结晶装置、结晶方法以及热处理系统制造方法及图纸

一种结晶装置，包括：接纳单元，支承待处理对象；第一加热单元，邻近于所述接纳单元，所述第一加热单元配置为在第一时间段中将所述待处理对象加热至第一温度；以及第二加热单元，邻近于所述第一加热单元，所述第二加热单元配置为在第二时间段中将所述待处理对象加热至比所述第一温度高的第二温度，所述第二时间段比所述第一时间段短。

【技术实现步骤摘要】
结晶装置、结晶方法以及热处理系统
实施方式涉及结晶装置、结晶方法以及热处理系统。
技术介绍
结晶装置是用于将非晶形的待处理对象（例如非晶硅）转换为结晶对象（例如多晶硅）的装置。常规的结晶装置利用激光或热使待处理对象结晶。利用热的结晶装置包括利用电阻产生热量的热线（hotwire）。结晶装置通过利用热线将待处理对象加热到预定温度，以进行待处理对象的结晶。如果结晶装置仅包括热线，那么热处理的温度曲线包括温度升高时间段、温度保持时间段以及温度降低时间段。因此，待处理对象的结晶效率不能显著地改善。以上在
技术介绍
部分中公开的信息仅用于加强对所描述技术的背景的理解，因此其可包含没有形成该国本领域技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
一个或多个实施方式可提供一种结晶装置，包括：接纳单元，支承待处理对象；第一加热单元，邻近于所述接纳单元，所述第一加热单元配置为在第一时间段中将所述待处理对象加热至第一温度；以及第二加热单元，邻近于所述第一加热单元，所述第二加热单元配置为在第二时间段中将所述待处理对象加热至比所述第一温度高的第二温度，所述第二时间段比所述第一时间段短。所述第一加热单元可包括多个第一加本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种结晶装置，包括：接纳单元，支承待处理对象；第一加热单元，邻近于所述接纳单元，所述第一加热单元配置为在第一时间段中将所述待处理对象加热至第一温度；以及第二加热单元，邻近于所述第一加热单元，所述第二加热单元配置为在第二时间段中将所述待处理对象加热至比所述第一温度高的第二温度，所述第二时间段比所述第一时间段短。

【技术特征摘要】
2011.06.23 KR 10-2011-00613331.一种结晶装置，包括：接纳单元，支承待处理对象；第一加热单元，邻近于所述接纳单元，所述第一加热单元配置为在第一时间段中将所述待处理对象加热至第一温度；以及第二加热单元，邻近于所述第一加热单元，所述第二加热单元配置为在第二时间段中与所述第一加热单元一起将所述待处理对象加热至比所述第一温度高的第二温度，所述第二时间段比所述第一时间段短，并且所述第二时间段包含在所述第一时间段中。2.如权利要求1所述的结晶装置，其中所述第一加热单元为多个第一加热单元，所述第二加热单元为多个第二加热单元，并且所述多个第一加热单元和所述多个第二加热单元交替地设置。3.如权利要求1所述的结晶装置，其中所述第一加热单元是加热线，所述加热线配置为利用电阻产生热量，并且所述第二加热单元被配置为利用灯产生热量。4.如权利要求3所述的结晶装置，其中所述灯包括红外线灯、紫外线灯以及弧光灯中的一种。5.如权利要求1所述的结晶装置，其中所述接纳单元、所述第一加热单元以及所述第二加热单元设置在腔室中。6.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑珉在，李基龙，郑胤谟，李东炫，李吉远，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：