微晶材料制造技术

本发明专利技术涉及一种微晶材料，包括铁、铌、铜、硅四种元素，其中铁元素所占的质量百分比为82.34±0.05％、铌元素所占的质量百分比为6.77±0.03％、铜元素所占的质量百分比为1.49±0.02％、硅元素所占的质量百分比为9.4±0.1％，其导磁率为155000亨利/米，最大导磁率为422000亨利/米，其导磁率与最大导磁率较之前都得到了增加。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种微晶材料。
技术介绍
微晶材料又称玻璃陶瓷。它是由某些特定配方组成的各种硅酸盐原料，通过特定的温度制度或(和)光照(称光敏)处理受控微晶化而形成的具有特定优异性能的微晶相和残余硅酸盐相组成的多相固体材料。目前，市场上有一种具有导磁率的微晶材料，该微晶材料包括铁、铌、铜、硅、硼五种元素，其中铁元素所占的质量百分比为83. 38%、铌元素所占的质量百分比为5. 66%、铜元素所占的质量百分比为I. 29%、硅元素所占的质量百分比为7. 7%、硼元素所占的质量百分比为I. 97%，这种微晶材料的导磁率为100000亨利/米，最大导磁率为300000亨利/ 米。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种导磁率与最大导磁率都更大的微晶材料。为解决上述问题，本专利技术采用的技术方案是微晶材料，包括铁、铌、铜、硅四种元素，其中铁元素所占的质量百分比为82. 34±0. 05%、铌元素所占的质量百分比为6. 77±O. 03 %、铜元素所占的质量百分比为I. 49±O. 02 %、娃元素所占的质量百分比为9.4±0· 1%。本专利技术的有益效果是上述微晶材料,其导磁率为155000亨利/米，最大导磁率为422000亨利/米，其导磁率与最大导磁率较之前都得到了增加。具体实施例方式下面通过具体实施例对本专利技术微晶材料进一步描述。实施例一微晶材料，采用的配料包括铁、铌、铜、硅四种元素，其中铁元素所占的质量百分比为82. 39%、银元素所占的质量百分比为6. 75%、铜元素所占的质量百分比为I. 47%、娃元素所占的质量百分比为9. 39%。实施例二 微晶材料，包括铁、铌、铜、硅四种元素，其中铁元素所占的质量百分比为82. 29%,铌元素所占的质量百分比为6. 79%、铜元素所占的质量百分比为I. 51%、硅元素所占的质量百分比为9. 41 % ο实施例三微晶材料，包括铁、铌、铜、硅四种元素，其中铁元素所占的质量百分比为82. 37%,铌元素所占的质量百分比为6. 75%、铜元素所占的质量百分比为I. 49%、硅元素所占的质量百分比为9. 39%。·权利要求1.微晶材料，其特征在于所述微晶材料，包括铁、铌、铜、硅四种元素，其中铁元素所占的质量百分比为82. 34±0. 05%、铌元素所占的质量百分比为6. 77±0. 03%、铜元素所占的质量百分比为I. 49±0. 02%、娃兀素所占的质量百分比为9. 4±0. I %。全文摘要本专利技术涉及一种微晶材料，包括铁、铌、铜、硅四种元素，其中铁元素所占的质量百分比为82.34±0.05％、铌元素所占的质量百分比为6.77±0.03％、铜元素所占的质量百分比为1.49±0.02％、硅元素所占的质量百分比为9.4±0.1％，其导磁率为155000亨利/米，最大导磁率为422000亨利/米，其导磁率与最大导磁率较之前都得到了增加。文档编号H01F1/047GK102912257SQ20121039878公开日2013年2月6日 申请日期2012年10月19日 优先权日2012年10月19日专利技术者朱正才 申请人:张家港市清大星源微晶有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
微晶材料，其特征在于：所述微晶材料，包括铁、铌、铜、硅四种元素，其中铁元素所占的质量百分比为82.34±0.05％、铌元素所占的质量百分比为6.77±0.03％、铜元素所占的质量百分比为1.49±0.02％、硅元素所占的质量百分比为9.4±0.1％。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：朱正才，
申请(专利权)人：张家港市清大星源微晶有限公司，
类型：发明
国别省市：