记录介质制造技术

本发明专利技术提供一种记录介质，其包括在基材的至少一个表面上的墨接收层，所述墨接收层包含无机颜料和粘结剂。所述墨接收层包含含有锆、硅和选自元素周期表的第2族和第3族元素的至少一种元素的化合物。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及记录介质。
技术介绍
要求记录介质具有各种物理性质如墨的定影性、图像的清晰度和耐臭氧性。日本专利特开2008-254430提议涉及包含通过具有氨基的硅烷偶联剂和锆化合物的反应制备的复合化合物(composite compound)的记录介质，由此降低高温高湿环境下忙存的图像中的洇墨(blurring)以及提高图像的耐臭氧性的技术。
技术实现思路
因此，本专利技术的方面提供能够赋予图像以高耐臭氧性并且还有效防止高温高湿环境下贮存的图像中洇墨的出现的记录介质。 本专利技术涉及在基材的至少一个表面上具有包含无机颜料和粘结剂的墨接收层的记录介质。所述墨接收层包含含有锆、硅和选自元素周期表的第2族和第3族元素的至少一种元素的化合物。本专利技术的方面可提供能够赋予图像以高耐臭氧性并且还有效防止高温高湿环境下贮存的图像中洇墨的出现的记录介质。本专利技术的进一步特征将参考附图从以下示例性实施方案的描述中变得显而易见。附图说明图I是示意性示出根据本专利技术的记录介质的实例的截面图。图2是示出根据本专利技术复合化合物的实例的X-射线衍射(XRD)图的图。具体实施例方式根据本专利技术人的研究结果，在日本专利特开2008-254430描述的记录介质中，不幸的是，图像的耐臭氧性低，高温高湿环境下贮存的图像中出现洇墨。记录介质现在将参考附图描述本专利技术的实施方案。图I是示意性示出根据本专利技术的记录介质的实例的截面图并显示具有在基材(100)的一个表面上包括墨接收层(101)的结构的喷墨记录介质(102)。墨接收层可设置在基材的各表面上。墨接收层(101)包括无机颜料、粘结剂以及包含锆、硅和选自元素周期表的第2族和第3族元素的至少一种元素的化合物(下文中，该化合物也称为"复合化合物")。本说明书全文中，选自元素周期表的第2族和第3族元素的至少一种元素也称为第2族或第3族元素，包含选自元素周期表的第2族和第3族元素的至少一种元素的化合物也称为第2族或第3族元素化合物。现在将描述本专利技术的记录介质能够赋予图像以高耐臭氧性并且还有效地防止高温高湿环境下贮存的图像中洇墨的出现的本专利技术的开发和推测机理。作为研究的结果，本专利技术人发现具有墨接收层的记录介质显示优良的耐臭氧性，所述墨接收层包含含有锆、硅和第2族和第3族元素化合物的复合化合物。这很可能起因于第2族和第3族元素化合物粘附至无机颜料如氧化铝水合物或二氧化硅的颗粒表面上的酸点从而降低酸点的强度，并由此能够防止当臭氧与酸点接触时而产生的自由基(radical)的生成。然而，还发现了包含第2族或第3族元素化合物的记录介质趋于引起高温高湿环境下贮存的图像中的洇墨。用于分散无机颜料如氧化铝水合物或二氧化硅的水性溶剂通常为酸水溶液，并且墨接收层通过施涂此类包含无机颜料的酸水溶液来形成。如果此类酸水溶液或用此类酸水溶液形成的墨接收层包含第2族或第3族元素化合物，则第2族或第3族元素离子化从而与来自酸性化合物的负离子形成盐。因此，墨接收层包含第2族或第3族元素的盐。此类盐在高温高湿环境下趋于潮解(deliquesce)从而容易引起洇墨。本专利技术中，第2族或第3族元素构成包含锆和二氧化硅的复合化合物的一部分。即，将第2族或第3族元素引入至复合化合物结构的内部。因此，可防止第2族或第3族元素的离子化，并且当第2族或第3族元素与酸水溶液接触时防止第2族或第3族元素产生其盐，导致防止高温高湿环境下贮存的图像中的洇墨。现在将更详细地描述根据本专利技术的记录介质的各构成材料。墨接收层本专利技术的记录介质包括在基材的至少一个表面上的墨接收层。所述墨接收层包含无机颜料、粘结剂以及包含锆、硅和选自元素周期表的第2族和第3族元素的至少一种元素的化合物。现在将描述可用于本专利技术的墨接收层中的材料。包含锆、硅和诜自元素周期表的第2族和第3族元素的至少一种元素的化合物包含锆、硅和选自元素周期表的第2族和第3族元素的至少一种元素的化合物可通过任何方法来生产并可通过例如湿法来生产。将描述通过湿法生产该化合物的具体实例。将第2族或第3族元素化合物和锆化合物添加至液体溶剂，并且逐渐添加硅烷偶联剂至其同时用例如均质混合器、搅拌器、球磨机或超声波分散机搅拌。液体溶剂可至少为水或醇(例如，甲醇、乙醇或丁醇)或者可为水和醇的混合物。随后，通过硅烷偶联剂的水解和缩合反应形成硅烷低聚物。在引入第2族或第3族元素和锆至其中的同时形成硅烷低聚物，以得到包含复合化合物的悬浮液。此时，为了形成均一的复合化合物，可进行搅拌。硅烷偶联剂的水解和缩合反应的进行可通过借助添加例如有机酸而调节系统的PH来任意控制。虽然硅烷偶联剂的水解和缩合反应甚至在常温下进行，仍可加热反应系统用于使得各反应有效进行。最佳反应温度根据硅烷偶联剂的类型变化，但通常为20°C -100°C。将描述生产复合化合物的方法的具体实例。将N-2-(氨乙基)-3-氨丙基三乙氧基硅烷添加至包含氯化镁六水合物和乙酸氧锆的水溶液。随后，将硅烷偶联剂水解，并且加热水解产物用于脱水-缩合从而得到其中将镁和锆引入至硅烷低聚物结构中的复合化合物。将描述通过上述方法形成包含第2族或第3族元素、锆和硅的化合物的推测机理。硅烷偶联剂在水或醇中水解从而产生硅烷醇(-Si-OH)。产生的硅烷醇分子逐渐彼此缩合从而形成硅氧烷键(-Si-O-Si-)并最终形成硅烷低聚物。在其中具有此类特性的硅烷偶联剂与第2族或第3族元素化合物和锆化合物共存的系统中，水解和缩合反应在在系统中存在第2族或第3族元素和锆下进行。结果，形成经由第2族或第3族元素或锆的硅氧烷键如-Si-O-Mg-O-Si-或-Si-O-Zr-O-Si-，从而得到包含第2族或第3族元素、锆和硅的化合物。生产根据本专利技术复合化合物的方法包括前体形成步骤，包含选自元素周期表的第2族和第3族元素的至少一种元素和锆化合物的化合物之一与硅烷偶联剂在包含水和/或醇的液体溶剂中形成复合物前体；和复合化合物形成步骤，包含选自元素周期表的第2族和第3族元素的至少一种元素的化合物和锆化合物的另一个与所得前体形成复合化合物。即，两种实施方案可包括在生产根据本专利技术复合化合物的方法中通过包含选自元素周期表的第2族和第3族元素的至少一种元素的化合物与硅烷偶联剂在包含水和/或醇的液体溶剂中形成复合物前体，然后将所得复合物前体与锆化合物在包含水和/或醇的液体溶剂中进一步形成复合化合物来生产复合化合物的方法；和通过锆化合物与硅烷偶联剂在包含水和/或醇的液体溶剂中形成复合物前体，然后所得复合物前体与包含选自元素周期表的第2族和第3族元素的至少一种元素的化合物在包含水和/或醇的液体溶剂中进一步形成复合化合物来生产复合化合物的方法。如上所述，虽然硅烷偶联剂的水解和缩合反应甚至在常温下进行，仍然可加热反应系统以使得各反应有效进行。最佳反应温度根据硅烷偶联剂的类型变化，但反应温度通常为20°C -100°C。 该方法不仅能够提供高耐臭氧性还能够提供高耐光性。虽然改进耐光性的机理不清楚，但是本专利技术人推测如下在其中如在上述方法中将用于生产复合化合物的材料以特定顺序添加的情况下，能够生产包括其中第2族或第3族元素和硅的比例高的嵌段和其中锆和硅的比例高的嵌段的复合化合物。包括其中第2族或第3族元素和硅的比例高的嵌段和其中锆和硅的比例高的嵌段的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种记录介质，其包括在基材的至少一个表面上的墨接收层，所述墨接收层包含无机颜料和粘结剂，其中所述墨接收层包含含有锆、硅和选自元素周期表的第2族和第3族元素的至少一种元素的化合物。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：浅尾昌也，鹤崎毅，田中有佳，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：