外延材料层的特性测试装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种外延材料层的特性测试装置，包括：探针单元，在测试时能够与所述外延材料层的表面形成导电接触，通过所述探针单元向所述外延材料层提供电信号，所述电信号能够使得所述外延材料层发出光信号；光信号分析单元，用于获得所述光信号，对所述光信号进行分析，获得所述外延材料层的特性参数。本发明专利技术节约了衬底上的外延材料层的测试时间，提高了外延材料层的测试精度，从而提高了MOCVD设备的生产效率，也提高了外延材料层的发光强度、均匀度和良率等工艺参数。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及LED
，特别涉及对外延材料层的特性测试装置。
技术介绍
MOCVD是金属有机化合物化学气相沉积(Metal-organic ChemicalVaporDeposition)的英文缩写。MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技木。它以III族、II族元素的有机化合物和V、VI族元素的氢化物等作为晶体生长的源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种III-V族、II-VI族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。下面对现有的MOCVDエ艺的原理进行说明。具体地，请參考图I所示的现有的MOCVD装置的结构示意图。外延沉积腔室10内形成有相对设置的气体供给单元11和基座12。所述气体供给単元可以为喷淋头(ShoWerhead，SH)，该喷淋头内可以设置多个小孔。所述基座12上通常放置多片衬底121，所述衬底121的材质通常为价格昂贵的蓝宝石。所述基座12的下方还形成有加热单元13，所述加热単元13对所述衬底121进行加热，使得所述衬底121表面的温度达到外延エ艺需要的温度。在进行MOCVDエ艺时，源气体自气体供给本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种外延材料层的特性测试装置，用于对衬底上的外延材料层的特性参数进行测试，其特征在于，包括：探针单元，在测试时能够与所述外延材料层的表面形成导电接触，通过所述探针单元向所述外延材料层提供电信号，所述电信号能够使得所述外延材料层发出光信号；光信号分析单元，用于获得所述光信号，对所述光信号进行分析，获得所述外延材料层的特性参数。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：梁秉文，
申请(专利权)人：光达光电设备科技嘉兴有限公司，
类型：发明
国别省市：