本发明专利技术涉及EEPROM读写周期时间的测试方法，包括以下步骤：编写前2n(0≤n≤5)页存储单元的写操作图形向量和读操作图形向量；运行写操作图形向量，对存储单元进行写操作，测试写周期时间；运行读操作图形向量，对存储单元进行读操作，测试读周期时间。本发明专利技术采用编写一小部分测试图形向量以降低对测试系统的要求，同时通过将高位地址线逐位反相的方法实现所有存储单元的地址切换，将EEPROM读写周期时间测试深入到了每个单元，从而不需要很大的图形向量存储空间即可实现全部单元逐单元的读写周期时间的测试，十分有利于进行工程质量归零分析。采用本发明专利技术，可全面、准确、便捷、灵活测试EEPROM读写周期时间。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及测试方法，具体而言是一种EEPROM读写周期时间的测试方法。
技术介绍
EEPROM作为一种非易失的存储器，广泛应用于单片机和对数据存储安全性及可靠性要求高的其他场合，如门禁考勤系统、测量和医疗仪表、非接触式智能卡、税控收款机、预付费电度表或复费率电度表、家电遥控器等。但是EEPROM是通过电子的跃迁实现写入和擦除操作，由于电子跃迁所需的时间比较长，因此EEPROM写入和擦除时间较长，一般一个 字节的写入和擦除时间为200μ s 10ms，而整个器件的写入和擦除时间通常在IOOOms以上，故无法采用随机存储器通常用的算法图形测试方法对EEPROM进行测试，只能参照只读存储器ROM进行空片的读操作测试和直流参数测试，而不能进行读写周期时间的测试，无法检测出写入时间过长等典型故障，容易造成对器件的误判。因此，设计出一种可全面、准确、便捷、灵活的测试读写周期时间的EEPROM读写周期时间的测试方法十分必要。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种可全面、准确、便捷、灵活测试读写周期时间的EEPROM读写周期时间的测试方法。为实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案一种EEPROM读写周期时间的测试方法，包括以下步骤a.编写测试图形向量；all.根据被测EEPROM “页写”的大小以及测试系统图形发生器的容量，设置所编写的图形向量为前2η(0 < η < 5)页存储单元的写操作图形向量和读操作图形向量；al2.选择第一页存储单元；al3.设置背景数据；al4.根据器件详细规范规定的写周期时间和实际运行速率，按公式“写周期时间=速率X循环次数”设置循环次数；al5.发写命令，写入背景数据；al6.将步骤al5重复步骤al4所述的次数，直至将背景数据全部写入。al7.选择下一页存储单元，设置不同的背景数据；重复步骤al4 al6，直至步骤all所述存储单元全部写操作完成；a21.选择第一个存储单元；a22.发读命令，读出存储单元当前的数据；a23.选择下一个地址单元，重复步骤a22，直至步骤all所述存储单元全部读操作完成;b.测试写周期时间bl.设置写周期时间为tw。的最大值，运行写操作图形向量，对步骤all所述的存储单元进行写操作；b2.等待写周期时间tw。，将背景数据全部写入步骤all所述的存储单元；b3.设置读周期时间为^极限值的5 10倍，运行读操作图形向量，进行一次读操作，读出步骤all所述存储单元内当前的数据；b4.比较步骤b3读出的数据与背景数据是否相同。若相同，则步骤all所述存储单元的写周期时间测试合格；b5.将高位地址线逐位反相，选定下一个2n(0 ^ n ^ 5)页存储单元，重复步骤bfb4，直到被测EEPROM所有存储单元的写周期时间都测试完毕。b6.若所有存储单元写周期时间均测试合格，则被测器件的写周期时间测试合格， 否则测试不合格。c.测试读周期时间Cl.设置写周期时间为极限值的5 10倍，运行写操作图形向量，并等待twc极限值5 10倍的时间，将背景数据写入步骤all所述的存储单元；c2.将高位地址线逐位反相，选定下一个2n (OS 5)页存储单元，重复步骤cl，直到将背景数据写入全部存储单元；c3.设置读周期时间为的最小值，运行读操作图形向量，进行一次读操作，读出步骤all所述存储单元内的实际数据；c4.比较步骤c3读出的数据与背景数据是否相同，若所有单元均完全相同，则步骤all所述存储单元的读周期时间测试合格；c5.将高位地址线逐位反相，选定下一个2n(05)页存储单元，重复步骤c3 c4，直到被测EEPROM完全部存储单元的读周期时间均测试完毕。c6.若所有存储单元的读周期时间均测试合格，则被测EEPROM的读周期时间测试合格，否则测试不合格。进一步地，在步骤b6之后，若被测器件的写周期时间测试合格，将存储器擦空，逐渐减小的值，重复步骤bf b5，直至tw。= tn时测试结果翻转，则tn_i即为被测EEPROM写周期时间的具体值。进一步地，在步骤c6之后，若被测器件的读周期时间测试合格，逐渐降低的值，重复步骤c3 c5，直至tK= tn时测试结果翻转，则tn_i即为被测EEPROM读周期时间的具体值。本专利技术采用编写一小部分测试图形向量以降低对测试系统的要求，同时通过将高位地址线逐位反相的方法实现所有存储单元的地址切换，将EEPROM读写周期时间测试深入到了每个单元，从而不需要很大的图形向量存储空间即可实现全部单元逐单元的读写周期时间的测试，十分有利于进行工程质量归零分析。采用本专利技术，可全面、准确、便捷、灵活测试EEPROM读写周期时间。附图说明图I为本专利技术的EEPROM读写周期时间测试原理图；图2为本专利技术的EEPROM写周期时间测试流程图；图3为本专利技术的EEPROM读周期时间测试流程图。具体实施例方式以下结合附图和具体实施例对本专利技术做进一步的详细描述，但该实施例不应理解为对本专利技术的限制。实施例I被测对象XICRO公司生产的EEPROM器件X28C64DMB-20VI，其详细规范规定的写周期时间的最大值为IOms,读周期时间tK的最小值为200ns,共64页每页64个存储单J Li ο测试方法按以下步骤进行a.编写测试图形向量；·all.根据被测EEPROM “页写”的大小以及测试系统图形发生器的容量，设置所编写的图形向量为前23页即8页共512个存储单元的写操作图形向量和读操作图形向量；al2.选择第一页存储单元；al3.设置背景数据Oxaa ;al4.根据器件详细规范规定的写周期时间的最大值和实际运行速率1000ns，设置循环次数为10000次；al5.发写命令，写入背景数据Oxaa ;al6.将步骤al5重复10000次，直至将背景数据全部写入。al7.选择下一页存储单元，设置不同的背景数据0x55，重复步骤al2 al6，直至步骤all所述的存储单元全部写操作完成；a21.选择第一个存储单元；a22.发读命令，读出存储单元当前的数据；a23.选择下一个地址单元，重复步骤a22，直至步骤all所述的存储单元全部读操作完成；b.搜索写周期时间bl.设置写周期时间为tw。的最大值，运行写操作图形向量，对步骤all所述的存储单元进行写操作；b2.等待写周期时间tw。，将背景数据全部写入步骤all所述的存储单元；b3.设置读周期时间为^最小值的5倍，运行读操作图形向量，进行一次读操作，读出步骤all所述存储单元内当前的数据；b4.经比较，步骤b3读出的数据与背景数据相同，故步骤all所述存储单元的写周期时间测试合格；b5.将高位地址线逐位反相，选定下一个8页共512个存储单元，重复步骤bfb4，直到被测EEPROM所有存储单元的写周期时间都测试完毕。b6.结果，所有存储单元的写周期时间均测试合格，于是被测EEPROM的写周期时间测试合格。c.搜索读周期时间Cl.设置写周期时间为tw。极限值的5倍，运行写操作图形向量，并等待tw。极限值5倍的时间，将背景数据写入步骤all所述的存储单元；c2.将高位地址线的逐位反相，选定下一个8页存储单元，重复步骤Cl，直到将背景数据写入全部存储单元；c3.设置读周期时间为的最小值，运行读操作图形向量，进行一次读操作，本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种EEPROM读写周期时间的测试方法，包括以下步骤：a．编写测试图形向量；a11．根据被测EEPROM“页写”的大小以及测试系统图形发生器的容量，设置所编写的图形向量为前2n(0≤n≤5)页存储单元的写操作图形向量和读操作图形向量；a12．选择第一页存储单元；a13．设置背景数据；a14．根据器件详细规范规定的写周期时间和实际运行速率，按公式“写周期时间=速率×循环次数”设置循环次数；a15．发写命令，写入背景数据；a16．将步骤a15重复步骤a14所述的次数，直至将背景数据全部写入。a17．选择下一页存储单元，设置不同的背景数据；重复步骤a14~a16，直至步骤a11所述存储单元全部写操作完成；a21．选择第一个存储单元；a22．发读命令，读出存储单元当前的数据；a23．选择下一个地址单元，重复步骤a22，直至步骤a11所述存储单元全部读操作完成；b．测试写周期时间：b1．设置写周期时间为tWC的最大值，运行写操作图形向量，对步骤a11所述的存储单元进行写操作；b2．等待写周期时间tWC，将背景数据全部写入步骤a11所述的存储单元；b3．设置读周期时间为tRC极限值的5~10倍，运行读操作图形向量，进行一次读操作，读出步骤a11所述存储单元内当前的数据；b4．比较步骤b3读出的数据与背景数据是否相同。若相同，则步骤a11所述存储单元的写周期时间测试合格；b5．将高位地址线逐位反相，选定下一个2n(0≤n≤5)页存储单元，重复步骤b1~b4，直到被测EEPROM所有存储单元的写周期时间都测试完毕。b6．若所有存储单元写周期时间均测试合格，则被测器件的写周期时间测试合格，否则测试不合格。c．测试读周期时间：c1．设置写周期时间为tWC极限值的5~10倍，运行写操作图形向量，并等待tWC极限值5~10倍的时间，将背景数据写入步骤a11所述的存储单元；c2．将高位地址线逐位反相，选定下一个2n(0≤n≤5)页存储单元，重复步骤c1，直到将背景数据写入全部存储单元；c3．设置读周期时间为tRC的最小值，运行读操作图形向量，进行一次读操作，读出步骤a11所述存储单元内的实际数据；c4．比较步骤c3读出的数据与背景数据是否相同，若所有单元均完全相同，则步骤a11所述存储单元的读周期时间测试合格；c5．将高位地址线逐位反相，选定下一个2n(0≤n≤5)页存储单元， 重复步骤c3~c4，直到被测EEPROM完全部存储单元的读周期时间均测试完毕。c6．若所有存储单元的读周期时间均测试合格，则被测EEPROM的读周期时间测试合格，否则测试不合格。...
【技术特征摘要】
1.一种EEPROM读写周期时间的测试方法，包括以下步骤 a.编写测试图形向量； all.根据被测EEPROM “页写”的大小以及测试系统图形发生器的容量，设置所编写的图形向量为前2η(0 < η < 5)页存储单元的写操作图形向量和读操作图形向量；al2.选择第一页存储单元；al3.设置背景数据； al4.根据器件详细规范规定的写周期时间和实际运行速率，按公式“写周期时间=速率X循环次数”设置循环次数；al5.发写命令，写入背景数据； al6.将步骤al5重复步骤al4所述的次数，直至将背景数据全部写入。al7.选择下一页存储单元，设置不同的背景数据；重复步骤al4 al6，直至步骤all所述存储单元全部写操作完成；a21.选择第一个存储单元；a22.发读命令，读出存储单元当前的数据； a23.选择下一个地址单元，重复步骤a22，直至步骤all所述存储单元全部读操作完成； b.测试写周期时间 bl.设置写周期时间为tw。的最大值，运行写操作图形向量，对步骤all所述的存储单元进行写操作； b2.等待写周期时间tw。，将背景数据全部写入步骤all所述的存储单元；b3.设置读周期时间为极限值的5 10倍，运行读操作图形向量，进行一次读操作，读出步骤all所述存储单元内当前的数据； b4.比较步骤b3读出的数据与背景数据是否相同。若相同，则步骤all所述存储单元的写周期时间测试合格； b5.将高位地址线逐位反相，选定下一个2n (O ^n^5)页存储单元，重复步骤bf b4，直到被测EEPROM所有存储单元的写周期时间都测试...
【专利技术属性】
技术研发人员：袁云华，李永梅，王炳军，
申请(专利权)人：湖北航天技术研究院计量测试技术研究所，
类型：发明
国别省市：
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