结晶装置、结晶方法以及热处理系统制造方法及图纸

一种结晶装置，包括：接纳单元，支承待处理对象；第一加热单元，邻近于所述接纳单元，所述第一加热单元配置为在第一时间段中将所述待处理对象加热至第一温度；以及第二加热单元，邻近于所述第一加热单元，所述第二加热单元配置为在第二时间段中将所述待处理对象加热至比所述第一温度高的第二温度，所述第二时间段比所述第一时间段短。

【技术实现步骤摘要】
结晶装置、结晶方法以及热处理系统
实施方式涉及结晶装置、结晶方法以及热处理系统。
技术介绍
结晶装置是用于将非晶形的待处理对象（例如非晶硅）转换为结晶对象（例如多晶硅）的装置。常规的结晶装置利用激光或热使待处理对象结晶。利用热的结晶装置包括利用电阻产生热量的热线（hotwire）。结晶装置通过利用热线将待处理对象加热到预定温度，以进行待处理对象的结晶。如果结晶装置仅包括热线，那么热处理的温度曲线包括温度升高时间段、温度保持时间段以及温度降低时间段。因此，待处理对象的结晶效率不能显著地改善。以上在
技术介绍
部分中公开的信息仅用于加强对所描述技术的背景的理解，因此其可包含没有形成该国本领域技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
一个或多个实施方式可提供一种结晶装置，包括：接纳单元，支承待处理对象；第一加热单元，邻近于所述接纳单元，所述第一加热单元配置为在第一时间段中将所述待处理对象加热至第一温度；以及第二加热单元，邻近于所述第一加热单元，所述第二加热单元配置为在第二时间段中将所述待处理对象加热至比所述第一温度高的第二温度，所述第二时间段比所述第一时间段短。所述第一加热单元可包括多个第一加热单元，所述第二加热单元可包括多个第二加热单元。所述多个第一加热单元和所述多个第二加热单元可交替地设置。所述第一加热单元可以是加热线，所述加热线配置为利用电阻产生热量，以及所述第二加热单元可被配置为利用灯产生热量。所述灯可包括红外线灯、紫外线灯以及弧光灯中的一种。所述接纳单元、所述第一加热单元以及所述第二加热单元可设置在腔室中。所述第一温度可在100°C到750°C的范围内。一个或多个实施方式可提供一种热处理系统，包括：装载单元，用于将支承待处理对象的接纳单元装载于其上；多个热处理装置，连接在一起并且排列为在与所述接纳单元被转移的方向对应的方向上延伸，以用于进行热处理；以及如上所述的结晶装置，所述结晶装置设置在所述多个热处理装置中的相邻的热处理装置之间。一个或多个实施方式可提供一种结晶方法，包括：在第一时间段中，在第一温度处加热待处理对象；以及在第二时间段中，在比所述第一温度高的第二温度处加热所述待处理对象，所述第二时间段比所述第一时间段短，并且所述第二时间段包含在所述第一时间段中。所述第一时间段可包括：温度升高时间段，在所述温度升高时间段中，所述待处理对象的温度升高至所述第一温度，温度保持时间段，在所述温度保持时间段中，所述待处理对象的温度被保持在所述第一温度，以及温度降低时间段，在所述温度降低时间段中，所述待处理对象的温度从所述第一温度降低，并且所述第二时间段可处于所述温度保持时间段和所述温度降低时间段中的至少一个时间段内。根据本专利技术的上述示例性实施方式中的一个实施方式，提供了使待处理对象的结晶效率得到提高的结晶装置、结晶方法以及热处理系统。附图说明图1示出了根据第一示例性实施方式的结晶装置的示意图；图2示出了图1中所示的热处理器的示意图；图3示出了根据第二示例性实施方式的结晶方法的流程图；图4示出了在根据第二示例性实施方式的结晶方法中的热处理的温度曲线的视图；图5A示出了根据第三示例性实施方式的热处理系统的示意图；图5B示出了在第三示例性实施方式的热处理系统所使用的结晶方法中的热处理的温度曲线的视图。具体实施方式将在下文中参照附图更全面地描述示例性实施方式。本领域技术人员应该理解，所描述的实施方式可以以各种不同的方式修改，所有的修改都不偏离本专利技术的精神或范围。没有涉及实施方式的部分的描述被省略，并且在整个说明书中相同的参考标号指示相同的元件。此外，对于第一实施方式之外的实施方式，将仅描述与第一实施方式中的那些元件不同的元件。在附图中，为了更好地理解并易于描述，近似地示出了每个元件的尺寸和厚度。因此，尺寸和厚度不受附图的限制。在附图中，为了清晰起见，层、膜、板、区等的厚度均被夸大。此外，在附图中，为了更好地理解并易于描述，一些层和区域的厚度被夸大。应该理解，当例如层、膜、区或衬底的元件被称为“在”另一元件“上”时，其能够直接在另一元件上或者还可存在插入的元件。另外，除非清楚地相反描述，词语“包括（comprise）”及其变化，例如“包括（comprises）”或“包括（comprising）”被理解为简化包含所指的元件，但不排除任何其他元件。此外，在整个说明书中，“在…上（on）”是指设置在目标元件之上或之下，而不是指必须在基于重力方向的顶部。接下来，参见图1和图2，将描述根据第一示例性实施方式的结晶装置。图1示出了根据第一示例性实施方式的结晶装置的示意图。图2示出了图1中所示的热处理器的示意图。如图1所示，根据第一示例性实施方式的结晶装置100可包括腔室110、接纳单元120以及热处理器130。腔室110可保持真空状态，并且可将用于结晶的待处理对象5送入腔室110中或在腔室110中卸载。待处理对象5可以是衬底，例如，具有非晶硅层的衬底。在腔室110内可设置接纳单元120，接纳单元120可提供用于接纳待处理对象5的支承。接纳单元120可包括转移机构（例如辊），或者与转移机构连接。接纳单元120可以与待处理对象5一起从腔室110卸载或者移出，并且接纳单元120可转移到相邻的热处理装置。接纳单元120可将待处理对象5置于热处理器附近，以加热待处理对象5。热处理器130可面对置于接纳单元120上的待处理对象5。在热处理器130与接纳单元120之间可设有预定空间。热处理器130可用于加热待处理对象5。热处理器130可包括第一加热单元131和第二加热单元132。待处理对象5可以在第一时间段中被加热至第一温度。以下将更详细地描述第一时间段。第一温度可以是能够使待处理对象5结晶的任何适当的温度。例如，当待处理对象5包括待利用金属催化剂结晶成多晶硅的非晶硅时，第一温度可以为100°C到750°C，例如，750°C。然而，第一温度不限于本文中具体列举的温度。第一加热单元131可以是通过利用电阻产生热量的加热线。第一加热单元131可以在第一温度处连续地加热待处理对象5。第一加热单元131可以连接到控制器140。控制器140可以调节第一加热单元131在第一时间段中、在第一温度处对待处理对象5进行的加热。如图所示，控制器140可以位于腔室内，或者热处理器130可以电连接到腔室110外部的控制器140。第二加热单元132可以设置在第一加热单元131附近。待处理对象5可以在第二时间段中在第二温度处被加热。第二时间段可以比第一时间段短。第二时间段可以与第一时间段同时出现。以下将更详细地描述第二时间段。第二温度可以是高于第一温度的任何适当的温度。第二加热单元132可以利用灯进行加热，例如，红外线灯、紫外线（UV）灯或者弧光灯。第二加热单元132可以提供将待处理对象5加热至第二温度的瞬时热量。第二加热单元132可以连接到控制器。控制器140可以调节第二加热单元132在第二时间段中将待处理对象5加热至第二温度的加热。热处理器130可包括可交替地设置的多个第一加热单元131和多个第二加热单元132。通过交替地设置多个第一加热单元131和多个第二加热单元132，待处理对象5可以在腔室110内的有限空间中被加热至第一温度和第二温度。因此，无需移动本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种结晶装置，包括：接纳单元，支承待处理对象；第一加热单元，邻近于所述接纳单元，所述第一加热单元配置为在第一时间段中将所述待处理对象加热至第一温度；以及第二加热单元，邻近于所述第一加热单元，所述第二加热单元配置为在第二时间段中将所述待处理对象加热至比所述第一温度高的第二温度，所述第二时间段比所述第一时间段短。

【技术特征摘要】
2011.06.23 KR 10-2011-00613331.一种结晶装置，包括：接纳单元，支承待处理对象；第一加热单元，邻近于所述接纳单元，所述第一加热单元配置为在第一时间段中将所述待处理对象加热至第一温度；以及第二加热单元，邻近于所述第一加热单元，所述第二加热单元配置为在第二时间段中与所述第一加热单元一起将所述待处理对象加热至比所述第一温度高的第二温度，所述第二时间段比所述第一时间段短，并且所述第二时间段包含在所述第一时间段中。2.如权利要求1所述的结晶装置，其中所述第一加热单元为多个第一加热单元，所述第二加热单元为多个第二加热单元，并且所述多个第一加热单元和所述多个第二加热单元交替地设置。3.如权利要求1所述的结晶装置，其中所述第一加热单元是加热线，所述加热线配置为利用电阻产生热量，并且所述第二加热单元被配置为利用灯产生热量。4.如权利要求3所述的结晶装置，其中所述灯包括红外线灯、紫外线灯以及弧光灯中的一种。5.如权利要求1所述的结晶装置，其中所述接纳单元、所述第一加热单元以及所述第二加热单元设置在腔室中。6.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑珉在，李基龙，郑胤谟，李东炫，李吉远，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：