多驱动器交叉连接的内存测试装置及其使用方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种多驱动器交叉连接的内存测试装置，所述多驱动器交叉连接的内存测试装置包含：第一接脚导线总线及第二接脚导线总线，其连接至第一测试区；第三接脚导线总线及第四接脚导线总线，其连接至第二测试区；第一组输入输出驱动模块总线，其经由第一驱动导线总线耦接至第一接脚导线总线；第一终端器总线，其经由第一接地导线总线耦接至第一驱动导线总线；第二组输入输出驱动模块总线，其经由一第二驱动导线总线耦接至第三接脚导线总线；第二终端器总线，其经由第二接地导线总线耦接至第二驱动导线总线。本发明专利技术可通用于不同输入/输出位(例如4位与8位)待测内存元件的测试，而不需要更换测试治具；此外，可将测试型样信号同步写入多个待测内存元件再分区读取，测试过程中不需要移除待测内存元件且不需要减少元件装载数量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体装置的测试
，特别涉及一种多驱动器交叉连接的内存测试装置。
技术介绍
各式电子产品中都需要内存，其中DDR SDRAM是一种同步随机存取内存，在每个计算机频率周期能支持两个数据运作，以提高数据的传输量。随着技术的进步，DDR SDRAM内存已演进到DDR2与DDR3甚至更高，其数据传输速率(Data Rate)已由早期的DDR 333/400MH提高为DDR2 800MHz、DDR31333 MHz，未来也会有更高的数据传输速率。而随着频率的提升，用测试半导体内存的测试机台也必须作对应的匹配。测试机，例如日本爱德万公司(ADVANTEST CORPORATION)所产的Advantest T5503,提供有多个测试站，能产生测试型样(test pattern),须配合适当设计的专用治具的结合才可以写入与读取至待测内存元件。通常，测试治具包含测试头(test head)、共享电路模块与插座模块。测试头20内具有驱动器和比较器等元件，作为信号驱动和比较的用。共享电路模块内设有导线，例如，同轴缆线(coaxial cable)或印刷电路板的导线，其为连接电路模块本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多驱动器交叉连接的内存测试装置，其特征在于，所述多驱动器交叉连接的内存测试装置包含：第一接脚导线总线及第二接脚导线总线，其连接至第一测试区；第三接脚导线总线及第四接脚导线总线，其连接至第二测试区；第一组输入输出驱动模块总线，其经由第一驱动导线总线耦接至第一接脚导线总线，且第四接脚导线总线以Y形耦接于第一驱动导线总线与第一接脚导线总线之间的节点；第一终端器总线，其经由第一接地导线总线耦接至第一驱动导线总线；第二组输入输出驱动模块总线，其经由第二驱动导线总线耦接至第三接脚导线总线，且第二接脚导线总线以Y形耦接于第二驱动导线总线与第三接脚导线总线之间的节点；以及第二终端器总线，其经由第二接地导线...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：叶志晖，
申请(专利权)人：力成科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：