一种石墨烯的制备方法技术

技术编号:8209941 阅读:183 留言:0更新日期:2013-01-17 01:58
本发明专利技术提供一种石墨烯的制备方法,在氢气和惰性气氛下将半导体基底加热至810~910℃,保持该温度不变且通入碳源,采用化学气相沉积的方法在所述半导体基底表面进行反应,反应完毕后关闭碳源,并在氢气和惰性气氛下冷却至室温,完成在所述半导体基底表面制备石墨烯。相较于采用化学气相沉积在传统基底表面生长石墨烯而言,本发明专利技术直接在半导体材料表面合成制备石墨烯,简化了石墨烯制备工艺;同时,通过调节反应参数,可制备大尺寸、层数可控且无缺陷高质量石墨烯薄膜;另外,本发明专利技术与半导体工业相兼容,将能更快地推动石墨烯在半导体工业界的广泛应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体领域,涉及,特别涉及一种采用化学气相沉积制备石墨烯的方法。
技术介绍
石墨烯,即石墨的单原子层,是碳原子按照SP2成键形成的以蜂窝状排列的二维结构。2004年英国曼彻斯特大学的两位科学家使用微机械剥离的方法发现了石墨烯,并于2010年获得了诺贝尔物理学奖。自从石墨烯被发现以后,由于其在机械、电学、光学和化学都具有优异的性能,例如很高的电子迁移率、室温下表现出长程弹道输运性质、带隙可以调控等,使其拥有巨大的 应用前景,从而学术界、工业界对其备受瞩目,引发了物理和材料科学等领域的研究热潮。石墨烯良好的电导性能和透光性能,使它在透明电导电极方面有非常好的应用前景,有望广泛用于基于石墨烯的触摸屏、液晶显示、有机光伏电池、有机发光二极管等领域。石墨烯独特的二维结构使它在传感器领域具有光明的应用前景,例如,基于大面积、层数可控的石墨烯薄膜的基础上的气体探测器,其巨大的表面积使它对周围的环境非常敏感,即使是一个气体分子吸附或释放都可以检测到。但是,可控合成具有特定形貌的石墨烯材料问题仍旧没有得到解决。基于此,石墨烯的研究仍停留在基础研究领域,距离大规模的应用仍有一段距离。目前本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种石墨烯的制备方法,其特征在于,所述制备方法至少包括:1)提供一半导体基底;2)在氢气和惰性气氛下,将所述半导体基底加热至810~910℃;3)保持步骤2)中温度不变,在氢气和惰性气氛下向步骤2)的反应体系中通入碳源,采用化学气相沉积的方法在所述步骤2)处理完毕的半导体基底表面进行反应;4)反应完毕后关闭所述碳源,并在氢气和惰性气氛下冷却至室温,完成在所述半导体基底表面制备石墨烯。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:狄增峰王刚朱云陈达张苗丁古巧谢晓明
申请(专利权)人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1