光电转换元件及光电转换装置以及光电转换元件的制造方法制造方法及图纸

在缓冲层上进一步层叠窗层等情况下，耐湿性、耐等离子体性变差，因此在形成了窗层时，缓冲层及光吸收层容易受到损伤，从可靠性的观点考虑，变得不能满足转换效率。本发明专利技术提供一种光电转换元件，具有：设置于下部电极层上的、含有IB族元素、IIIB族元素及VIB族元素的光吸收层；设置于该光吸收层上的、含有IIIB族元素及VIB族元素的第一半导体层；设置于该第一半导体层上的、含有IIB族元素的氧化物的第二半导体层，所述光吸收层在所述第一半导体层侧具有含有IIB族元素的掺杂层区域。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及。
技术介绍
作为使用于太阳光发电等的光电转换装置，存在用光吸收系数高的CIGS等黄铜矿系的I-III-VI族化合物半导体形成光吸收层的光电转换装置。CIGS适应于光电转换装置的薄膜化、大面积化及低成本化，使用了 CIGS的下一代太阳能电池的研究开发正在进行。这样的黄铜矿系的光电转换装置具有将光电转换元件平面性地排列设置多个的 结构。该光电转换元件在玻璃等基板上依次层叠金属电极等下部电极、作为含有光吸收层或缓冲层等的半导体层的光电转换层、透明电极或金属电极等上部电极而构成。并且，多个光电转换元件通过使用连接导体电连接相邻的ー个光电转换元件的上部电极和另ー个光电转换元件的下部电极而电串联。最近将Zn直接扩散于CIGS的光吸收层的方法被公开。例如如日本特开2004-15039号公报所示那样，公开了在用CBD法(化学水浴成长法)形成作为缓冲层的ZnS时，将n型半导体扩散于CIGS的光吸收层的方法。
技术实现思路
专利技术要解决的课题然而，在缓冲层上进ー步层叠窗层等情况下，ZnS的缓冲层的耐湿性、耐等离子体性低，因此在形成了窗层时，缓冲层及光吸收层容易受到损伤，不易提高光电转换元本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：大前智史，阿部真一，福留正人，大隈丈司，白泽胜彦，西村刚太，丰田大介，佐野浩孝，黑须敬太，
申请(专利权)人：京瓷株式会社，
类型：
国别省市：