TFT阵列基板及液晶显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开一种TFT阵列基板及液晶显示装置，涉及显示技术领域，以解决采用彩膜基板与阵列基板对盒的工艺过程中，稍有不慎就会导致液晶面板的不良，增加了不良产生的概率的问题，所述TFT阵列基板包括彩色滤光层，彩色滤光层形成在对应所述像素电极的区域，彩色滤光层包括三种基色的滤光层：第一滤光层、第二滤光层以及第三滤光层，每种基色的滤光层设置在钝化层与像素电极之间或者像素电极之上，所述第一滤光层、所述第二滤光层以及所述第三滤光层对应设置在三个相邻的子像素依次排列，所述三个相邻的子像素构成一个像素，每个子像素对应形成有一种基色的滤光层。本实用新型专利技术实施例主要应用于显示领域，尤其适用于液晶显示面板。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及显示
，尤其涉及一种薄膜晶体管(Thin FilmTransistor, TFT)阵列基板及液晶显示装置。
技术介绍
利用薄膜晶体管来产生电压以控制液晶转向的显示器，叫做薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,以下简称为 TFT-LCD)。TFT-LCD 包括液晶面板，液晶面板由彩膜基板以及阵列基板对盒而成，具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场占了主导地位。在实现本技术的过程中，专利技术人发现，现有技术中采用彩膜基板与阵列基板对盒的工艺，若在对盒的过程中，稍有不慎就会导致液晶面板的不良，增加了不良产生的概率。此外，对盒形成的液晶面板在外力的作用下，易于造成彩膜基板与阵列基板之间的错位，使得显示效果明显下降。
技术实现思路
本技术的实施例提供一种TFT阵列基板及液晶显示装置，解决了现有技术中采用彩膜基板与阵列基板对盒的工艺，若在对盒的过程中，稍有不慎就会导致液晶面板的不良，增加了不良产生的概率，以及，对盒形成的液晶面板在外力的作用下，易于造成彩膜基板与阵列基板之间的错位，使得显示效果明显下降的问题。为达到上述目的，本技术的实施例采用如下技术方案一方面，一种TFT阵列基板，包括基板，以及在基板上形成的多条栅线、多条数据线、多个像素电极、多个薄膜晶体管TFT以及位于所述像素电极下方的钝化层，所述TFT的栅极与所述栅线相连、所述TFT的源极与所述数据线相连、所述TFT的漏极与所述像素电极相连，所述像素电极与所述TFT形成一个子像素，还包括彩色滤光层，所述彩色滤光层形成在对应所述像素电极的区域，所述彩色滤光层包括三种基色的滤光层第一滤光层、第二滤光层以及第三滤光层，每种基色的滤光层设置在所述钝化层与所述像素电极之间或者所述像素电极之上；所述第一滤光层、所述第二滤光层以及所述第三滤光层对应设置在三个相邻的子像素依次排列，所述三个相邻的子像素构成一个像素，每个子像素对应形成有一种基色的滤光层。具体的，所述彩色滤光层中至少一种基色的滤光层设置在所述钝化层与所述像素电极之间，所述彩色滤光层中除所述至少一种基色的滤光层之外的其他基色的滤光层设置在所述像素电极之上。可选的，所述彩色滤光层的三种基色的滤光层均设置在所述像素电极之上。进一步，具体的，所述第一滤光层和所述第二滤光层设置在所述钝化层与所述像素电极之间，所述第三滤光层设置在所述像素电极之上。可选的，所述第一滤光层设置在所述钝化层与所述像素电极之间，所述第二滤光层和所述第三滤光层设置在所述像素电极之上。可选的，所述彩色滤光层的三种基色的滤光层均设置在所述钝化层与所述像素电极之间。进一步的，为了降低源极、漏极与有源层之间的接触电阻，所述TFT的源极和漏极的下方均设有欧姆接触层。进一步的，为了防止漏光，所述数据线的两侧设置有遮光条。另一方面，本技术实施例还提供一种液晶显示装置，其特征在于，包括上述的TFT阵列基板。本技术的实施例提供的TFT阵列基板及液晶显示装置，将彩膜结构以彩色滤光层的形式置于TFT阵列基板的内部，与TFT阵列基板合为一体，有效改善了由对盒产生的不良，提高了液晶面板的显示质量，解决了现有技术中采用彩膜基板与阵列基板对盒的工 艺，若在对盒的过程中，稍有不慎就会导致液晶面板的不良，增加了不良产生的概率，以及，对盒形成的液晶面板在外力的作用下，易于造成彩膜基板与阵列基板之间的错位，使得显示效果明显下降的问题。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图I为本技术实施例提供的TFT阵列基板的俯视图；图2(a)为图I中A-A’的剖面图一；图2(b)为图I中A-A’的剖面图二 ；图2(c)为图I中A-A’的剖面图三；图2(d)为图I中A-A’的剖面图四；图3为本技术实施例提供的TFT阵列基板的制造方法流程图一；图4为图3所示的TFT阵列基板的制造方法中步骤301的流程图；图3011 (a)为图4提供的TFT阵列基板的制造方法中步骤3011完成后基板的结构示意图；图3011(b)为图 3011(a)中 A-A’ 的剖面图；图3012(a)为图4提供的TFT阵列基板的制造方法中步骤3012完成过程中的构示意图一；图3012 (b)为在图3012 (a)基础上执行图3提供的TFT阵列基板的制造方法中步骤3012完成过程中的构示意图二 ；图3012(c)为图4提供的TFT阵列基板的制造方法中步骤3012完成后基板的结构示意图；图3013(a)为图4提供的TFT阵列基板的制造方法中步骤3013完成过程中的构示意图一；图3013 (b)为在图303 (a)基础上执行图4提供的TFT阵列基板的制造方法中步骤3013完成过程中的构示意图二 ；图3013(c)为图4提供的TFT阵列基板的制造方法中步骤3013完成后基板的结构示意图；图302为图3提供的TFT阵列基板的制造方法中步骤302完成后基板的结构示意图；图303为图3提供的TFT阵列基板的制造方法中步骤303完成后基板的结构示意图； 图304为图3提供的TFT阵列基板的制造方法中步骤304完成后基板的结构示意图；图5为本技术实施例提供的TFT阵列基板的制造方法流程图二 ；图6为本技术实施例提供的TFT阵列基板的制造方法流程图三；图7为本技术实施例提供的TFT阵列基板的制造方法流程图四。图中标记1_基板；2_栅线；3_数据线；4_栅极；5_源极；6_漏极；8_栅极绝缘层；9_有源层；10、欧姆接触层；11_钝化层；12_像素电极；13_半导体层；14_第一树脂层；15-沟道；16_钝化层接触孔；17_遮挡条；18-第一滤光层；19-第二滤光层；20_第三滤光层。具体实施方式本技术实施例提供一种阵列基板的结构及制造方法，解决了现有技术中采用彩膜基板与阵列基板对盒的工艺，若在对盒的过程中，稍有不慎就会导致液晶面板的不良，增加了不良产生的概率，以及，对盒形成的液晶面板在外力的作用下，易于造成彩膜基板与阵列基板之间的错位，使得显示效果明显下降的问题。实施例一如图I和图2 (a) _2 (d)所示，本技术实施例提供的TFT阵列基板，包括基板1，以及在基板上形成的栅线2、数据线3、与栅线2相连的栅极4、源极5、漏极6、栅极绝缘层8、有源层9、钝化层11以及像素电极12，其中相互垂直的栅线2与数据线3定义了子像素区域，由栅极4、源极5、漏极6、栅极绝缘层8以及有源层9构成TFT，该TFT的栅极4与栅线2相连、该TFT的源极5与数据线3相连、该TFT的漏极6与像素电极12相连，TFT与像素电极12形成在子像素区域当中，TFT与像素电极12形成一个子像素；栅线2负责向TFT提供开启或关闭信号，而数据线3对像素电极12提供数据信号。本实施例提供的TFT阵列基板还包括彩色滤光层，该彩色滤光层形成在对应所述像素电极12的区域中，所述彩色滤光层包括三种基色的滤本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种TFT阵列基板，包括基板，以及在基板上形成的多条栅线、多条数据线、多个像素电极、多个薄膜晶体管TFT以及位于所述像素电极下方的钝化层，所述TFT的栅极与所述栅线相连、所述TFT的源极与所述数据线相连、所述TFT的漏极与所述像素电极相连，所述像素电极与所述TFT形成一个子像素，其特征在于，还包括：彩色滤光层，所述彩色滤光层形成在对应所述像素电极的区域，所述彩色滤光层包括三种基色的滤光层：第一滤光层、第二滤光层以及第三滤光层，每种基色的滤光层设置在所述钝化层与所述像素电极之间或者所述像素电极之上；所述第一滤光层、所述第二滤光层以及所述第三滤光层对应设置在三个相邻的子像素依次排列，所述三个相邻的子像素构成一个像素，每个子像素对应形成有一种基色的滤光层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孔祥春，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：