流；以及开关晶体管，其被电连接在上述驱动晶体管的上述栅极节点与上述数据线之间，向上述开关晶体管供给第1基板电位，向上述驱动晶体管供给与上述第1基板电位不同的第2基板电位。

【技术特征摘要】
2011.07.29 JP 2011-166576;2012.05.01 JP 2012-10481.一种电光学装置，其特征在于，该电光学装置是在半导体基板上形成了扫描线、数据线以及像素电路的电光学装置，上述像素电路具有：发光元件，其具有第1电极以及第2电极；驱动晶体管，在向上述发光元件供给电流的期间，其与上述发光元件的上述第1电极电连接，并且根据栅极节点的电位来控制上述电流；以及开关晶体管，其被电连接在上述驱动晶体管的上述栅极节点与上述数据线之间，向上述开关晶体管供给第1基板电位，向上述驱动晶体管供给与上述第1基板电位不同的第2基板电位，上述开关晶体管是N沟道型晶体管，上述第1基板电位比该开关晶体管的源极电位低。2.根据权利要求1所述的电光学装置，其特征在于，上述第1基板电位比该开关晶体管的源极电位所能够取得的最小值低。3.一种电光学装置，其特征在于，该电光学装置是在半导体基板上形成了扫描线、数据线以及像素电路的电光学装置，上述像素电路具有：发光元件，其具有第1电极以及第2电极；驱动晶体管，在向上述发光元件供给电流的期间，其与上述发光元件的上述第1电极电连接，并且根据栅极节点的电位来控制上述电流；以及开关晶体管，其被电连接在上述驱动晶体管的上述栅极节点与上述数据线之间，向上述开关晶体管供给第1基板电位，向上述驱动晶体管供给与上述第1基板电位不同的第2基板电位，上述开关晶体管是P沟道型晶体管，上述第1基板电位比该开关晶体管的源极电位高。4.根据权利要求3所述的电光学装置，其特征在于，上述第1基板电位比该开关晶体管的源极电位所能够取得的最大值高。5.一种电光学装置，其特征在于，该电光学装置是在半导体基板上形成了扫描线、数据线以及像素电路的电光学装置，上述像素电路具有：发光元件，其具有第1电极以及第2电极；N沟道型驱动晶体管，在向上述发光元件供给电流的期间，其与上述发光元件的上述第1电极电连接，并且根据栅极节点的电位来控制上述电流；以及N沟道型开关晶体管，其被电连接在上述驱动晶体管的栅极节点与上述数据线之间，向上述开关晶体管供给第1基板电位，向上述驱动晶体管供给与上述第1基板电位不同的第2基板电位，上述第1基板电位是比上述第2基板电位低的电位。6.一种电光学装置，其特征在于，该电光学装置是在半导体基板上形成了扫描线、数据线以及像素电路的电光学装置，上述像素电路具有：发光元件，其具有第1电极以及第2电极；P沟道型驱动晶体管，在向上述发光元件供给电流的期间，其与上述发光元件的上述第1电极电连接，并且根据栅极节点的电位来控制上述电流；以及P沟道型开关晶体管，其被电连接在上述驱动晶体管的栅极节点与上述数据线之间，向上述开关晶体管供给第1基板电位，向上述...

【专利技术属性】
技术研发人员：河西利幸，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：