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本发明涉及EEPROM读写周期时间的测试方法,包括以下步骤:编写前2n(0≤n≤5)页存储单元的写操作图形向量和读操作图形向量;运行写操作图形向量,对存储单元进行写操作,测试写周期时间;运行读操作图形向量,对存储单元进行读操作,测试读周期时...该专利属于湖北航天技术研究院计量测试技术研究所所有,仅供学习研究参考,未经过湖北航天技术研究院计量测试技术研究所授权不得商用。
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本发明涉及EEPROM读写周期时间的测试方法,包括以下步骤:编写前2n(0≤n≤5)页存储单元的写操作图形向量和读操作图形向量;运行写操作图形向量,对存储单元进行写操作,测试写周期时间;运行读操作图形向量,对存储单元进行读操作,测试读周期时...