一种含氟脂环二酐化合物及其制备方法与应用技术

技术编号:8267132 阅读:256 留言:0更新日期:2013-01-30 22:26
本发明专利技术公开了一种含氟脂环二酐化合物、制备方法及由其制备的聚酰亚胺液晶取向剂。该含氟脂环二酐化合物的结构式如式I所示。所述聚酰亚胺液晶取向剂的结构通式如式IV所示。制备方法如下:以含氟脂环二酐化合物以及芳香族二胺化合物为原料,通过两步化学酰亚胺法制备的。本发明专利技术提供的聚酰亚胺同时含有脂环成分以及芳香成分,对于提高该材料的耐热稳定性、光学透明性、在有机溶剂中的溶解性具有重要作用;此外还含有长侧链取代基,从而赋予其优异的液晶取向特性。由本发明专利技术提供的液晶取向剂制备的薄膜晶体管驱动液晶显示器(TFT-LCD)具有高电压保持率、低残余直流电压和可调的预倾角。(式I)(式IV)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种含氟脂环二酐化合物及其制备方法与应用
技术介绍
聚酰亚胺(polyimide, PI)由于具有优异的耐热稳定性、高尺寸稳定性、良好的耐化学稳定性以及对液晶分子良好的取向特性,因此成为工业上应用最为广泛的液晶取向膜材料。但是随着液晶显示器(LCD)从传统的扭曲向列型(TN-LCD)、超扭曲向列型(STN-LCD)发展到目前主流的薄膜晶体管驱动型(TFT-LCD)器件,对PI液晶取向膜材料的综合性能提出了越来越高的要求。例如TFT-LCD上使用的彩色滤光片得最高耐热温度一般低于230°C,因此要求使用的PI取向膜也要具有较低的固化温度(< 230°C )。传统的PI前躯体——聚酰胺酸(PAA)型取向剂的固化温度往往超过300°C,因此无法应用于TFT-IXD中。另一方面,为了实现高品质的显示效果(响应速度快、低残像等),TFT-LCD对器件的电压保持率·(VHR)以及残余直流电压(RDC)也提出了严格的要求。研究已经表明,PI取向膜的分子结构特性与TFT-LCD器件的VHR和RDC值密切相关。传统的PAA型取向剂由于具有较高的极性,因此由其制备的TFT-IXD本文档来自技高网...

【技术保护点】
式I所示的化合物:(式I)式I中,R1为?H或?CH3。FDA00002181594500011.jpg

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:杨士勇郭远征刘金刚倪洪江
申请(专利权)人:中国科学院化学研究所
类型:发明
国别省市:

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