显示装置及电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了显示装置及电子装置，该显示装置包括：多个子像素，彼此邻近配置，并形成用于形成彩色图像格式的单位的一个像素；所述多个子像素包括：第一子像素，用于发射最短波长的光；以及第二子像素，与第一子像素邻近配置；第二子像素具有遮光部，配置在第二子像素与所述第一子像素之间，并且遮光部的宽度大于形成第二子像素的晶体管的沟道长度或沟道宽度。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示装置及电子装置，具体而言，涉及平面型或平板型显示装置(其中，以行和列(即，矩阵)的形式二维排列每个都包括电光学元件的多个像素)以及结合了所述显示装置的电子装置。
技术介绍
近年来，在用于显示图像的显示装置领域，以行和列的方式配置了每个都包括发光元件的多个像素或像素电路的平面型显示装置已经快速普及。这种平面型显示装置的其·中一个使用发光亮度响应于流经所述元件的电流值而改变的电流驱动型电光学元件作为像素的发光元件。就电流驱动型电光学元件而言，利用当被施加电场时有机薄膜发光现象的有机EL (场致发光)元件被众所周知。使用有机EL元件作为像素的电光学元件的有机EL显示装置具有下面的特性。具体地，有机EL元件因为其能够通过等于或低于IOV的应用电压被驱动而具有低功率消耗特性。由于有机EL元件为自发光元件，所以有机EL显示装置与通过对每个像素使用液晶而控制来自光源的光强度来显示图像的液晶显示装置相比显示了高可视性的图像。此外，由于有机EL元件不需要诸如背光的光源，所以有利于减小有机EL显示装置的重量及厚度。此夕卜，由于响应速度为近似几μ秒高，所以在动态图片显示时不会出现余像。类似于液晶显示装置，有机EL显示装置能够采用简单或无源矩阵型或有源矩阵型作为其驱动方法。但是，尽管简单的矩阵型显示装置在结构上简单，但是其具有一个缺点，S卩，因为每个电光学元件的发光期间随着扫描线数(B卩，像素数)增加而减小，所以很难实现大尺寸高清晰度的显示装置。因此，近年来，已经并正在进行提供了诸如绝缘栅极型场效应晶体管的电光学元件的有源矩阵显示装置(其中，通过在像素中所提供的有源元件来控制流入电光学元件的电流)的开发。就绝缘栅极型场效应晶体管而言，广泛使用薄膜晶体管(TFT)。因为电光学元件在整个一个帧期间内持续发光，所以很容易实现作为大尺寸和高清晰度的显示装置的有源矩阵显示装置。另外，众所周知，随着时间流逝，有机EL元件的I 一 V特性(S卩，电流一电压特性)像所知的时间劣化一样地发生劣化。在具体使用N沟道型TFT作为用于通过电流驱动有机EL元件的晶体管(下文中，这种晶体管被称作驱动晶体管)的像素电路中，如果有机EL元件的I 一 V特性经受时间劣化，则随后，驱动晶体管的栅源电压Vgs产生变化。结果，有机EL元件的发光亮度产生变化。这是由于有机EL元件被连接至驱动晶体管的源电极侧的事实。更加具体的描述这种情况。驱动晶体管的源电位依赖于驱动晶体管和有机EL元件的工作点。如果有机EL元件的I 一 V特性劣化，则随后，驱动晶体管和有机EL元件的工作点发生变化。因此，即使相同的电压被施加于驱动晶体管的栅极，驱动晶体管的源电位也会改变。因此，驱动晶体管的源栅电压Vgs发生变化，并且流入驱动晶体管的电流值改变。结果，由于流入有机EL元件的电流值也发生变化，所以有机EL元件的发光亮度产生变化。此外，特别是在使用多晶硅TFT的像素电路中，除了有机EL元件的I — V特性的时间劣化之外，驱动晶体管的晶体管特性随时间的流逝而变化，或者由于制造处理的分散性，不同像素中的晶体管特性不同。换句话说，各个像素中的驱动晶体管的晶体管特性分散。晶体管特性可以为驱动晶体管的阈值电压Vth、形成驱动晶体管沟道的半导体薄膜的迁移率μ (下文中，这种迁移率μ被简单称作“驱动晶体管的迁移率μ ”)或其它一些特性。在不同像素中的驱动晶体管的晶体管特性不同的情况下，由于这引起了流入多个像素中的驱动晶体管的电流值的分散，所以即使相同的电压被施加于多个像素中的驱动晶体管的栅极，在多个像素中的有机EL元件的发光亮度也会出现分散。结果，破坏了画面图像的均一性。因此，为了保持有机EL元件的发光亮度固定，不会如所披露(例如，在日本专利公 开第2007-310311号中)的一样被有机EL元件的I 一 V特性的时间劣化或驱动晶体管的晶体管特性的时间劣化影响，为像素电路提供各种校正或补偿功能。校正功能可以包括用于有机EL元件的I 一 V特性变化的补偿功能、对于驱动晶体管的阈值电压Vth差异的校正功能、用于驱动晶体管迁移率μ差异的校正功能及其它一些功能。在下面所给出的描述中，对于驱动晶体管阈值电压Vth的变化的校正被称作“阈值校正”，并且对于驱动晶体管迁移率μ的校正被称作“迁移率校正”。在以这种方式为每个像素电路提供了多种校正功能的情况下，能够将有机EL元件的发光亮度保持固定，不会被有机EL元件的I 一 V特性的时间劣化或驱动晶体管的晶体管特性的时间劣化影响。结果，能够改进有机EL显示器的显示质量。
技术实现思路
因此，如果在某个固定电压被施加至像素中的晶体管的状态下具有高能量的光被输入至像素中的晶体管的沟道，则随后晶体管的阈值电压移动至负值一侧。具体地，如果具有相对较短波长并因此具有高能量的蓝光被输入至晶体管，则随后如图26所示，晶体管的特性移动与没有输入光时相比变得非常大。就实例而言，考虑了每个都包括R (红色)、G (绿色)及B (蓝色)三个子像素的子像素单元被排列使得B子像素位于每个单元的中央的多个子像素。仅当B子像素自身发光时，B子像素仅被绿光影响。但是，由于R和G子像素位于B子像素附近，所以即使它们自身不发光，它们也会被位于其邻近的B子像素所发射的光影响。在R和G子像素不仅被来自其自身所发射的光影响而且也被来自邻近子像素所发射的光影响的情况下，很难在校正处理等处理中补偿电流差异。尽管在RGB彩色涂层(coating)中给出了关于B子像素的前面的描述，但是在任意其它彩色涂层中，这种描述也类似地应用于发射具有最短波长并因此具有最高能量的光的子像素。因此，需要提供一种显示装置和电子装置，其中，能够抑制当具有高能量的光被输入至晶体管的沟道时出现的子像素晶体管的特性移动。根据本专利技术的实施例，提供了一种显示装置，包括彼此邻近配置并形成用于形成彩色图像格式的单位的一个像素的多个子像素，所述多个子像素包括第一子像素，用于发射最短波长的光；以及第二子像素，配置在第一子像素附近，所述第二子像素具有遮光部，配置在第二子像素与第一子像素之间，并且该遮光部的宽度大于形成第二子像素的晶体管的沟道长度或沟道宽度。所发射的具有相对较短波长的光具有很高的能量。在显示装置中，如果具有最短波长并具有很高强度的光从第一子像素输入至位于第一子像素附近并被施加了电压的第二子像素中的晶体管的沟道，则随后，晶体管发生特性移动。此处，由于第二子像素具有在第二子像素与第一子像素之间所排列的遮光部，所以遮光部具有遮挡从第一子像素所发射的光进入第二子像素的功能。因此，能够抑制由于具有高能量的光入射进晶体管的沟道所引起的晶体管的特性移动。通过所述显示装置，由于能够抑制由于具有高能量的光入射进晶体管的沟道所引·起的晶体管的特性移动，所以能够抑制流入电光学元件的电流的减小以及诸如条纹和亮度不均匀的图片质量缺陷的产生。下面，结合附图对本专利技术的优选实施例进行说明，本专利技术的上述和其他的目的、特征和优点将更加明显。附图说明图I是示出了应用了本专利技术实施例的有机EL显示装置的通用系统结构的框图；图2是示出了像素的电路结构的方框电路图；图3是示出了像素的截面结构的实例的截面图；图4是示出了图I的有机EL显示装置的电路工作的时间波形图；图5A至图及图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示装置，包括：多个子像素，彼此邻近配置，并形成用于形成彩色图像的单位的一个像素；所述多个子像素包括第一子像素，用于发射最短波长的光；以及第二子像素，与所述第一子像素邻近配置；所述第二子像素具有遮光部，配置在所述第二子像素与所述第一子像素之间，并且所述遮光部的宽度大于形成所述第二子像素的晶体管的沟道长度或沟道宽度；其中，所述多个子像素的每一个均包括：写入晶体管，用于写入图像信号；以及驱动晶体管，用于响应于所述写入晶体管所写入的所述图像信号来驱动电光学元件；其中，形成所述遮光部的材料与用于在所述第二子像素中形成电光学元件的阳极的金属线的材料相同。

【技术特征摘要】
2008.12.22 JP 2008-3250721.一种显示装置，包括 多个子像素，彼此邻近配置，并形成用于形成彩色图像的单位的一个像素； 所述多个子像素包括 第一子像素，用于发射最短波长的光；以及 第二子像素，与所述第一子像素邻近配置； 所述第二子像素具有 遮光部，配置在所述第二子像素与所述第一子像素之间， 并且所述遮光部的宽度大于形成所述第二子像素的晶体管的沟道长度或沟道宽度； 其中，所述多个子像素的每一个均包括写入晶体管，用 于写入图像信号；以及驱动晶体管，用于响应于所述写入晶体管所写入的所述图像信号来驱动电光学兀件； 其中，形成所述遮光部的材料与用于在所述第二子像素中形成电光学元件的阳极的金属线的材料相同。2.根据权利要求I所述的显示装置，其中，与所述第二子像素的纵向方向平行地配置所述遮光部。3.根据权利要求I所述的显示装置，其中，以这样的方式配置所述遮光部，使得光学地遮盖所述第二子像素的晶体管，阻挡所述第一子像素发射的光。4.根据权利要求I所述的显示装置，其中，所述遮光部被配置在辅助线下，所述辅助线在所述第一子像素与所述第二子像素之间配线。5.根据权利要求4所述的显示...

【专利技术属性】
技术研发人员：山本哲郎，内野胜秀，
申请(专利权)人：索尼株式会社，
类型：发明
国别省市：