显示装置以及电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种具备具有存储器的像素的显示装置以及电子设备。在像素中至少设置显示元件、电容元件、反相器以及开关。通过使用保持在电容元件中的信号和从反相器输出的信号控制开关，向显示元件供应电压。可以使用具有相同极性的晶体管构成反相器以及开关。另外，也可以使用具有透光性的材料形成构成像素的半导体层。另外，也可以使用具有透光性的导电层形成栅电极、漏电极以及电容电极。如上所述，通过使用透光材料形成像素，可以制造透过型显示装置，该显示装置具有配置有存储器的像素。

【技术实现步骤摘要】
本申请是申请日为2010年9月3日、申请号为201010273917.0、专利技术名称为“显示装置以及电子设备”的中国专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及一种半导体装置、显示装置、发光装置或它们的制造方法。本专利技术尤其涉及一种具有如下电路的半导体装置、显示装置、发光装置或它们的制造方法，该电路使用将具有透光性的半导体膜用于沟道形成区的薄膜晶体管构成。本专利技术尤其涉及一种具有如下电路的半导体装置、显示装置、发光装置或它们的制造方法，该电路使用将氧化物半导体膜用于沟道形成区的薄膜晶体管构成。
技术介绍
作为以液晶显示装置为代表的显示装置的开关元件，广泛地使用将非晶硅等的硅层用作沟道层的薄膜晶体管(TFT)。虽然使用非晶硅的薄膜晶体管的场效应迁移率低，但是使用非晶硅的薄膜晶体管具有可以对应于玻璃衬底的大面积化的优点。另外，近年来，通过使用显现半导体特性的金属氧化物制造薄膜晶体管，并将该薄膜晶体管应用于电子装置或光装置的技术受到注目。例如，已知金属氧化物中的氧化钨、氧化锡、氧化铟、氧化锌等显现半导体特性。将由这种金属氧化物构成的透光半导体层用于沟道形成区的薄膜晶体管已被公开(例如，参照专利文献1)。另外，正在研究如下技术：使用具有透光性的氧化物半导体层形成晶体管的沟道层，并且还使用具有透光性的透明导电膜形成栅电极、源电极、漏电极，以提高开口率(例如，参照专利文献2)。通过提高开口率，光利用效率得到提高，而可以实现显示装置的省电化及小型化。另一方面，从显示装置的大型化、对便携式设备的应用的观点而言，要求开口率的提高和进一步的耗电量的减少。另外，作为对电光元件的透明电极的金属辅助布线，已知如下布线，即在透明电极上或在透明电极下以使金属辅助布线与透明电极重叠的方式设置来实现与透明电极的导通的布线(例如，参照专利文献3)。另外，已知如下结构：使用ITO、SnO2等的透明导电膜形成设置在有源矩阵衬底上的附加电容电极，并且接触于附加电容电极地设置由金属膜构成的辅助布线，以降低附加电容电极的电阻(例如，参照专利文献4)。另外，在使用非晶氧化物半导体膜的场效应晶体管中，作为形成栅电极、源电极及漏电极的各电极的材料，可以使用氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌、ZnO、SnO2等的透明电极、Al、Ag、Cr、Ni、Mo、Au、Ti、Ta等的金属电极或包括它们的合金的金属电极等。已知层叠两个以上的由上述材料构成的膜来降低接触电阻或者提高界面强度的技术(例如，参照专利文献5)。另外，作为使用非晶氧化物半导体的晶体管的源电极、漏电极、栅电极、辅助电容电极的材料，可以使用铟(In)、铝(Al)、金(Au)、银(Ag)等的金属、氧化铟(In2O3)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)、氧化镉(CdO)、氧化铟镉(CdIn2O4)、氧化镉锡(Cd2SnO4)、氧化锌锡(Zn2SnO4)等的氧化物材料。另外，已知作为栅电极、源电极和漏电极的材料既可以相同又可以不同(例如，参照专利文献6和7)。另一方面，为了减少耗电量，探讨了在像素内配置有存储器的显示装置(例如，参照专利文献8、9)。另外，在专利文献8、9的显示装置中使用光反射型像素电极。[专利文献1]日本专利申请公开2004-103957号公报[专利文献2]日本专利申请公开2007-81362号公报[专利文献3]日本专利申请公开平2-82221号公报[专利文献4]日本专利申请公开平2-310536号公报[专利文献5]日本专利申请公开2008-243928号公报[专利文献6]日本专利申请公开2007-109918号公报[专利文献7]日本专利申请公开2007-115807号公报[专利文献8]日本专利申请公开2001-264814号公报[专利文献7]日本专利申请公开2003-076343号公报
技术实现思路
本专利技术的一个方式的课题之一是提供一种涉及具备存储器的像素的技术。或者，本专利技术的一个方式的另一课题是提高像素的开口率。注意，多个课题的记载不妨碍其它课题的存在。另外，本专利技术的一个方式不必解决上述所有课题。例如，本专利技术的一个方式是一种显示装置，包括：具有控制图像信号的输入的功能的第一电路；具有保持图像信号的功能的第二电路；具有控制向显示元件供应的电压的极性的功能的第三电路；以及具有像素电极的显示元件。利用本方式来可以提供具备存储器的像素。另外，在该方式中，第一至第三电路可以使用具有透光性的材料构成，并且也可以将像素电极配置在第一至第三电路的上方。或者，本专利技术的一个方式是一种显示装置，包括：具有第一开关的第一电路；第二电路，该第二电路包括通过所述第一开关被输入信号的第一电容元件、第二电容元件以及输入端子电连接到所述第一电容元件且输出端子电连接到所述第二电容元件的反相器；第三电路，该第三电路包括控制端子电连接到所述第一电容元件的第二开关以及控制端子电连接到所述第二电容元件的第三开关；以及包括电连接到所述第二开关及所述第三开关的像素电极的显示元件。利用本方式来可以提供具备存储器的像素。在上述方式中也可以具有第一至第三布线。在该结构例子中，第一布线通过第一开关电连接到所述第一电容元件，反相器的输入端子电连接到第一电容元件，反相器的输出端子电连接到第二电容元件，第一电容元件电连接到第二开关的控制端子，第二电容元件电连接到第三开关的控制端子，第二布线通过第二开关以及第三开关连接到第三布线。在上述方式中，第一至第三开关、第一和第二电容元件以及反相器可以使用具有透光性的材料构成。另外，像素电极可以配置在第一至第三开关、第一和第二电容元件以及反相器的上方。在上述本专利技术的各方式中，作为开关可以使用各种方式的开关。作为开关的一个例子，可以使用电开关或机械开关等。换言之，开关只要可以控制电流即可，而不局限于特定的开关。作为开关的一个例子，有晶体管(例如，双极晶体管、MOS晶体管等)、二极管(例如，PN二极管、PIN二极管、肖特基二极管、MIM(MetalInsulatorMetal：金属-绝缘体-金属)二极管、MIS(MetalInsulatorSemiconductor：金属-绝缘体-半导体)二极管、二极管连接的晶体管等)或组合它们的逻辑电路等。作为机械开关的一个例子，有像数字微镜装置(DMD)那样的利用MEMS(微电子机械系统)技术的开关。该开关具有以机械方式可动的电极，并且通过移动该电极来控制导通和非导通以实现工作。在上述本专利技术的各方式中，在使用晶体管作为开关的情况下，由于该晶体管单作为开本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示装置，包括：栅电极；所述栅电极上的第一绝缘层；所述第一绝缘层上的氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包括沟道形成区；所述氧化物半导体层上的源电极和漏电极；所述源电极和所述漏电极上的第二绝缘层；所述第二绝缘层上的第一导电层，所述第一导电层包含铟；所述第一导电层上的第三绝缘层；以及所述第三绝缘层上的像素电极，所述像素电极电连接至所述源电极和所述漏电极中的一个，其中所述像素电极包含铟，其中所述氧化物半导体层包含铟、镓、锌和氧，其中，所述源电极和所述漏电极中的每一个均包括第一层和第二层，其中所述第一层包含铟和氧，其中所述第二层包含铜，其中所述第一导电层与所述沟道形成区重叠，并且其中所述像素电极与所述第一导电层重叠。

【技术特征摘要】
2009.09.04 JP 2009-2051361.一种显示装置，包括：
栅电极；
所述栅电极上的第一绝缘层；
所述第一绝缘层上的氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包括沟道形成区；
所述氧化物半导体层上的源电极和漏电极；
所述源电极和所述漏电极上的第二绝缘层；
所述第二绝缘层上的第一导电层，所述第一导电层包含铟；
所述第一导电层上的第三绝缘层；以及
所述第三绝缘层上的像素电极，所述像素电极电连接至所述源电极和所述漏电极中的
一个，其中所述像素电极包含铟，
其中所述氧化物半导体层包含铟、镓、锌和氧，
其中，所述源电极和所述漏电极中的每一个均包括第一层和第二层，
其中所述第一层包含铟和氧，
其中所述第二层包含铜，
其中所述第一导电层与所述沟道形成区重叠，并且
其中所述像素电极与所述第一导电层重叠。
2.一种显示装置，包括：
栅电极；
所述栅电极上的第一绝缘层；
所述第一绝缘层上的氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包括沟道形成区；
所述氧化物半导体层上的源电极和漏电极；
所述源电极和所述漏电极上的第二绝缘层；
所述第二绝缘层上的第一导电层，所述第一导电层包含铟；
所述第一导电层上的第三绝缘层；以及
所述第三绝缘层上的像素电极，所述像素电极电连接至所述源电极和所述漏电极中的
一个，其中所述像素电极包含铟，
其中所述氧化物半导体层包含铟、镓、锌和氧，
其中，所述源电极和所述漏电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：木村肇，秋元健吾，津吹将志，佐佐木俊成，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：日本;JP