本实用新型专利技术涉及一种高强度双层复合柱形封闭式钼舟，其高强度环形管状蒸发腔孔口，分别连接双层复合柱形蒸发腔和高强度R状正负电阻带，并与正负电极片链接，锥孔式抬高蒸发腔孔口结构把蒸发腔孔口抬至一定高度，双层复合蒸发腔孔口处设有一可搭载式R形加银口，正负电极片之间设有锥孔式抬高蒸发腔孔口结构，蒸发腔为一双层复合封闭式柱形腔，所述的高强度R状正负电阻带其形状为〕〔形。本实用新型专利技术所提供的高强度双层复合柱形封闭式钼舟设计结构合理紧凑，强度高，使用寿命长，封闭性能好。银丝蒸发后喷射强劲，调频速度快，与单臂柱形钼舟相比银丝耗量下降20％左右。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种高强度双层复合柱形封闭式钥舟，其应用于石英晶体频率调整中，专用电热蒸发原件。二
技术介绍
国内石英晶体企业普遍使用的是单臂柱形调频钥舟，在产品性能上得到用户认可的同时，也存在一定的弊端I、钥舟在长时间工作后蒸发腔逐渐变形、缩口。2、单臂式钥舟的电阻带高温变脆后易断。 3、在安装、折弯、抬高腔体孔口高度时操作繁琐。三
技术实现思路
本技术的目的是提供一种高强度双层复合柱形封闭式钥舟。本技术的目的是这样来实现的一种高强度双层复合柱形封闭式钥舟，它包括双层复合柱形蒸发腔，高强度环形管状蒸发腔孔口，高强度R状正负电阻带，可搭载式R形加银口，锥孔式抬高蒸发腔孔口结构，正负电极片，高强度环形管状蒸发腔孔口，分别连接双层复合柱形蒸发腔和高强度R状正负电阻带，并与正负电极片链接，锥孔式抬高蒸发腔孔口结构把蒸发腔孔口抬至一定高度，双层复合蒸发腔孔口处设有一可搭载式R形加银口，正负电极片之间设有锥孔式抬高蒸发腔孔口结构，蒸发腔为一双层复合封闭式柱形腔，所述的高强度R状正负电阻带其形状为〕〔形。本技术所提供的高强度双层复合柱形封闭式钥舟设计结构合理紧凑，强度高，使用寿命长，封闭性能好。银丝蒸发后喷射强劲，调频速度快，与单臂柱形钥舟相比银丝耗量下降20%左右。本技术所提供的高强度双层复合柱形蒸发腔是该钥舟的核心部件，其中I.高强度环形管状蒸发腔孔口 双层复合柱形蒸发腔孔口强度是钥舟使用寿命长短的重要因素之一，在蒸发腔孔口与电阻带连接处采用环形管状孔口结构，使蒸发腔孔口的强度得到极大提高，电阻带与腔体孔口处的柔韧性同时也得到了很好的改善。在环形管状孔口的强力支撑下蒸发腔孔口始终处在完好状态，不缩口。钥舟使用寿命进一步提高。2.高强度〕〔形R状电阻带高强度〕〔形R状电阻带与腔体一次加工成型后，电阻带与蒸发腔为一复合体。〕〔形R状电阻带强度显著增强，对蒸发腔有很好的包裹性。二体合为一体相互支撑有效解决了腔体变形，电阻带变脆易断的弊端，钥舟使用寿命提高33%。3.锥孔式抬高蒸发腔孔口结构该结构是在距蒸发腔底部一定距离，与两个电极片中间处加工成一锥形孔。利用锥孔直径的大小任意改变蒸发腔孔口的高度，使银丝高温溶化后顺利回流到蒸发腔底部，腔体保持良好地喷银状态。蒸发腔孔壁与孔口光滑、无残银，二次加银顺利。有效控制了人工操作的误差，安装方便快捷。4.可搭载式R形加银口 低频晶体用银量较之高频晶体大一些，蒸发腔内装银量不足时可在加银口处搭载银丝，银丝在R形加银口内不摆动，设备在轻微震动中银丝不掉落。四附图说明附图为本技术高强度双层复合柱形封闭式钥舟结构图。其中I-双层复合柱形蒸发腔2-高强度环形管状蒸发腔孔口3-高强度R状正负电阻带4-可搭载式R形加银口5-锥孔式抬高蒸发腔孔口结构 6-正负电极片五具体实施方式以下结合附图及实施例来对本技术作进一步详细描述。参照附图，本技术高强度双层复合柱形封闭式钥舟，它包括双层复合柱形蒸发腔I，高强度环形管状蒸发腔孔口 2，高强度R状正负电阻带3，可搭载式R形加银口 4，锥孔式抬高蒸发腔孔口结构5，正负电极片6，高强度环形管状蒸发腔孔口 2，分别连接双层复合柱形蒸发腔I和高强度R状正负电阻带3，并与正负电极片6链接，锥孔式抬高蒸发腔孔口结构5把蒸发腔孔口抬至一定高度，双层复合蒸发腔孔口处设有一可搭载式R形加银口4，正负电极片6之间设有锥孔式抬高蒸发腔孔口结构5，蒸发腔I为一双层复合封闭式柱形腔，所述的高强度R状正负电阻带3其形状为〕〔形。权利要求1.一种高强度双层复合柱形封闭式钥舟，它包括双层复合柱形蒸发腔(I)，高强度环形管状蒸发腔孔ロ(2)，高強度形R状正负电阻带(3)，可搭载式R形加银ロ(4)，锥孔式抬高蒸发腔孔ロ结构(5) ，正负电极片(6)，其特征在干高强度环形管状蒸发腔孔ロ(2)，分别连接双层复合柱形蒸发腔(I)和高強度〕〔形R状正负电阻带(3)，并与正负电极片(6)链接，锥孔式抬高蒸发腔孔ロ结构(5)把蒸发腔孔ロ抬至一定高度，双层复合蒸发腔孔ロ处设有一可搭载式R形加银ロ(4)，正负电极片(6)之间设有锥孔式抬高蒸发腔孔ロ结构(5)，蒸发腔(I)为一双层复合封闭式柱形腔，所述的高強度R状正负电阻带(3)其形状为〕〔形。专利摘要本技术涉及一种高强度双层复合柱形封闭式钼舟，其高强度环形管状蒸发腔孔口，分别连接双层复合柱形蒸发腔和高强度R状正负电阻带，并与正负电极片链接，锥孔式抬高蒸发腔孔口结构把蒸发腔孔口抬至一定高度，双层复合蒸发腔孔口处设有一可搭载式R形加银口，正负电极片之间设有锥孔式抬高蒸发腔孔口结构，蒸发腔为一双层复合封闭式柱形腔，所述的高强度R状正负电阻带其形状为〕〔形。本技术所提供的高强度双层复合柱形封闭式钼舟设计结构合理紧凑，强度高，使用寿命长，封闭性能好。银丝蒸发后喷射强劲，调频速度快，与单臂柱形钼舟相比银丝耗量下降20％左右。文档编号C23C14/24GK202643824SQ20122033885公开日2013年1月2日 申请日期2012年7月5日 优先权日2012年7月5日专利技术者张亮, 张士先 申请人:咸阳盛基电子有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种高强度双层复合柱形封闭式钼舟，它包括：双层复合柱形蒸发腔(1)，高强度环形管状蒸发腔孔口(2)，高强度形R状正负电阻带(3)，可搭载式R形加银口(4)，锥孔式抬高蒸发腔孔口结构(5)，正负电极片(6)，其特征在于：高强度环形管状蒸发腔孔口(2)，分别连接双层复合柱形蒸发腔(1)和高强度〕〔形R状正负电阻带(3)，并与正负电极片(6)链接，锥孔式抬高蒸发腔孔口结构(5)把蒸发腔孔口抬至一定高度，双层复合蒸发腔孔口处设有一可搭载式R形加银口(4)，正负电极片(6)之间设有锥孔式抬高蒸发腔孔口结构(5)，蒸发腔(1)为一双层复合封闭式柱形腔，所述的高强度R状正负电阻带(3)其形状为〕〔形。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张亮，张士先，
申请(专利权)人：咸阳盛基电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。