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一种在晶体硅形成过程中控制电阻率的装置，其包括炉体及掺杂补偿单元，该炉体包括上炉体与下炉体，该掺杂补偿单元设置于上炉体上，并包括承载掺杂补偿剂的承载件和驱动所述承载件前进或者后退的驱动件。其中，承载件连接于驱动件上，驱动件设置于上炉体上。该...
该专利属于江苏协鑫硅材料科技发展有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏协鑫硅材料科技发展有限公司授权不得商用。

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