一种在晶体硅形成过程中控制电阻率的装置制造方法及图纸

一种在晶体硅形成过程中控制电阻率的装置，其包括炉体及掺杂补偿单元，该炉体包括上炉体与下炉体，该掺杂补偿单元设置于上炉体上，并包括承载掺杂补偿剂的承载件和驱动所述承载件前进或者后退的驱动件。其中，承载件连接于驱动件上，驱动件设置于上炉体上。该在晶体硅形成过程中控制电阻率的装置可将制备的90％的晶体硅硅锭的电阻率控制在1.0～3.0Ω·cm的范围内，有利于提高硅料的利用率，从而降低生产成本。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

一种在晶体硅形成过程中控制电阻率的装置
本技术涉及太阳能光伏材料制备领域，特别是涉及一种在晶体硅形成过程中控制电阻率的装置。
技术介绍
太阳能光伏发电是目前发展最快的可持续能源利用的形式之一，晶体硅太阳单晶硅或多晶硅电池是光伏发电的主流产品，生产电池的硅片是从单晶硅锭或多晶硅锭切片获得，所以硅片要求的电学性能必须在铸锭的生产过程中完成。对于晶体硅太阳能电池而言，其光电转换效率与硅片的电阻率有关。目前，晶体硅材料的电阻率一般控制在I 3Ω . Cm的范围内。如果电阻率过高(> 3Ω · cm) ，将会引起电池的串联电阻增加，其短路电流将减小，因而电池的光电转换效率会降低；如果电阻率太低(<1Ω ·_)，俄歇复合效应同样会降低少子的有效寿命，也会导致电池光电转换效率降低。对于N型晶体硅和其它P型晶体硅而言，其内的掺杂剂的分凝系数都比较小，例如，磷的分凝系数为O. 35，砷的分凝系数为O. 30，锑的分凝系数为O. 023，镓的分凝系数为O. 08，较小的分凝系数意味着偏析较为严重，所以在硅晶体生长完成后，电阻率沿晶体生长方向变化很大。例如，对于掺磷或掺砷的N型硅晶体，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在晶体硅形成过程中控制电阻率的装置，包括：炉体，其包括上炉体与下炉体，掺杂补偿单元，设置于所述上炉体上，所述掺杂补偿单元包括承载掺杂补偿剂的承载件和驱动所述承载件前进或者后退的驱动件，所述承载件连接于所述驱动件上，所述驱动件设置于所述上炉体。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：武鹏，胡亚兰，郑玉芹，徐岩，
申请(专利权)人：江苏协鑫硅材料科技发展有限公司，
类型：实用新型
国别省市：