【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种氧化钥纳米带的制备方法，尤其涉及一种用水热法制备多孔结构氧化钥纳米带的方法。
技术介绍
一维纳米MoO3的应用前景广阔，其合成方法主要包括薄膜法、水热法、溶胶凝胶法等。例如=Yubao Li等利用红外线照射金属钥粉分别在硅基板和钽基板上得到了单晶MoO3纳米带和纳米管；王中林等人在真空炉中将单质钥加热至1100°C，然后通入一定的氩气，在单晶硅片上得到了 MoO2纳米线阵列，该阵列在400°C通入氧气氛和氢气氛就可分别获得MoO3和Mo纳米线阵列，同时，研究对比了三种不同阵列的场发射性能。另外,Michael等人 在石墨晶面台阶上电沉积MoOx。纳米线，用氢气还原，再将其嵌入聚苯乙烯薄膜中移出石墨晶面即得直径20nm I μ m,长度500 μ m的钥纳米线。众所周知，纳米材料的性能往往与其是否具有高的比表面积具有很大的关系，具有多孔结构的氧化钥纳米带的比表面积有了很大的提高。然而，关于多孔结构的氧化钥纳米材料却没有报道。为此探索简单而低成本的一维多孔三氧化钥纳米材料的合成方法，研究其形成机理、分析其组成、结构及性能之间的相关性显得尤为重要。专...
【技术保护点】
一种水热法制备多孔结构氧化钼纳米带的方法，其特征是：第一步：将1.2359g浓度为1.0mmol的(NH4)6Mo7O24·7H2O溶解到45mL体积比浓度为67%的HNO3与H2O混合溶液中；第二步：将第一步所得溶液加入到高压反应釜中，在140？200℃下反应12？168小时后，得白色沉淀，分别用蒸馏水与无水乙醇清洗三次以后，60℃下真空干燥8小时，得到最终产物。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：高鹏，王龙强，陈国瑞，王莹，张果立，
申请(专利权)人：哈尔滨工程大学，
类型：发明
国别省市：
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