记录介质制造技术

技术编号:7089145 阅读:221 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
记录介质在基材上包括墨接受层,其中该墨接受层含有水合氧化铝、C1-4烷基磺酸和通式(1):X1-R1-(S)n-R2-X2的化合物的盐,其中n表示1或2;X1和X2各自独立地表示H、NH2或COOH,并且X1和X2的至少一个表示NH2或COOH;R1和R2各自独立地表示亚烷基、亚芳基或亚杂芳基,并且它们可彼此键合以形成环,设C1-4烷基磺酸的比例为A质量%,相对于水合氧化铝时,A在1.0-2.0的范围内,并且设通式(1)的化合物的盐的比例为B质量%,相对于水合氧化铝时,B在0.5-5.0的范围内。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及记录介质
技术介绍
在基材上包括墨接受层的记录介质已知作为通过喷墨记录法或使用毡头笔在其上进行记录的记录介质。墨接受层含有无机颜料,例如二氧化硅和水合氧化铝,和粘结剂, 例如聚乙烯醇。要求这样的记录介质具有改善的墨吸收性、抗湿性、抗臭氧性等。将分散体用作形成墨接受层的涂布液并且通过在基材上施涂涂布液来形成墨接受层的情况下,要求无机颜料令人满意地分散在分散体中。日本专利No. 3791039公开了含有水合氧化铝和抗絮凝剂的氧化铝溶胶。作为抗絮凝剂,使用不具有碳原子的磺酸,例如氨基磺酸,均具有5个以上碳原子的烷基磺酸, 例如己磺酸,具有苯环的磺酸等。日本专利No. 3791039也公开了氧化铝分散体具有15重量% -30重量%的固体含量并且形成的墨接受层具有令人满意的吸收性。日本专利公开No. 2002-127584公开了墨接受层中硫化物二羧酸的胺盐的存在使我们能够制备喷墨记录介质,其具有优异的抗臭氧性并且能够提供具有高印刷浓度的图像。
技术实现思路
根据本专利技术的一个方面,记录介质在基材上包括墨接受层,其中该墨接受层含有水合氧化铝、具有1-4个碳原子的烷基磺酸和由通式(1)表示的化合物的盐X1-R1-(S)n-R2-X2其中η表示1或2 和\各自独立地表示Η、ΝΗ2或C00H,并且&和\的至少一个表示朋2或0)0!1;1 1和1 2各自独立地表示亚烷基(alkylene group)、亚芳基或亚杂芳基, 并且R1和&可彼此键合以形成环,并且其中设具有1-4个碳原子的烷基磺酸的比例为A质量%,相对于水合氧化铝时,A在1.0-2.0的范围内,并且设通式(1)表示的化合物的盐的比例为B质量%,相对于水合氧化铝时,B在0. 5-5. 0的范围内。由以下对示例性实施方案的说明,本专利技术进一步的特征将变得清楚。具体实施例方式以下对根据本专利技术方面的记录介质的实施方案详细说明。根据本专利技术方面的记录介质在基材的至少一个表面上包括墨接受层。本专利技术人的研究证实如日本专利No. 3791039中所述将氨基磺酸、均具有5个以上碳原子的烷基磺酸例如己磺酸、具有苯环的磺酸等用作抗絮凝剂时,在苛刻的环境条件下抗湿性并不良好。此外,较高的抗絮凝剂含量导致墨吸收性的降低。较低的抗絮凝剂含量导致抗臭氧性的降低。只通过控制抗絮凝剂的量难以在高水平上实现墨吸收性和抗臭氧性之间的平衡。日本专利公开No. 2002-127584中,只将二氧化硅用作墨接受层中含有的无机颜料。此外,相对于二氧化硅,硫化物二羧酸的胺盐的量为1 0质量%以上,这是非常大的量。 因此,将该技术用于含有水合氧化铝作为无机颜料的水合氧化铝分散体时,一些情况下分散体胶凝。而且,该墨接受层具有不足的墨吸收性。本专利技术的方面提供具有令人满意的墨吸收性、抗湿性和抗臭氧性的记录介质。基材基材的实例包括纸例如铸涂纸、钡地纸和树脂涂布纸(用树脂例如聚烯烃将基底的两个表面涂布的树脂涂布纸);和膜。这些基材中,从形成墨接受层后实现良好的光泽的观点出发,可使用树脂涂布纸。作为膜,可使用由热塑性树脂例如聚乙烯、聚丙烯、聚酯、聚乳酸、聚苯乙烯、聚醋酸酯、聚氯乙烯、醋酸纤维素、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚甲基丙烯酸甲酯和聚碳酸酯制成的透明膜。也可使用作为适度施胶纸的无胶纸或涂布纸,或通过填充无机材料或通过微细发泡而得到的不透明膜制成的片状材料(例如合成纸)。此外,可使用例如由玻璃或金属制成的片材。为了改善基材与墨接受层之间的粘合强度,可对基材的表面进行电晕放电处理或任何底涂处理。墨接受层水合氧化铝根据本专利技术方面的记录介质中包括的墨接受层含有用作颜料的水合氧化铝。由通式(X)表示的化合物可用作水合氧化铝Al2CVn(OH)a^mH2O (X)其中η表示0、1、2或3 ;m表示0_10,例如0_5的范围内的值,条件是m和η不同时为零;HiH2O常常表示不参与晶格的形成的可去除的水,因此m可表示整数或非整数;并且当将该材料加热时,m可达到零。取决于热处理的温度,已知水合氧化铝的晶体结构为无定形、三水铝石和勃姆石。 可使用具有这些晶体结构中的任何晶体结构的水合氧化铝。可使用具有由X射线衍射分析确定的勃姆石结构或无定形结构的水合氧化铝。水合氧化铝的具体实例包括日本专利公开 No. 7-23M73、8-132731、9-66664和9-766 中记载的水合氧化铝。可使用如下的水合氧化铝,其使形成墨接受层时整个墨接受层可具有7. Onm-IOnm,并且甚至8. Onm以上的平均孔隙半径。7. Onm-IOnm的整个墨接受层的平均孔隙半径产生优异的墨吸收性和显色性。小于 7. Onm的整个墨接受层的平均孔隙半径可导致缺少墨吸收性,即使调节相对于水合氧化铝的粘结剂的量。大于IOnm的整个墨接受层的平均孔隙半径可导致墨接受层的雾度(haze) 增加,由此无法提供令人满意的显色性。此外,墨接受层中具有25nm以上的半径的孔隙可不存在。具有25nm的半径的孔隙的存在可导致墨接受层的雾度的增加,由此无法提供令人满意的显色性。整个墨接受层可具有0. 50mL/g以上的总孔隙容积。小于0. 50mL/g的总孔隙容积可导致整个墨接受层的墨吸收性的缺乏,即使调节相对于水合氧化铝的粘结剂的量。此外, 整个墨接受层可具有30. OmL/g以下的总孔隙容积。平均孔隙半径、总孔隙容积、孔隙半径是通过Barrett-Joyner-HaIenda(BJH)法由氮吸附-解吸等温线确定的值,氮吸附-解吸等温线通过使用氮吸附-解吸法的测定得到。特别地,平均孔隙半径是由通过氮解吸测定的总孔隙容积和比表面积通过计算确定的值。通过氮吸附-解吸法在记录介质上进行测定的情况下,在墨接受层以外的部分上进行测定。但是,墨接受层以外的组分(例如基材和树脂涂布层)不具备具有能够通常通过氮吸附-解吸法测定的尺寸范围的孔隙,即这些组分不具有均具有Inm-IOOnm的尺寸的孔隙。 因此,通过氮吸附-解吸法在整个记录介质上进行测定的情况下,将该测定视为确定墨接受层的平均孔隙半径的测定。为了形成具有7. Onm-IOnm的平均孔隙半径的墨接受层,使用具有100m2/g-200m2/ g并且甚至125m2/g-175m7g的BET比表面积的水合氧化铝。BET法是用于使用气相吸附技术测定粉末的表面积的方法,并且是用于由吸附等温线确定1 g的样品的总表面积,即比表面积的方法。在BET法中,氮气通常用作被吸附的气体。最常使用基于吸附的气体的压力或容积的变化测定吸附的气体量的方法。表示多分子吸附等温线的最著名的等式是广泛用于比表面积确定的称为BET式的Brunauer-Emmett-Teller式。BET法中,基于BET式确定被吸附物的量,然后与表面上一个被吸附物分子所占据的面积相乘以确定比表面积。BET法中,氮吸附-解吸法的测定的情况下,测定几个相对压力下的被吸附物的量以由最小二乘法计算图形的斜率和截距,由此确定比表面积。根据本专利技术的方面,在五个不同的相对压力下测定被吸附的吸附物的量以确定比表面积。水合氧化铝的颗粒可具有板状、3. 0-10的平均纵横比(average aspectratio)和 0. 60-1. 0的每个板状颗粒的表面的长宽比。由日本专利公本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.记录介质,包括:基材上的墨接受层,其中该墨接受层含有水合氧化铝、具有1-4个碳原子的烷基磺酸和由通式(1)表示的化合物的盐:X1-R1-(S)n-R2-X2其中n表示1或2;X1和X2各自独立地表示H、NH2或COOH,并且X1和X2中的至少一个表示NH2或COOH;R1和R2各自独立地表示亚烷基、亚芳基或亚杂芳基,并且R1和R2可彼此键合以形成环,和其中相对于水合氧化铝,设具有1-4个碳原子的烷基磺酸的比例为A质量%时,A在1.0-2.0的范围内,并且相对于水合氧化铝,设由通式(1)表示的化合物的盐的比例为B质量%时,B在0.5-5.0的范围内。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:仁藤康弘加茂久男野口哲朗田栗亮小栗勲苏秀儿
申请(专利权)人:佳能株式会社
类型:发明
国别省市:JP

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