离子束流信号放大器及其制造方法技术

技术编号:8191813 阅读:152 留言:0更新日期:2013-01-10 02:33
本发明专利技术提供一种离子束流信号放大器,包括一支撑衬底及覆盖于支撑衬底表面的二维晶体薄膜覆盖层,在沿垂直支撑衬底与二维晶体薄膜覆盖层接触面的方向,具有一纳米孔道,纳米孔道贯穿支撑衬底及二维晶体薄膜覆盖层,纳米孔道允许离子通过。本发明专利技术的优点在于,利用覆盖支撑衬底表面的二维晶体薄膜覆盖层形成的场效应管(FET)效应,将穿过纳米管道的离子束流微弱pA级信号放大数倍,提高测量信噪比。本发明专利技术对于实现各种高性能探测的微纳半导体微流器件中的离子信号具有重要作用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微纳流器件与工艺
,尤其涉及一种。
技术介绍
由于在纳米孔道中的物质会表现出与宏观不同的新颖特性,因此基于纳米孔道的各种纳米器件在生物传感、诊断和分离等方面都存在巨大的应用前景。这些新奇的应用源于一个非常简单的概念将单个分子穿过纳米级孔道,能够穿过纳米孔道的分子就可以被探测到,从而实现传感、诊断的功能,与不能穿过的分子实现分离的功能。纳米孔道可以由无机固态、生物或者仿生材料组成。生物孔道是蛋白质分子,提取大量的这种复杂的蛋白分子并使得他们在适于工业用途的非正常生理环境下保持活性是 相当困难的。与生物孔道相比,无机纳米孔道耐用的多,结构也比较简单,相对的可以大量制备。比如,碳纳米管,目前已经可以大批量生产,关于其他材料的纳米孔道的制备研究也在蓬勃开展。但是利用生长方法获得的纳米孔道尺寸控制、端口开口、工艺复杂等难题使得大规模集成这些由碳纳米管或者其他纳米孔道的微纳流器件还存在很多问题。聚焦离子束(FIB,Focused Ion Beam)技术可以加工出孔径均一的纳米孔道,对于形成纳米孔道阵列结构提供了技术支持。流过纳米孔道中的离子束流一般在PA量级,这个量级可能落本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种离子束流信号放大器,其特征在于,包括一支撑衬底及覆盖于所述支撑衬底表面的二维晶体薄膜覆盖层,在沿垂直支撑衬底与二维晶体薄膜覆盖层接触面的方向,具有一纳米孔道,所述纳米孔道贯穿所述支撑衬底及二维晶体薄膜覆盖层,所述纳米孔道允许离子通过。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:弓晓晶王建峰徐科刘争晖徐耿钊
申请(专利权)人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
类型:发明
国别省市:

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