显示装置以及电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术涉及显示装置以及电子设备。在显示装置中，以阵列设置多个像素。每个像素包括：光电元件；写图像信号的写晶体管；根据由写晶体管所写的图像信号驱动光电元件的驱动晶体管；保持电容器，连接在驱动晶体管的栅电极和源电极之间，保存由写晶体管所写的图像信号；以及辅助电容器，连接在光电元件的阳极和固定电位节点之间。各个辅助电容器横跨像素行上的在像素布局方向上相邻的特定像素对之间的边界形成。在特定像素对之外的像素对之间的与辅助电容器相对应的位置上形成岛状金属图案。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示装置、用于显示装置的像素布局方法以及电子设备。更具体地，本专利技术涉及以二维阵列配置具有光电元件的像素的平面(即，平板)显示装置、用于这种显示装置的像素布局方法以及包括这种显示装置的电子设备。
技术介绍
近年来，用于显示图像的显示装置的领域经历了平面显示装置的迅速普及，其中，以二维阵列配置具有发光元件的像素(下文中，称作像素电路)。在这一类型的平面显示装置中，将电流驱动光电元件用作像素的发光元件。换句话说，这些元件的发光亮度根据流入器件的电流值而改变。这种电流驱动光电元件的一个实例为有机EL (电致发光)元件，其利用了将有机薄膜施加电场后的发光现象。使用有机EL元件作为发光元件的有机EL显示装置具有以下优点。由于可以通过施加小于等于IOV的电压来驱动有机EL元件，所以功耗低。由于有机EL元件为自发光，所以与液晶显示装置相比较，图像能见度更高，其中，液晶显示装置基于每个像素通过控制来自光源的穿过液晶的光的亮度来显示图像。而且，由于可以省略背光或者类似光源，所以易于使有机EL显示装置更轻并且更薄。此外，有机EL元件的响应时间非常快，在几微秒级。因此，在显示视频时，不会出现重像。与液晶显示装置类似地，有机EL显示装置可以采用简单(无源)矩阵系统或者有源矩阵系统作为驱动系统。然而，由于无源矩阵显示装置的结构简单，光电元件的发光期间随着扫描线数量(即，像素数)的增加而减短，难以实现大型且具有高分辨率的显示装置。因此，当前有源矩阵显示装置的发展普及。在有源矩阵显示装置中，通过与给定光电元件设置在相同的像素内的有源元件(例如，绝缘栅场效应晶体管)来控制流入每个光电元件中的电流。通常，将薄膜晶体管(TFT)用作绝缘栅场效应晶体管。在有源矩阵显示装置中，发光元件维持单帧持续时间的发光。因此，易于实现大的、高分辨率的显示器。在有源矩阵有机EL显示装置中，每个像素(即，像素电路)被配置为作为有机EL元件的驱动电路(例如，参见日本未审查专利申请公开第2005-345722号)至少包括驱动晶体管、写晶体管、以及保持电容器。驱动晶体管通过电流驱动有机EL元件。写晶体管对图像信号进行取样并且写入像素内。保持电容保持通过写晶体管写入的图像信号。与此同时，近年来，显示装置正经历着分辨率提高而功耗降低的变革。当显示装置的分辨率提高时，每个有机EL元件的尺寸减小，这也导致用于每个有机EL元件的寄生电容的电容量减小。此外，由于显示装置的功耗降低，写入像素的图像信号的幅值将设计得更小。在写晶体管进行图像信号的写入操作期间，当驱动晶体管的栅极电位Vg由于写入图像信号而增加时，由于有机EL元件的保持电容器和寄生电容器之间的耦合，驱动晶体管的源极电压Vs也增加。可以将这点的源极电压的增量AVs表示为Δ Vs= Δ VgX {Ccs/(Ccs+Cel)丨 (I)其中，AVg为栅极电位的增量，Ccs为保持电容器的电容值，Cel为有机EL元件的寄生电容的电容值。由于提高显示装置的分辨率而带来的像素小型化导致有机EL元件的寄生电容的电容值Cel减小。如以上等式I证明，如果电容值Cel减小，则驱动晶体管的源极电压的增量AVs也增加。因此，驱动晶体管的驱动电压(即，栅源电压Vgs)降低。结果，没有获得与输入图像信号的幅值相对应的亮度。尽管可以通过增大图像信号的幅值来抵消亮度的降低，但是这样做阻碍了降低显示装置的功耗。因此，以将有机EL元件用作光电元件的情况为例，上文描述了现有问题。然而，以 上问题不限于有机EL元件，并且可以说以上问题通常适用于具有寄生电容的光电元件。为了补偿光电元件的寄生性的不足，采用了在光电元件的阳极(B卩，驱动晶体管的源电极)和固定电位节点(例如，参见日本未审查专利申请公开第2008-051990号)之间添加辅助电容器的结构。甚至对于用于光电元件的寄生电容的小电容值，这种辅助电容器也能补偿光电元件的电容的不足。这样，当写信号时，辅助电容器用于抑制驱动晶体管的源极电压Vs的上升。由于辅助电容器的作用，不用增大图像信号的幅值就可以确保驱动晶体管的驱动电压。
技术实现思路
与此同时，由于有机材料和其他因素，有机EL元件的发光效率取决于发光颜色。因此，驱动有机EL元件的驱动晶体管的尺寸(即，驱动性能)和驱动电流取决于有机EL元件的发光颜色。因此，添加至像素的辅助电容器的电容值也取决于有机EL元件的发光颜色。作为一个实例，考虑由三个子像素R (红)、G (绿)以及B (蓝)所组成的用于形成彩色图像的一个单元的单个像素的情况。在该实例中，如果假设B有机EL元件的有机材料的膜通常比其他颜色的有机EL元件的膜厚，则与其他颜色的有机EL元件的发光效率相比较，B有机EL元件的发光效率较小。因此，使B子像素的辅助电容器的电容值为最大。此外，当显示装置的尺寸继续增大时，每个有机EL元件的平面面积也将相应地增大，这放大了每个发光颜色的寄生电容之间的尺寸偏差。因此，在以上实例中添加至B子像素的辅助电容器的尺寸变得非常大。当制造这种辅助电容器时，可以设计在像素行的像素布局方向(即，水平地)的两个相邻像素(即，子像素)为线对称的像素布局。通过这种像素布局，可以制造横跨两个像素且位于相邻像素区域的辅助电容器(稍后，将给出详细的描述)。这样，可以布置大附加电容。此外，如图10所示，当用于B子像素的大型辅助电容器25B形成时延伸至相邻像素区域时，辅助电容器25B将横跨在B子像素和R子像素之间及B子像素和G子像素之间的边界形成。然而，在相邻R和G子像素之间没有形成辅助电容器25B。当仅看在图10所示的布局中的R子像素或者G子像素时，在每条线上间隔具有形成辅助电容器25B的金属层。因此，在下文中要描述的激光退火步骤中，传到TFT上的非晶硅的热量根据辅助电容器25B的金属图案的有或无而不同，这使TFT特征变得不一致。结果，在每条线上出现条纹，这导致显示图像的图像质量受损害。因此，期望提供显示装置，其中，在具有横跨两个相邻像素所形成的辅助电容的像素布局中可以使用激光退火使TFT特征均一。进一步地，期望提供用于这种显示装置以及包括这种显示装置的电子设备的像素布局方法。根据本专利技术的实施例的显示装置包括以阵列配置的多个像素。每个像素包括光电元件；写晶体管，被配置为写图像信号；驱动晶体管，被配置为根据写晶体管所写的图像信号来驱动光电元件；保持电容器，连接在驱动晶体管的栅电极和源电极之间，被配置为保存写晶体管所写的图像信号；以及辅助电容器，连接在光电元件的阳极和固定电位节点之间。在显示装置中，辅助电容器横跨特定像素对之间的边界形成，其中，特定像素对在像素行的像素布局方向上相邻。此外，在与在除了特定像素对之外的像素对之间的边界处的辅 助电容器的位置相对应的位置形成岛状金属图案。在横跨在两个像素之间的边界形成辅助电容器的情况中，在与除了特定像素对之外的像素对之间的边界处的辅助电容器相对应的位置形成岛状金属图案。因此，在任何两个像素之间的边界处存在与辅助电容器相对应的金属图案。这样，在激光退火期间传递到TFT上的非晶硅的热量是均匀的，从而，可以使用激光退火使TFT特征均一。根据本专利技术的实施例，在横跨两个像素之间的边界形成辅助电容器的情况下，可以使用激光退火使TFT特征均一。因此，可以获本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示装置，包括以阵列形式设置的多个像素，其中，每个像素包括光电元件以及驱动所述光电元件的驱动电路，其中，所述驱动电路包括写晶体管、驱动晶体管以及保持电容器，所述写晶体管被配置为写图像信号，所述驱动晶体管被配置为根据所述写晶体管所写的所述图像信号驱动所述光电元件，所述保持电容器被配置为保存由所述写晶体管所写的所述图像信号，其中，所述显示装置还包括多个辅助电容器，各个辅助电容器横跨在像素行的像素布局方向上相邻的特定像素对之间的边界而形成，以及岛状金属图案在所述特定像素对之外的像素对之间的与所述辅助电容器相对应的位置形成。

【技术特征摘要】
2008.12.16 JP 2008-3192521.一种显示装置，包括以阵列形式设置的多个像素， 其中，每个像素包括光电元件以及驱动所述光电元件的驱动电路， 其中，所述驱动电路包括写晶体管、驱动晶体管以及保持电容器，所述写晶体管被配置为写图像信号，所述驱动晶体管被配置为根据所述写晶体管所写的所述图像信号驱动所述光电元件，所述保持电容器被配置为保存由所述写晶体管所写的所述图像信号， 其中，所述显示装置还包括多个辅助电容器，各个辅助电容器横跨在像素行的像素布局方向上相邻的特定像素对之间的边界而形成，以及 岛状金属图案在所述特定像素对之外的像素对之间的与所述辅助电容器相对应的位置形成。2.根据权利要求I所述的显示装置，其中，所述特定像素对和除所述特定像素对之外的所述像素对都被配置为关于各个像素对之间的边界线而线对称的像素布局。3.根据权利要求I所述的显示装置，其中，每个晶体管均由低温多晶硅TFT形成。4.根据权利要求I所述的显示装置，其中，所述辅助电容器连接在所述保持电容器和固定电位节点之间。5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述固定电位节点的电位在高电位和低电位之间切换。6.根据权利要求I所述的显示装置，其中， 所述辅助电容器连接在同一像素行上的所述驱动晶体管的源电...

【专利技术属性】
技术研发人员：山本哲郎，内野胜秀，
申请(专利权)人：索尼株式会社，
类型：发明
国别省市：