本发明专利技术公开了一种像素驱动电路，其包括有扫描线S0、扫描线S1及一数据线，该S0连接至TFT管T3的栅极和TFT管T4的栅极，S1连接至TFT管T5的栅极、TFT管T2的栅极、TFT管T6的栅极和电容C2的一端；数据线连接至该T2的源极；T4的源极连接基准电压线，T6的漏极连接VDD线，该VDD线连接电容C1的一端，C1的另一端连接至TFT管T1的栅极、C2的另一端、T5的源极和T4的漏极；T1的源极连接至T2的漏极和T6的源极，T3的漏极连接至T1的漏极和T5的漏极，T3的源极连接至OLED的阳极，OLED的阴极连接至负电压VSS。本发明专利技术可以使得屏体亮度均匀一致，并能实现屏体的窄边框。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术有关一种像素电路，特别是指一种能够使有源矩阵有机发光显示器(AMOLED, Active Matrix Organic Light Emitting Diode)亮度更加均勻的 AMOLED 像素驱动电路。
技术介绍
有机发光二极管(0LED )是主动发光器件，相比现在的主流平板显示技术薄膜场效应晶体管液晶显示器(TFT -IXD )，OLED具有对比度高，视角广，功耗低及体积更薄等优点，有望成为继LCD之后的下一代平板显示技术，是目前平板显示技术中受到关注最多的技术之一。对主动有机发光显示器(AMOLED)而言，图I为现有技术的像素电路示意图，图 2为现有技术像素电路的工作时序图，发光器件OLED的亮度是由驱动TFT (Thin FilmTransistor，薄膜场效应晶体管)产生的电流的大小来决定，以PTFT为例，OLED的驱动电流Ie由下式计算 Ie=(1/2)*u*Cox*(ff/L)* (Vsg+Vth)2(I) 其中，Vth是负值，u是载流子迁移率，Cox是单位面积电容，W/L是驱动TFT的宽长比，Vsg是驱动TFT的源极与栅极之间的电压差，Vth是驱动TFT的阈值电压。在LTPS (Low Temperature Poly Silicon,低温多晶娃)工艺中，需要经过一道激光结晶的步骤，由于激光的宽度有限，无法一次同时扫描所有像素的TFT，因此需要通过多次的激光结晶步骤，方能将所有像素的TFT扫描过一次，但是每次激光的强度无法完全相同，因此在激光扫描不同的位置时，接受到的激光能量将会有所不同，进而使得不同时间被照射的TFT具有不同的阈值电压，这样使得每个像素中驱动OLED发光的电流不同，也造成不同的亮度，使得像素之间的亮度不一致，屏体一致性受到严重影响。因此，这种电路欲制作出均匀发光的显示面板十分困难。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的主要目的在于提供一种像素之间亮度一致、屏体一致性良好的像素驱动电路。为达到上述目的，本专利技术提供一种像素驱动电路，其包括有第一扫描线、第二扫描线及一数据线，该第一扫描线连接至一 TFT管T3的栅极和一 TFT管T4的栅极，该第二扫描线连接至一 TFT管T5的栅极、一 TFT管T2的栅极、一 TFT管T6的栅极和一电容C2的一端；该数据线连接至该TFT管T2的源极；该TFT管T4的源极连接一基准电压线，该TFT管T6的漏极连接一 VDD线，该VDD线连接一电容Cl的一端，该电容Cl的另一端连接至一 TFT管Tl的栅极、电容C2的另一端、TFT管T5的源极和TFT管T4的漏极；该TFT管Tl的源极连接至TFT管T2的漏极和TFT管T6的源极，该TFT管T3的漏极连接至TFT管Tl的漏极和TFT管T5的漏极，该TFT管T3的源极连接至一有机发光二极管的阳极，该有机发光二极管的阴极连接至负电压VSS。所述TFT管T3和TFT管T6是N沟道薄膜场效应晶体管，所述TFT管Tl、TFT管T2、TFT管T4与TFT管T5均为P沟道薄膜场效应晶体管。所述基准电压线的电压为负电压，该电压低于所述数据线的最小电压。本专利技术还提供一种像素驱动电路，其包括第一扫描线、第二扫描线及一数据线，该第一扫描线连接至一 TFT管T3的栅极和一 TFT管T4的栅极，该第二扫描线连接至一 TFT管T5的栅极、一 TFT管T2的栅极、一 TFT管T6的栅极和一电容C2的一端；该数据线连接至该TFT管T2的漏极；该TFT管T4的漏极连接一基准电压线，该TFT管T6的漏极连接一VDD线，该VDD线连接一电容Cl的一端，该电容Cl的另一端连接至一 TFT管Tl的栅极、电容C2的另一端、TFT管T5的漏极和TFT管T4的源极；该TFT管Tl的源极连接至TFT管T2的源极和TFT管T6的源极，该TFT管T3的漏极连接至该TFT管Tl的漏极和TFT管T5的源极，该TFT管T3的源极连接至一有机发光二极管的阳极，该有机发光二极管的阴极连接·至负电压VSS。所述TFT管T3和TFT管T6是N沟道薄膜场效应晶体管，所述TFT管Tl、TFT管T2、TFT管T4与TFT管T5均为P沟道薄膜场效应晶体管。所述基准电压线的电压为负电压，该电压低于所述数据线的最小电压。采用本专利技术的像素驱动电路，尽管阈值电压不同，可以使得像素电路中流过OLED的电流一致，可以使得屏体亮度均匀一致，于是AMOLED显示屏的一致性得到较大的改善。并且采用本专利技术的像素驱动电路，只有两个驱动信号，较容易实现屏体的窄边框，提高产品的美观度和竞争力。附图说明图I为现有技术的像素电路的结构示意 图2为现有技术像素电路的工作时序 图3为本专利技术的有源矩阵有机发光显示器的像素驱动电路结构 图4为本专利技术像素驱动电路的工作时序 图5为采用本专利技术像素驱动电路的显示屏的连接方式图。具体实施例方式为便于对本专利技术的结构及达到的效果有进一步的了解，现结合附图并举较佳实施例详细说明如下。图3为本专利技术的一种有源矩阵有机发光显示器的像素驱动电路示意图，该像素驱动电路包括，第一扫描线so、第二扫描线SI及一数据线VDATA，该第一扫描线SO连接至一N沟道TFT管T3的栅极和一 P沟道TFT管T4的栅极，第二扫描线SI连接至一 P沟道TFT管T5的栅极、一 P沟道TFT管T2的栅极、一 N沟道TFT管T6的栅极和一电容C2的一端；该数据线VDATA连接至该TFT管T2的源极；该TFT管T4的源极连接一基准电压线VREF，该TFT管T6的漏极连接一 VDD (器件内部的工作电压)线，该VDD线连接一电容Cl的一端，该电容Cl的另一端连接至一 P沟道TFT管Tl的栅极、电容C2的另一端、TFT管T5的源极和TFT管T4的漏极；TFT管Tl的源极连接至TFT管T2的漏极和TFT管T6的源极，TFT管T3的漏极连接至TFT管Tl的漏极和TFT管T5的漏极，TFT管T3的源极连接至一 OLED的阳极，该OLED的阴极连接至最低电位VSS，其中VSS为负电压。本专利技术的像素驱动电路还可以采用另一种结构，该像素驱动电路包括，第一扫描线S0、第二扫描线SI及一数据线VDATA，该第一扫描线SO连接至一 N沟道TFT管T3的栅极和一 P沟道TFT管T4的栅极，第二扫描线SI连接至一 P沟道TFT管T5的栅极、一 P沟道TFT管T2的栅极、一 N沟道TFT管T6的栅极和一电容C2的一端；该数据线VDATA连接至该TFT管T2的漏极；该TFT管T4的漏极连接一基准电压线VREF，该TFT管T6的漏极连接一 VDD (器件内部的工作电压)线，该VDD线连接一电容Cl的一端，该电容Cl的另一端连接至一 P沟道TFT管Tl的栅极、电容C2的另一端、TFT管T5的漏极和TFT管T4的源极；TFT管Tl的源极连接至TFT管T2的源极和TFT管T6的源极，TFT管T3的漏极连接至TFT管Tl的漏极和TFT管T5的源极，TFT管T3的源极连接至一 OLED的阳极，该OLED的阴极连接至最低电位VSS。 本专利技术中T3和T6是N型TFT，其余TFT管均是P型TFT。图4为本专利技术像素驱动电路的工作时序图，其工作方式如下 tl时段，准备阶段。第一扫描线SO由原来的高电平变为低电平，第二扫描线SI保持高电平，像本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种像素驱动电路，其特征在于，其包括有第一扫描线、第二扫描线及一数据线，该第一扫描线连接至一TFT管T3的栅极和一TFT管T4的栅极，该第二扫描线连接至一TFT管T5的栅极、一TFT管T2的栅极、一TFT管T6的栅极和一电容C2的一端；该数据线连接至该TFT管T2的源极；该TFT管T4的源极连接一基准电压线，该TFT管T6的漏极连接一VDD线，该VDD线连接一电容C1的一端，该电容C1的另一端连接至一TFT管T1的栅极、电容C2的另一端、TFT管T5的源极和TFT管T4的漏极；该TFT管T1的源极连接至TFT管T2的漏极和TFT管T6的源极，该TFT管T3的漏极连接至TFT管T1的漏极和TFT管T5的漏极，该TFT管T3的源极连接至一有机发光二极管的阳极，该有机发光二极管的阴极连接至负电压VSS。
【技术特征摘要】
1.一种像素驱动电路，其特征在于，其包括有第一扫描线、第二扫描线及一数据线，该第一扫描线连接至一 TFT管T3的栅极和一 TFT管T4的栅极，该第二扫描线连接至一 TFT管T5的栅极、一 TFT管T2的栅极、一 TFT管T6的栅极和一电容C2的一端；该数据线连接至该TFT管T2的源极；该TFT管T4的源极连接一基准电压线，该TFT管T6的漏极连接一VDD线，该VDD线连接一电容Cl的一端，该电容Cl的另一端连接至一 TFT管Tl的栅极、电容C2的另一端、TFT管T5的源极和TFT管T4的漏极；该TFT管Tl的源极连接至TFT管T2的漏极和TFT管T6的源极，该TFT管T3的漏极连接至TFT管Tl的漏极和TFT管T5的漏极，该TFT管T3的源极连接至一有机发光二极管的阳极，该有机发光二极管的阴极连接至负电压VSS。2.如权利要求I所述的像素驱动电路，其特征在于，所述TFT管T3和TFT管T6是N沟道薄膜场效应晶体管，所述TFT管Tl、TFT管T2、TFT管T4与TFT管T5均为P沟道薄膜场效应晶体管。3.如权利要求I所述的像素驱动电路，其特征在于，所述基准电压线的电压为负电压，该电压小于所述数据线的最小电压。4...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡思明，邱勇，黄秀颀，高孝裕，永井肇，
申请(专利权)人：昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司，
类型：发明
国别省市：
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