一种像素驱动电路制造技术

本发明专利技术公开了一种像素驱动电路，其包括有扫描线S0、扫描线S1及一数据线，该S0连接至TFT管T3的栅极和TFT管T4的栅极，S1连接至TFT管T5的栅极、TFT管T2的栅极、TFT管T6的栅极和电容C2的一端；数据线连接至该T2的源极；T4的源极连接基准电压线，T6的漏极连接VDD线，该VDD线连接电容C1的一端，C1的另一端连接至TFT管T1的栅极、C2的另一端、T5的源极和T4的漏极；T1的源极连接至T2的漏极和T6的源极，T3的漏极连接至T1的漏极和T5的漏极，T3的源极连接至OLED的阳极，OLED的阴极连接至负电压VSS。本发明专利技术可以使得屏体亮度均匀一致，并能实现屏体的窄边框。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术有关一种像素电路，特别是指一种能够使有源矩阵有机发光显示器(AMOLED, Active Matrix Organic Light Emitting Diode)亮度更加均勻的 AMOLED 像素驱动电路。
技术介绍
有机发光二极管(0LED )是主动发光器件，相比现在的主流平板显示技术薄膜场效应晶体管液晶显示器(TFT -IXD )，OLED具有对比度高，视角广，功耗低及体积更薄等优点，有望成为继LCD之后的下一代平板显示技术，是目前平板显示技术中受到关注最多的技术之一。对主动有机发光显示器(AMOLED)而言，图I为现有技术的像素电路示意图，图 2为现有技术像素电路的工作时序图，发光器件OLED的亮度是由驱动TFT (Thin FilmTransistor，薄膜场效应晶体管)产生的电流的大小来决定，以PTFT为例，OLED的驱动电流Ie由下式计算 Ie=(1/2)*u*Cox*(ff/L)* (Vsg+Vth)2(I) 其中，Vth是负值，u是载流子迁移率，Cox是单位面积电容，W/L是驱动TFT的宽长比，Vsg是驱动TFT的源极与栅极之间的电压差，Vth是驱动TFT的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素驱动电路，其特征在于，其包括有第一扫描线、第二扫描线及一数据线，该第一扫描线连接至一TFT管T3的栅极和一TFT管T4的栅极，该第二扫描线连接至一TFT管T5的栅极、一TFT管T2的栅极、一TFT管T6的栅极和一电容C2的一端；该数据线连接至该TFT管T2的源极；该TFT管T4的源极连接一基准电压线，该TFT管T6的漏极连接一VDD线，该VDD线连接一电容C1的一端，该电容C1的另一端连接至一TFT管T1的栅极、电容C2的另一端、TFT管T5的源极和TFT管T4的漏极；该TFT管T1的源极连接至TFT管T2的漏极和TFT管T6的源极，该TFT管T3的漏极连接至TFT管T1的漏极和TFT...

【技术特征摘要】
1.一种像素驱动电路，其特征在于，其包括有第一扫描线、第二扫描线及一数据线，该第一扫描线连接至一 TFT管T3的栅极和一 TFT管T4的栅极，该第二扫描线连接至一 TFT管T5的栅极、一 TFT管T2的栅极、一 TFT管T6的栅极和一电容C2的一端；该数据线连接至该TFT管T2的源极；该TFT管T4的源极连接一基准电压线，该TFT管T6的漏极连接一VDD线，该VDD线连接一电容Cl的一端，该电容Cl的另一端连接至一 TFT管Tl的栅极、电容C2的另一端、TFT管T5的源极和TFT管T4的漏极；该TFT管Tl的源极连接至TFT管T2的漏极和TFT管T6的源极，该TFT管T3的漏极连接至TFT管Tl的漏极和TFT管T5的漏极，该TFT管T3的源极连接至一有机发光二极管的阳极，该有机发光二极管的阴极连接至负电压VSS。2.如权利要求I所述的像素驱动电路，其特征在于，所述TFT管T3和TFT管T6是N沟道薄膜场效应晶体管，所述TFT管Tl、TFT管T2、TFT管T4与TFT管T5均为P沟道薄膜场效应晶体管。3.如权利要求I所述的像素驱动电路，其特征在于，所述基准电压线的电压为负电压，该电压小于所述数据线的最小电压。4...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡思明，邱勇，黄秀颀，高孝裕，永井肇，
申请(专利权)人：昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司，
类型：发明
国别省市：