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在缓冲层上进一步层叠窗层等情况下，耐湿性、耐等离子体性变差，因此在形成了窗层时，缓冲层及光吸收层容易受到损伤，从可靠性的观点考虑，变得不能满足转换效率。本发明提供一种光电转换元件，具有：设置于下部电极层上的、含有IB族元素、IIIB族元素及...
该专利属于京瓷株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过京瓷株式会社授权不得商用。

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