高压与低压电源延时供电电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高压与低压电源延时供电电路，包括低压电源延时供电电路和高压电源延时供电电路，所述高压电源延时供电电路的延时控制端与所述低电压电源延时供电电路的低压输出端连接。低压电源延时供电电路采用可控二极管的开关来控制第一MOS管的通断，从而控制低压输出；高压电源延时供电电路的输出通过低压电源延时供电电路的低压输出控制，只有低压电源延时供电电路有电压输出时，高压电源延时供电电路才会有电压输出。本实用新型专利技术克服输出电压呈非线性；确保高压电源延时供电电路不能单独输出，必须受低压电源延时供电电路输出控制。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种延时供电电路，特别是涉及一种高压与低压电源延时供电电路。
技术介绍
在板卡式设备中，供电电源经由背板统一给各板卡供电，各板供电电源可能不止一路，其中包含高压(48V或其他类似电压)及低压(如5V、3. 3V等)。无论高压或者低压在板卡上电时，都会带来瞬时上电冲击电流。为了保持系统工作的稳定性，常于板内电源输入口提供缓启动电路，以减缓板卡上电对供电电源的冲击。面对多电源情况下目前的方案是为每一电源单独提供一缓启动电路，缓启电路主要有两种方案 第一，串入与热敏电阻之类器件，使输入电流缓慢增长。第二，串入金属氧化物半导体MOS管，通过缓充电电路控制MOS管GS间电压上升，缓步打开MOS 管。上述传统技术存在以下缺点串入热敏电阻之类器件，抑制电流增速效果非常小，反映速度慢，应用性差，长时间使用影响寿命；串入金属氧化物半导体管，输出电压呈非线性，面对高压中大容量储能元件，不足以抑制上电冲击电流；多电源输入时，每一电源提供一缓启电路，该方案繁琐，对器件的要求增加，如果板卡未插好只提供了高压，有可能毁坏低压中的器件。导致上缺点的原因有以下两点第一，热敏电阻是由其构成材料有关；第二，金属氧化物半导体管输出非线性是因为输入缓充电路是非线性。
技术实现思路
本技术的目的是为了解决上述问题而提供一种输出电压呈线性、可靠性高、电路简单的高压与低压电源延时供电电路。本技术是通过以下技术方案实现的一种高压与低压电源延时供电电路,包括低压电源延时供电电路和高压电源延时供电电路，所述高压电源延时供电电路的延时控制端与所述低电压电源延时供电电路的低压输出端连接。通过将低压电源延时供电电路的低压输出端和高压电源延时供电电路的延时控制端连接，只有低压电源延时供电电路有电压输出时，高压电源延时供电电路才会有电压输出。确保高压电源延时供电电路不能单独输出，必须受低压电源延时供电电路输出控制。作为本技术的进一步改进为，所述低压电源延时供电电路包括第一 MOS管、可控二极管、第一电容、第一电阻、第二电阻和第三电阻，所述第一电阻的第一端与所述低压电源的输出端连接，所述第一电阻的第二端与所述第二电阻的第一端、第一电容的第一端和所述可控二极管的控制端连接，所述第二电阻的第二端、第一电容的第二端和所述可控二极管的正极接地，所述可控二极管的负极分别与所述第三电阻的第一端和所述第一MOS管的栅极连接，所述第三电阻的第二端分别与所述第一电阻的第一端和所述第一 MOS管的源极连接，所述第一 MOS管的漏极与所述高压电源延时供电电路的延时控制端连接。第一电阻和第二电阻分压作为可控二极管的控制端的参考电压，第一电阻和第一电容确定低压电源延时供电电路的延时时间，当可控二极管的控制端的电压大于或者等于2. 5V时，可控二极管打开，第一MOS管的栅极连通，第一MOS管导通，低压电源延时供电电路输出电压。由于第一 MOS管的导通和截止只与可控二极管的导通和截止有关，因此保证输出电压不再是非线性。作为本技术的进一步改进为，所述高压电源延时供电电路包括第二 MOS管、三极管、二极管、第四电阻、第五电阻和第六电阻，所述第四电阻的第一端与所述第一 MOS管的漏极连接，所述第四电阻的第二端与三极管的基极连接，所述三极管的集电极接地，所 述三极管的集电极与所述第六电阻的第一端连接，所述第六电阻的第二端分别与所述第五电阻的第一端、二极管的正极和第二 MOS管的栅极连接，所述第五电阻的第二端分别与所述高压电源的输出端、二极管的正极和所述第二 MOS管的源极连接。当三极管未连通时第二 MOS管的栅极源级压差为0，这时候第二 MOS管不能开通，高压电源延时供电电路电压不能输出。低压电源延时供电电路电压经过第四电阻使三极管导通，第二MOS管的电压变为第五电阻和第六电阻的分压电压，这时候第二MOS管的栅极和源极存在电压差，第二 MOS管导通，高压电源延时供电电路输出电压。本技术的有益效果是低压电源延时供电电路采用可控二极管的的开关来控制第一 MOS管的通断，从而控制低压输出；高压电源延时供电电路的输出通过低压电源延时供电电路的低压输出控制，只有低压电源延时供电电路有电压输出时，高压电源延时供电电路才会有电压输出。本技术克服输出电压呈非线性；确保高压电源延时供电电路不能单独输出，必须受低压电源延时供电电路输出控制。附图说明图I是本技术高压与低压电源延时供电电路中低压电源延时供电电路的电路图；图2是本技术高压与低压电源延时供电电路中高压电源延时供电电路的电路图。具体实施方式以下结合附图及具体实施例对本技术作进一步的详细说明如图I和图2所示，本技术高压与低压电源延时供电电路，包括低压电源延时供电电路和高压电源延时供电电路，所述高压电源延时供电电路的延时控制端与所述低电压电源延时供电电路的低压输出端连接。通过将高压电源延时供电电路的延时控制端与低压电源延时供电电路的低压输出端连接，只有低压电源延时供电电路有电压输出时，高压电源延时供电电路才会有电压输出。确保高压电源延时供电电路不能单独输出，必须受低压电源延时供电电路低电压输出控制。如图I所示，所述低压电源延时供电电路包括第一 MOS管Q1、可控二极管D1、第一电容Cl、第一电阻R1、第二电阻R2和第三电阻R3，所述第一电阻Rl的第一端与所述低压电源的输出端连接，所述第一电阻Rl的第二端与所述第二电阻R2的第一端、第一电容Cl的第一端和所述可控二极管Dl的控制端连接，所述第二电阻R2的第二端、第一电容Cl的第二端和所述可控二极管Dl的正极接地，所述可控二极管Dl的负极分别与所述第三电阻R3的第一端和所述第一 MOS管Ql的栅极连接，所述第三电阻R3的第二端分别与所述第一电阻Rl的第一端和所述第一 MOS管Ql的源极连接，所述第一 MOS管Ql的漏极与所述高压电源延时供电电路的低压输入端连接。第一电阻Rl和第二电阻R2分压作为可控二极管Dl的控制端的参考电压，第一电阻Rl和第一电容Cl确定延时时间，当可控二极管Dl的控制端的电压大于或者等于2. 5V时，可控二极管Dl打开，第一 MOS管Ql的栅极连通，第一 MOS管Ql导通，低压电源延时供电电路输出电压。由于第一 MOS管Ql的导通和截止只与可控二极管Dl的导通和截止有关，因此保证输出电压不再是非线性。如图2所示，所述高压电源延时供电电路包括第二 MOS管Q3、三极管Q2、二极管D2、第四电阻R4、第五电阻R5和第六电阻R6，所述第四电阻R4的第一端与所述第一 MOS管 Ql的漏极连接，所述第四电阻R4的第二端与三极管Q2的基极连接，所述三极管Q2的集电极接地，所述三极管Q2的集电极与所述第六电阻R6的第一端连接，所述第六电阻R6的第二端分别与所述第五电阻R5的第一端、二极管D2的正极和第二 MOS管Q3的栅极连接，所述第五电阻R5的第二端分别与所述高压电源的输出端、二极管D2的正极和所述第二 MOS管Q3的源极连接。当三极管Q2未连通时，第二 MOS管Q3的栅极源级压差为0，这时候第二 MOS管Q3不能开通，高压电源延时供电电路电压不能输出。低压电源延时供电电路电压经过第四电阻R4使三极管Q2导通，第二 MOS管Q3的电压变为第五本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高压与低压电源延时供电电路，其特征在于：包括低压电源延时供电电路和高压电源延时供电电路，所述高压电源延时供电电路的延时控制端与所述低电压电源延时供电电路的低压输出端连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：宋晖，鲜开义，贾澄科，杨莉君，李金波，
申请(专利权)人：成都慧拓自动控制技术有限公司，
类型：实用新型
国别省市：