本实用新型涉及一种非晶制带机中的输料装置，包括机架，机架上固定有喷包，所述喷包的顶部设置有顶管，喷包的正上方设置有可上下移动的坩埚，坩埚的顶部开口处设置有密封盖，密封盖中设置有加气管，坩埚的底部开口处设置有密封法兰，密封法兰的法兰孔中设...

本实用新型公开了一种非晶制带机中的喷嘴调整装置，包括固定架和活动设置在固定架中的活动架，固定架的两侧分别设置有中部万向节，两个中部万向节中分别设置有中部轴，中部轴水平横向设置，并且两个中部轴的端部分别与活动架两侧的中间部位相固定，固定架...

本发明涉及一种制造非晶带的输料方法，包括如下步骤：在喷包的顶部设置一个顶管，并且在坩埚的底部相应位置设置一块可以由顶管顶破的挡板，将钢材放入坩埚中融化后，将坩埚向下移动一定距离，从而使顶管顶破挡板，使得坩埚中的钢水流入喷包中，实现输料。...

本发明涉及一种具有导磁率的微晶材料，包括铁、铌、铜、硅、硼五种元素，其中铁元素所占的质量百分比为82.12±0.05％、铌元素所占的质量百分比为5.81±0.03％、铜元素所占的质量百分比为1.29±0.02％、硅元素所占的质量百分比为...

本发明涉及一种超微晶材料，包括铁、铌、铜、硅、硼、镍六种元素，其中铁元素所占的质量百分比为81.12±0.05％、铌元素所占的质量百分比为6.06±0.03％、铜元素所占的质量百分比为1.34±0.02％、硅元素所占的质量百分比为8.3...

本发明涉及一种微晶材料，包括铁、铌、铜、硅四种元素，其中铁元素所占的质量百分比为82.34±0.05％、铌元素所占的质量百分比为6.77±0.03％、铜元素所占的质量百分比为1.49±0.02％、硅元素所占的质量百分比为9.4±0.1％...

本发明涉及一种高导磁率的超微晶材料，包括铁、铌、铜、硅、硼、镍六种元素，其中铁元素所占的质量百分比为82.71±0.05％、铌元素所占的质量百分比为5.7±0.03％、铜元素所占的质量百分比为1.29±0.02％、硅元素所占的质量百分比...

本发明涉及一种非晶制带机中的输料装置，包括机架，机架上固定有喷包，所述喷包的顶部设置有顶管，喷包的正上方设置有可上下移动的坩埚，坩埚的顶部开口处设置有密封盖，密封盖中设置有加气管，坩埚的底部开口处设置有密封法兰，密封法兰的法兰孔中设置有...

本发明涉及一种高导磁率的微晶材料，包括铁、铌、铜、硅、硼五种元素，其中铁元素所占的质量百分比为82.23±0.05％、铌元素所占的质量百分比为5.34±0.03％、铜元素所占的质量百分比为2.12±0.02％、硅元素所占的质量百分比为8...

本发明涉及一种微晶材料，包括铁、铌、铜、硅、硼五种元素，其中铁元素所占的质量百分比为83.31±0.05％、铌元素所占的质量百分比为5.69±0.03％、铜元素所占的质量百分比为1.29±0.02％、硅元素所占的质量百分比为7.9±0....

本发明涉及一种高导磁率的微晶材料，包括铁、铌、铜、硅四种元素，其中铁元素所占的质量百分比为82.44±0.05％、铌元素所占的质量百分比为7.51±0.03％、铜元素所占的质量百分比为1.67±0.02％、硅元素所占的质量百分比为8.3...

本发明涉及一种超微晶材料，包括铁、铌、铜、硅、硼、镍六种元素，其中铁元素所占的质量百分比为82.98±0.05％、铌元素所占的质量百分比为6.08±0.03％、铜元素所占的质量百分比为1.29±0.02％、硅元素所占的质量百分比为6.7...

本发明公开了一种非晶制带机中的喷嘴调整装置，包括固定架和活动设置在固定架中的活动架，固定架的两侧分别设置有中部万向节，两个中部万向节中分别设置有中部轴，中部轴水平横向设置，并且两个中部轴的端部分别与活动架两侧的中间部位相固定，固定架两侧...