一种反接保护电子镇流器用电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种反接保护电子镇流器用电路，其特征在于：主要由依次串接而成的稳压滤波电路（1）、升压保护电路（2）、逐源滤波电路（3）、自激高频电路（4）及谐振保护电路（5）组成。本实用新型专利技术能确保输入电压在突变时，能很好的保护电子元器件，防止峰值击穿，从而延长电子产品的使用寿命。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电子应用领域，具体是指一种反接保护电子镇流器用电路。
技术介绍
目前，荧光灯和节能灯是人们经常要使用的电器，由于这些电器都是通过灯丝加热或灯丝电离气体来发光的，因此在使用时都需要用到电子镇流器。但目前人们所使用的电子镇流器内部的电路既不具有良好的反电势保护功能，也不具有良好的滤波作用，因此当输入的电压因各种原因出现峰值突变、出现大量一、二次谐波时，该电子整流器便存在较 大的安全隐患，不利于人们的广泛使用和推广。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术中电子镇流器内部电路不具有峰值反电势保护功能和良好滤波功能的缺陷，提供一种结构简单，能有效实现峰值反电势保护功能和滤波功能的一种反接保护电子镇流器用电路。本技术的目的通过下述技术方案实现一种反接保护电子镇流器用电路，主要由依次串接而成的稳压滤波电路、升压保护电路、逐源滤波电路、自激高频电路及谐振保护电路组成。所述稳压滤波电路由电感LI、电感L2以及电容Cl和电容C2组成，所述电容Cl的两端分别与电感LI和电感L2的一端相连后形成滤波输入端，电容C2的两端则分别与电感LI和电感L2的另一端相连后形成滤波输出端，同时在电感LI和电感L2处还分别并联有二极管D。所述升压保护电路由相互串接的电阻Rl和电容C3，一端连接在分压Rl和电容C3之间的双向触发二极管DB和二极管D3，以及连接在电阻Rl的输入端与双向触发二极管DB的输出端之间的反接保护电路组成；而该反接保护电路则由依次串接的熔断器F、二极管Dl和继电器K，以及与继电器K相并联的二极管D2组成；所述熔断器F与电阻Rl之间的接点通过继电器K的常开触点与电感LI与电容C2的连接点相连接，而电容C3的另一端则与电容C2与电感L2的连接点相连接。所述的逐源滤波电路包括相互串接的低频滤波电容TCl和二极管D6，相互串接的二极管D4和低频滤波电容TC2，串接在低频滤波电容TCl和二极管D6的连接点与二极管D4与低频滤波电容TC2的连接点之间的二极管D5，相互串接的电感L3和电容C4，顺次串接的熔断器F3、二极管D31、二极管D32，以及与二极管D32相并联的继电器K3 ;所述熔断器F3的另一端、低频滤波电容TCl的正极、二级管D4的N极及电感L3的输入端均经继电器K3的常开触点后与双向触发二极管DB的输出端相连接；二极管D32的P极与电感L3与电容C4的连接点相连接；电容C4的另一端、低频滤波电容TC2的负极和二极管D6的P极则均与电容C3的另一端相连接。所述的自激闻频电路包括场效应晶体管Ql、场效应晶体管Q2,与场效应晶体管Ql和场效应晶体管Q2相并联的耦合整流电路，以及反接保护电路组成；其中与场效应晶体管Ql相并联的耦合整流电路由连接在场效应晶体管Ql的栅极与漏极之间的电感线圈L43，相互串接后再与电感线圈L43两端相连接 的二极管DTl和二极管DT2组成；与场效应晶体管Q2相并联的耦合整流电路主要由连接在场效应晶体管Q2的栅极与漏极之间的电感线圈L42,以及相互串接后再与电感线圈L42两端相连接的二极管DT3和二极管DT4组成；所述反接保护电路由顺次串接的继电器K4、二极管DT7、熔断器F4及电感线圈L41，以及与继电器K4相并联的二极管DT8组成；同时，场效应晶体管Ql与场效应晶体管Q2的连接点经继电器K4的常开触点后与电感L3相连接；场效应晶体管Q2的漏极还与低频滤波电容TC2的负极相连接。所述谐振保护电路由场效应晶体管Q3，一端与场效应晶体管Q3的栅极相连接、另一端依次经电容C6、电容C8后与场效应晶体管Ql的漏极相连接的电容C5，串接在电容C5与电容C6的连接点与场效应晶体管Ql的漏极之间的电容C7，以及与电容C8相并联的电感L4组成。本技术较现有技术相比，具有以下优点及有益效果(I)本技术的滤波电路结构简单、便于制作和维护。(2)本技术的电路中具有反接保护电路，因此即便在电源接反时，电源的峰值电压也不会击穿电器设备，从而延长电器设备的使用寿命。(3)本技术通过自激高频电路与反接保护电路的配合，能够确保自激高频电路的结构安全，能有效降低事故发生的概率。附图说明图I为本技术的整体结构示意图。具体实施方式下面结合实施例对本技术作进一步地详细说明，但本技术的实施方式不限于此。实施例如图I所示，本技术整体由依次串接而成的稳压滤波电路I、升压保护电路2、逐源滤波电路3、自激高频电路4及谐振保护电路5这五个部分组成。如图所示，该稳压滤波电路I由电感LI、电感L2以及电容Cl和电容C2组成，所述电容Cl的两端分别与电感LI和电感L2的一端相连后形成滤波输入端，电容C2的两端则分别与电感LI和电感L2的另一端相连后形成滤波输出端，同时在电感LI和电感L2处还分别并联有二极管D。所述升压保护电路由相互串接的电阻Rl和电容C3，一端连接在分压Rl和电容C3之间的双向触发二极管DB和二极管D3，以及连接在电阻Rl的输入端与双向触发二极管DB的输出端之间的反接保护电路组成；而该反接保护电路则由依次串接的熔断器F、二极管Dl和继电器K，以及与继电器K相并联的二极管D2组成；所述熔断器F与电阻Rl之间的接点通过继电器K的常开触点与电感LI与电容C2的连接点相连接，而电容C3的另一端则与电容C2与电感L2的连接点相连接。所述的逐源滤波电路包括相互串接的低频滤波电容TCl和二极管D6，相互串接的二极管D4和低频滤波电容TC2，串接在低频滤波电容TCl和二极管D6的连接点与二极管D4与低频滤波电容TC2的连接点之间的二极管D5，相互串接的电感L3和电容C4，顺次串接的熔断器F3、二极管D31、二极管D32，以及与二极管D32相并联的继电器K3 ;所述熔断器F3的另一端、低频滤波电容TCl的正极、二级管D4的N极及电感L3的输入端均经继电器K3的常开触点后与双向触发二极管DB的输出端相连接；二极管D32的P极与电感L3与电容C4的连接点相连接；电容C4的另一端、低频滤波电容TC2的负极和二极管D6的P极则均与电容C3的另一端相连接。所述的自激闻频电路包括场效应晶体管Ql、场效应晶体管Q2,与场效应晶体管Ql和场效应晶体管Q2相并联的耦合整流电路，以及反接保护电路组成；其中与场效应晶体管Ql相并联的耦合整流电路由连接在场效应晶体管Ql的栅极与漏极之间的电感线圈L43，相互串接后再与电感线圈L43两端相连接的二极管DTl和二极管DT2组成；与场效应晶体管Q2相并联的耦合整流电路主要由连接在场效应晶体管Q2的栅极与漏极之间的电感线圈L42,以及相互串接后再与电感线圈L42两端相连接的二极管DT3和二极管DT4组成；所述反接保护电路由顺次串接的继电器K4、二极管DT7、熔断器F4及电感线圈L41，以及与继电器K4相并联的二极管DT8组成；同时，场效应晶体管Ql与场效应晶体管Q2的连接点经继电器K4的常开触点后与电感L3相连接；场效应晶体管Q2的漏极还与低频滤波电容TC2的负极相连接。所述谐振保护电路由场效应晶体管Q3，一端与场效应晶体管Q3的栅极相连接、另一端依次经电容C6、电容C8后与场效应晶体管Ql的漏极相连接的电容C5，串接在电容C5与电容C6的连接点与场效应晶体管Ql的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种反接保护电子镇流器用电路，其特征在于：主要由依次串接而成的稳压滤波电路（1）、升压保护电路（2）、逐源滤波电路（3）、自激高频电路（4）及谐振保护电路（5）组成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王艳，
申请(专利权)人：成都方拓科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：