本发明专利技术公开了一种谐振型异或门振荡集成系统，其特征在于，主要由异或门集成芯片U1和异或门集成芯片U2，与异或门集成芯片U1和异或门集成芯片U2的输入端均相连接的电阻R，与异或门集成芯片U1和异或门集成芯片U2的输出端相连接的谐振保护电路，与异或门集成芯片U1相并联的振荡电路，以及与异或门集成芯片U2相并联的反接保护电路组成。本发明专利技术能彻底解决传统的异或门电路不具有谐振保护功能、振荡功能和反接保护功能的缺陷。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电路集成系统，具体是指一种谐振型异或门振荡集成系统。
技术介绍
电子设备是人们目前常用的生活工具，而大多数的电子设备中都具有异或门电路，以通过识别高、底电平来对电子设备进行控制。但目前市面上的异或门电路均为单纯的异或运算电路，其不具有谐振保护功能、振荡功能和反接保护功能，因此当输入的电压出现脉冲时，不仅会极大的影响到异或门电路的正常使用，减少异或门电路的使用寿命，甚至还会击穿该异或门电路，给使用者造成安全隐患
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服目前的异或门电路不具有谐振保护功能、振荡功能和反接保护功能的缺陷，提供一种结构简单，具有谐振保护功能、振荡功能和反接保护功能的一种谐振型异或门振荡集成系统。本专利技术通过以下技术方案来实现谐振型异或门振荡集成系统，其主要由异或门集成芯片Ul和异或门集成芯片U2，与异或门集成芯片Ul和异或门集成芯片U2的输入端均相连接的电阻R，与异或门集成芯片Ul和异或门集成芯片U2的输出端相连接的谐振保护电路，与异或门集成芯片Ul相并联的振荡电路，以及与异或门集成芯片U2相并联的反接保护电路组成。所述的谐振保护电路由场效应晶体管Q2，一端与场效应晶体管Q2的栅极相连接、另一端依次经电容C2、电容C4后与场效应晶体管Q2的漏极相连接的电容Cl，串接在电容Cl与电容C2的连接点与场效应晶体管Q2的漏极之间的电容C3，以及与电容C4相并联的电感L2组成；所述异或门集成芯片Ul的输出端与电容Cl和电容C2的连接点相连接，异或门集成芯片U2的输出端则与电容C2与电容C4的连接点相连接。所述的振荡电路由场效应晶体管Q1，一端与场效应晶体管Ql的栅极相连接、另一端与异或门集成芯片Ul的输入端相连接的耦合滤波电路，以及与场效应晶体管Q相并联的二极管D组成。所述的反接保护电路由一端与异或门集成芯片U2的输入端相连接、另一端经二极管D3、继电器K后与异或门集成芯片U2的输出端相连接的熔断器F，以及与继电器K相并联的二极管D4组成，继电器K的常开触点则与电阻R相串接。为了较好的实现本使用新型，所述电阻R的阻值为4. 7 ΚΩ，所述的耦合滤波电路由相互并联的电感LI和低频滤波电容CT组成。所述的电容Cl、电容C2、电容C3及电容C4均为高压贴片电容。本专利技术与现有技术相比，具有以下优点及有益效果 (I)本专利技术能彻底解决传统的异或门电路不具有谐振保护功能、振荡功能和反接保护功能的缺陷。(2)本专利技术具有良好的滤波稳压功能，因此能有效过滤交流电源的一次谐波和二次谐波，延长电子设备的使用寿命。(3)本专利技术的性能非常稳定，便于制作和使用，且能最大程度的杜绝使用者的安全隐患。附图说明图I为本专利技术的电路结构示意图。具体实施例方式下面结合实施例对本专利技术作进一步地详细说明，但本专利技术的实施方式不限于此。实施例如图I所示，本专利技术的集成系统包括异或门集成芯片Ul和异或门集成芯片U2，与异或门集成芯片Ul和异或门集成芯片U2的输入端均相连接的电阻R，与异或门集成芯片Ul和异或门集成芯片U2的输出端相连接的谐振保护电路，与异或门集成芯片Ul相并联的振荡电路，以及与异或门集成芯片U2相并联的反接保护电路。如图所示，该谐振保护电路由场效应晶体管Q2，一端与场效应晶体管Q2的栅极相连接、另一端依次经电容C2、电容C4后与场效应晶体管Q2的漏极相连接的电容Cl，串接在电容Cl与电容C2的连接点与场效应晶体管Q2的漏极之间的电容C3，以及与电容C4相并联的电感L2组成；所述异或门集成芯片Ul的输出端与电容Cl和电容C2的连接点相连接，异或门集成芯片U2的输出端则与电容C2与电容C4的连接点相连接。所述的振荡电路则由场效应晶体管Q1，一端与场效应晶体管Ql的栅极相连接、另一端与异或门集成芯片Ul的输入端相连接的耦合滤波电路，以及与场效应晶体管Q相并联的二极管D组成。为了确保使用效果，该耦合滤波电路优先由相互并联的电感LI和低频滤波电容CT组成。所述的反接保护电路由一端与异或门集成芯片U2的输入端相连接、另一端经二极管D3、继电器K后与异或门集成芯片U2的输出端相连接的熔断器F，以及与继电器K相并联的二极管D4组成，继电器K的常开触点则与电阻R相串接。为了较好的实现本专利技术，所述电阻R的阻值优先为4. 7 1(0，而电容(1、电容02、电容C3及电容C4均为高压贴片电容。如上所述，便可较好的实现本专利技术。权利要求1.谐振型异或门振荡集成系统，其特征在于，主要由异或门集成芯片Ui和异或门集成芯片U2，与异或门集成芯片Ul和异或门集成芯片U2的输入端均相连接的电阻R，与异或门集成芯片Ul和异或门集成芯片U2的输出端相连接的谐振保护电路，与异或门集成芯片Ul相并联的振荡电路，以及与异或门集成芯片U2相并联的反接保护电路组成。2.根据权利要求I所述的谐振型异或门振荡集成系统，其特征在于所述的谐振保护电路由场效应晶体管Q2，一端与场效应晶体管Q2的栅极相连接、另一端依次经电容C2、电容C4后与场效应晶体管Q2的漏极相连接的电容Cl，串接在电容Cl与电容C2的连接点与场效应晶体管Q2的漏极之间的电容C3，以及与电容C4相并联的电感L2组成；所述异或门集成芯片Ul的输出端与电容Cl和电容C2的连接点相连接，异或门集成芯片U2的输出端则与电容C2与电容C4的连接点相连接。3.根据权利要求I或2所述的谐振型异或门振荡集成系统，其特征在于所述的振荡电路由场效应晶体管Q1，一端与场效应晶体管Ql的栅极相连接、另一端与异或门集成芯片Ul的输入端相连接的耦合滤波电路，以及与场效应晶体管Q相并联的二极管D组成。4.根据权利要求3所述的谐振型异或门振荡集成系统，其特征在于所述的耦合滤波电路由相互并联的电感LI和低频滤波电容CT组成。5.根据权利要求3所述的谐振型异或门振荡集成系统，其特征在于，所述的反接保护电路由一端与异或门集成芯片U2的输入端相连接、另一端经二极管D3、继电器K后与异或门集成芯片U2的输出端相连接的熔断器F，以及与继电器K相并联的二极管D4组成，继电器K的常开触点则与电阻R相串接。6.根据权利要求5所述的谐振型异或门振荡集成系统，其特征在于所述电阻R的阻值为4. 7 ΚΩ。7.根据权利要求2所述的谐振型异或门振荡集成系统，其特征在于所述的电容Cl、电容C2、电容C3及电容C4均为高压贴片电容。全文摘要本专利技术公开了一种谐振型异或门振荡集成系统，其特征在于，主要由异或门集成芯片U1和异或门集成芯片U2，与异或门集成芯片U1和异或门集成芯片U2的输入端均相连接的电阻R，与异或门集成芯片U1和异或门集成芯片U2的输出端相连接的谐振保护电路，与异或门集成芯片U1相并联的振荡电路，以及与异或门集成芯片U2相并联的反接保护电路组成。本专利技术能彻底解决传统的异或门电路不具有谐振保护功能、振荡功能和反接保护功能的缺陷。文档编号H03K19/20GK102857216SQ20121030484公开日2013年1月2日 申请日期2012年8月25日 优先权日2012年8月25日专利技术者王艳 申请人:成都方拓科技有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
谐振型异或门振荡集成系统，其特征在于，主要由异或门集成芯片U1和异或门集成芯片U2，与异或门集成芯片U1和异或门集成芯片U2的输入端均相连接的电阻R，与异或门集成芯片U1和异或门集成芯片U2的输出端相连接的谐振保护电路，与异或门集成芯片U1相并联的振荡电路，以及与异或门集成芯片U2相并联的反接保护电路组成。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王艳，
申请(专利权)人：成都方拓科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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