高强度双层复合柱形封闭式钼舟制造技术

本实用新型专利技术涉及一种高强度双层复合柱形封闭式钼舟，其高强度环形管状蒸发腔孔口，分别连接双层复合柱形蒸发腔和高强度R状正负电阻带，并与正负电极片链接，锥孔式抬高蒸发腔孔口结构把蒸发腔孔口抬至一定高度，双层复合蒸发腔孔口处设有一可搭载式R形加银口，正负电极片之间设有锥孔式抬高蒸发腔孔口结构，蒸发腔为一双层复合封闭式柱形腔，所述的高强度R状正负电阻带其形状为〕〔形。本实用新型专利技术所提供的高强度双层复合柱形封闭式钼舟设计结构合理紧凑，强度高，使用寿命长，封闭性能好。银丝蒸发后喷射强劲，调频速度快，与单臂柱形钼舟相比银丝耗量下降20％左右。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种高强度双层复合柱形封闭式钥舟，其应用于石英晶体频率调整中，专用电热蒸发原件。二
技术介绍
国内石英晶体企业普遍使用的是单臂柱形调频钥舟，在产品性能上得到用户认可的同时，也存在一定的弊端I、钥舟在长时间工作后蒸发腔逐渐变形、缩口。2、单臂式钥舟的电阻带高温变脆后易断。 3、在安装、折弯、抬高腔体孔口高度时操作繁琐。三
技术实现思路
本技术的目的是提供一种高强度双层复合柱形封闭式钥舟。本技术的目的是这样来实现的一种高强度双层复合柱形封闭式钥舟，它包括双层复合柱形蒸发腔，高强度环形管状蒸发腔孔口，高强度R状正负电阻带，可搭载式R形加银口，锥孔式抬高蒸发腔孔口结构，正负电极片，高强度环形管状蒸发腔孔口，分别连接双层复合柱形蒸发腔和高强度R状正负电阻带，并与正负电极片链接，锥孔式抬高蒸发腔孔口结构把蒸发腔孔口抬至一定高度，双层复合蒸发腔孔口处设有一可搭载式R形加银口，正负电极片之间设有锥孔式抬高蒸发腔孔口结构，蒸发腔为一双层复合封闭式柱形腔，所述的高强度R状正负电阻带其形状为〕〔形。本技术所提供的高强度双层复合柱形封闭式钥舟设计结构合理紧凑，强度高，使用寿命长，封闭性能好。银丝蒸发后喷本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高强度双层复合柱形封闭式钼舟，它包括：双层复合柱形蒸发腔(1)，高强度环形管状蒸发腔孔口(2)，高强度形R状正负电阻带(3)，可搭载式R形加银口(4)，锥孔式抬高蒸发腔孔口结构(5)，正负电极片(6)，其特征在于：高强度环形管状蒸发腔孔口(2)，分别连接双层复合柱形蒸发腔(1)和高强度〕〔形R状正负电阻带(3)，并与正负电极片(6)链接，锥孔式抬高蒸发腔孔口结构(5)把蒸发腔孔口抬至一定高度，双层复合蒸发腔孔口处设有一可搭载式R形加银口(4)，正负电极片(6)之间设有锥孔式抬高蒸发腔孔口结构(5)，蒸发腔(1)为一双层复合封闭式柱形腔，所述的高强度R状正负电阻带(3)其形状为〕〔形。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张亮，张士先，
申请(专利权)人：咸阳盛基电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：