【技术实现步骤摘要】
201610390376
【技术保护点】
一种利用MPCVD制备碳化钼晶体时钼的引入方法,其特征在于包括如下步骤:第一步,首先将硅片进行超声波清洗,然后将清洗后的硅片放入基片台上,基片台位于腔体内,对腔体抽真空至真空度为0.1‑10Pa;第二步,向腔体通入氢气和甲烷,调节气体流量、微波功率和气压,使氢气和甲烷气体吸收微波能量产生等离子体;第三步,打开脉冲电源,调节腔体中钼电极和基片台之间的电压,使钼电极和基片台之间产生弧光放电,调节脉冲的时间控制弧光的产生时间;在硅片上引入了钼;第四步,待反应结束后,关闭脉冲电源,待腔体内腔室冷却后,取出样品,得到碳化钼晶体。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:马志斌,丁康俊,高攀,赵洪阳,宋修曦,
申请(专利权)人:武汉工程大学,
类型:发明
国别省市:湖北;42
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