湿蚀刻基板的方法技术

本发明专利技术公开一种湿蚀刻基板的方法，用以形成多个通孔以埋置多个晶片级光学透镜模块。由于本蚀刻方法使用双向蚀刻工艺，故可同时蚀刻多个基板以形成多个通孔。意即，在此湿蚀刻工艺中可同时形成所有所需的通孔。此外，每一蚀刻工艺操作中可蚀刻多个基板。因此，此种湿蚀刻基板的法能有效地减少工艺时间与制造成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及ー种晶片级光学间隙层(wafer level optical spacer),且特别是涉及ー种晶片级光学间隙层的エ艺改良。
技术介绍
随着电子产品微型化模块及低价化的趋势，晶片级模块技术(wafer levelmodule,WLM)的开展备受瞩目。晶片级模块技术主要为在电子产品中采用晶片级制造技木，以缩小电子产品的体积并減少制造成本。举例来说 ，将晶片级模块的技术应用于制作镜头模块上，能使镜头模块的体积远小于传统的镜头模块的体积，进而便于应用在例如笔记本型电脑、手机等电子装置的相机模块上。图IA为已知的晶片级光学透镜模块的局部俯视图，而图IB为沿图IA的AA’剖面线的晶片级光学透镜模块的局部剖面图。请同时參照图IA及图1B，已知的晶片级光学透镜模块100至少包括透镜基板110、第一间隙层120、第二间隙层130以及ー对基板142、144。透镜基板110具有透光基板112及配置在透光基板112两侧的至少一透镜114。透镜基板110位于上述的ー对基板142、144之间。第一间隙层层120位于基板142及透光基板112之间以维持第一空间SI。此外，第二间隙层130位于基板144及透光基板112之间以维持第二空间S2。如图IB所示，透镜114位于第一空间SI及第ニ空间S2之间。在此晶片级光学透镜模块中，为了在间隙层中埋置至少ー个晶片级光学透镜，必须在上述间隙层中形成通孔。一般而言，目前通常使用玻璃材料来形成间隙层。图2为已知用于制造晶片级光学透镜模块的间隙层的方法。在此方法中，针对ー个基板，一次仅能制作出一个通孔，且在于基板上制作出多个通孔后，才可对下ー个玻璃基板进行通孔的制作。详细而言，如图2所示，当要使用玻璃基板200来形成晶片级光学透镜模块的间隙层时，必须利用激光(LASER)在玻璃基板200上形成多个通孔201。然而，在此种激光钻孔エ艺中，一次只能在玻璃基板200上制作出一个通孔201。此外，每次的激光钻孔エ艺操作中仅可处理一片玻璃基板200。由此可知，已知利用激光钻孔以形成多个通孔201的方法为较耗时且冗长，从而缺乏成本效益。
技术实现思路
本专利技术提供一种，能节省通孔的制作时间。本专利技术提供一种，用以形成多个通孔以埋置多个晶片级光学透镜模块。包括以下步骤。首先，提供多个基板，并以掩模屏蔽每一基板，以形成多个经屏蔽的基板。然后，在蚀刻槽中提供蚀刻剂。在预定时间中将经屏蔽的基板浸于蚀刻剂中，以形成多个经蚀刻的基板，其中每ー经蚀刻的基板具有适于埋置多个晶片级光学透镜模块的多个通孔。根据本专利技术的实施例，每ー基板的至少相对两表面于预定时间中被蚀刻。根据本专利技术的实施例，上述的相邻两基板之间存在间隙。根据本专利技术的实施例，上述的蚀刻槽的底部具有多个沟槽，且这些沟槽对应容纳这些基板的一部分。根据本专利技术的实施例，每ー基板为玻璃基板，且此玻璃基板用以作为晶片级光学透镜模块的间隙层。根据本专利技术的实施例,蚀刻剂包括氢氟酸(hydrofluoric acid, HF)。根据本专利技术的实施例，上述的基板的数目等于或大于十个。根据本专利技术的实施例，每ー掩模具有预定图案，此预定图案暴露每ー基板将被蚀刻的部分，井覆盖每一基板不被蚀刻的其他部分。根据本专利技术的实施例，此方法还包括移除上述的经蚀刻的基板的掩模及清洁上述的经蚀刻的基板。根据本专利技术的实施例，此方法还包括在于蚀刻槽中提供蚀刻剂后加热蚀刻剂。综上所述，根据本专利技术的实施例，透过此种，能同时在ー个基板上形成多个通孔。此外，由于本实施例的为双向湿蚀刻法，因此能于每个蚀刻步骤中同时蚀刻多个基板。由此可知，上述能有效地减少エ艺时间与制造成本。 为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。附图说明附图为用以对本专利技术提供进ー步理解，这些附图并入并构成此说明书的一部分；其绘示本专利技术的实施例，并与说明书一同用以解释本专利技术的原理。图IA为已知的晶片级光学透镜模块的局部俯视图。图IB为沿图IA的AA’剖面线的晶片级光学透镜模块的局部剖面图。图2为已知用于制造晶片级光学透镜模块的间隙层的方法。图3为本专利技术实施例的的流程图。图4A至图4E为使用图3的的示意图。附图标记说明100 :晶片级光学透镜模块110:透镜基板112:透光基板114:透镜120 :第一间隙层层130 :第二间隙层层142、144、300 :基板200 :玻璃基板201、305:通孔301 :掩模302 :预定图案303 :蚀刻剂304 :蚀刻槽306a、306b :表面400 :经屏蔽的基板402,404 :基板的部分500:经蚀刻的基板G:间隙 SI :第一空间S2 :第二空间SllO S140:步骤LASER :激光具体实施例方式以下将仔细參照本专利技术的优选实施例，其实例绘示附图式。于任何可能情况下，附图及说明书中所使用的相同标号表示相同或类似的部分。这些附图并未依实际比例绘示，而仅用以说明本专利技术。以下将參照用以说明的例示的实施方式叙述本专利技术的多个示例。应理解所提供的许多特定细节、关系及方法为用以提供本专利技术的全面性理解。另外，本专利技术可以许多不同形式来体现，而不应理解为仅限于以下所提出的实施例。举例而言，本专利技术可以方法或系统来作为体现。本专利技术提供一种，用以形成多个通孔以埋置多个晶片级光学透镜模块。图3为本专利技术实施例的的流程图。图4A至图4E为使用图3的的示意图，其中上述方法适于同时形成多个通孔，且每一操作步骤能处理多个基板。请參照图3及图4A至4E，此包括以下步骤。首先，如图4A所示，提供多个基板300(步骤S110)。然后，请參照图4B，以掩模301屏蔽每一基板300，以形成多个经屏蔽的基板400 (步骤S120)。在本实施例中，掩模301于蚀刻后可被移除。另外，掩模301具有用以在基板400上形成通孔的预定图案302。详细而言，每ー预定图案302暴露基板400将被蚀刻的部分404，并覆盖基板400不被蚀刻的其他部分402。然后，在蚀刻槽304中提供蚀刻剂303 (步骤S130)。其后，如图4C及图4D所示，在预定时间中将经屏蔽的基板400浸在蚀刻剂303中，以形成多个经蚀刻的基板500 (步骤S140)。至此，便完成湿蚀刻基板的エ艺。在本实施例中，由于经屏蔽的基板400是浸在蚀刻剂303中，故每一基板400的至少相对两表面306a、306b会于预定时间中被蚀刻。因此，本实施例的为ー种双向湿蚀刻法。而为了增强此双向湿蚀刻法，本实施例例如是将基板400排列于具有间隙G的蚀刻槽中，此间隙G存在于每两个相邻基板400之间。此外，为了确保在蚀刻エ艺中基板位置的稳定性，蚀刻槽例如可于底部具有多个沟槽(未绘示)，且沟槽对应容纳基板400的一部分。在步骤S140之后，本实施例的还可包括移除经蚀刻的基板500的每ー掩模301，以及清洁每ー经蚀刻的基板500。然后，如图4D与图4E所示，每ー经蚀刻的基板500便具有多个通孔305，且这些通孔305可埋置多个晶片级光学透镜模块。请參照图3及图4A至图4E，在执行的过程中，每ー步骤中可处理多个基板300。举例而言，在本实施例中，每ー湿蚀刻步骤中所使用的基板300的数目等于或大于十个，其中本实施例是以使用十个基板为例，本专利技术并不受限于此。此外，在每ー湿蚀本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种湿蚀刻基板的方法，用以形成多个通孔以埋置多个晶片级光学透镜模块，该湿蚀刻基板的方法包括：提供多个基板；以掩模屏蔽每一基板，以形成多个经屏蔽的基板；于蚀刻槽中提供蚀刻剂；以及在预定时间中将该多个经屏蔽的基板浸于该蚀刻剂中，以形成多个经蚀刻的基板，其中每一经蚀刻的基板具有适于埋置多个晶片级光学透镜模块的多个通孔。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈振亨，
申请(专利权)人：奇景光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：