高导磁率的微晶材料制造技术

本发明专利技术涉及一种高导磁率的微晶材料，包括铁、铌、铜、硅四种元素，其中铁元素所占的质量百分比为82.44±0.05％、铌元素所占的质量百分比为7.51±0.03％、铜元素所占的质量百分比为1.67±0.02％、硅元素所占的质量百分比为8.38±0.1％，其导磁率为150000亨利/米，最大导磁率为420000亨利/米，其导磁率与最大导磁率较之前都得到了增加。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种高导磁率的微晶材料。
技术介绍
微晶材料又称玻璃陶瓷。它是由某些特定配方组成的各种硅酸盐原料，通过特定的温度制度或(和)光照(称光敏)处理受控微晶化而形成的具有特定优异性能的微晶相和残余硅酸盐相组成的多相固体材料。目前，市场上有一种具有导磁率的微晶材料，该微晶材料包括铁、铌、铜、硅、硼五种元素，其中铁元素所占的质量百分比为83. 38%、铌元素所占的质量百分比为5. 66%、铜元素所占的质量百分比为I. 29%、硅元素所占的质量百分比为7. 7%、硼元素所占的质量百分 比为I. 97%，这种微晶材料的导磁率为100000亨利/米，最大导磁率为300000亨利/米。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种导磁率与最大导磁率都更大的高导磁率的微晶材料。为解决上述问题，本专利技术采用的技术方案是高导磁率的微晶材料，包括铁、铌、铜、硅四种元素，其中铁元素所占的质量百分比为82. 44±0. 05%、铌元素所占的质量百分比为7. 51 ±O. 03%、铜元素所占的质量百分比为I. 67±O. 02%、娃元素所占的质量百分比为 8. 38±0· 1%ο本专利技术的有本文档来自技高网...

【技术保护点】
高导磁率的微晶材料，其特征在于：所述高导磁率的微晶材料，包括铁、铌、铜、硅四种元素，其中铁元素所占的质量百分比为82.44±0.05％、铌元素所占的质量百分比为7.51±0.03％、铜元素所占的质量百分比为1.67±0.02％、硅元素所占的质量百分比为8.38±0.1％。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：朱正才，
申请(专利权)人：张家港市清大星源微晶有限公司，
类型：发明
国别省市：