一种荧光灯用自激震荡滤波电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种荧光灯用自激震荡滤波电路，其特征在于：主要由场效应晶体管Q1、场效应晶体管Q2，以及分别与场效应晶体管Q1和场效应晶体管Q2相并联的耦合滤波电路组成。本实用新型专利技术的电路中具有耦合滤波电路，因此能有效的将输入的一次谐波和二次谐波进行充分过滤，确保自激震荡电路的正常使用。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种变换电路，具体是指一种荧光灯用自激震荡滤波电路。
技术介绍
荧光灯是人们最为普遍使用的一种电器，由于该电器都是通过灯丝加热气体来发光的，因此在使用时都需要用到电子镇流器。但目前人们所使用的电子镇流器内部的自激震荡变换电路却不具有良好的滤波功能，从而使得一次谐波和二次谐波都会进入到自激震荡电路，进而会由于其峰值而击穿电子镇流器，不利于人们的安全。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术中自激震荡变换电路不具有良好滤波功能的缺陷，提供一种荧光灯用自激震荡滤波电路。本技术的目的通过下述技术方案实现一种荧光灯用自激震荡滤波电路,主要由场效应晶体管Q1、场效应晶体管Q2，以及分别与场效应晶体管Ql和场效应晶体管Q2相并联的耦合滤波电路组成。为了较好的实现本技术，与场效应晶体管Ql相并联的耦合滤波电路主要由连接在场效应晶体管Ql的栅极与漏极之间的电感线圈L3，以及与该电感线圈L3相并联的低频滤波电容Cl组成。与场效应晶体管Q2相并联的耦合滤波电路主要由连接在场效应晶体管Q2的栅极与漏极之间的电感线圈L2，以及与电感线圈L2相并联的低频滤波电容C2组成。同时，在场效应晶体管Ql处还并联有二级管DT5，在场效应晶体管Q2处并联有二极管DT6。本技术较现有技术相比，具有以下优点及有益效果( I)本技术整体结构非常简单，便于推广和应用。(2)本技术的电路中具有耦合滤波电路，因此能有效的将输入的一次谐波和二次谐波进行充分过滤，确保自激震荡电路的正常使用。(3)本技术的整体性能非常稳定，能最大程度的降低安全隐患。附图说明图I为本技术的整体结构示意图。具体实施方式下面结合实施例对本技术作进一步地详细说明，但本技术的实施方式不限于此。实施例如图I所不，本技术的电路包括场效应晶体管Q1、场效应晶体管Q2以及两个耦合滤波电路。其中，场效应晶体管Ql的源极与场效应晶体管Q2的集电极相连接，同时，在场效应晶体管Ql的集电极与源极之间还并联有二极管DT5，而在场效应晶体管Q2的集电极与源极之间并联有二极管DT6，以确保两个场效应晶体管不会被反向击穿。如图所示，与场效应晶体管Ql相并联的耦合滤波电路主要由连接在场效应晶体管Ql的栅极与漏极之间的电感线圈L3，以及与该电感线圈L3相并联的低频滤波电容Cl组成。与场效应晶体管Q2相并联的耦合滤波电路主要由连接在场效应晶体管Q2的栅极与漏极之间的电感线圈L2，以及与电感线圈L2相并联的低频滤波电容C2组成。 如上所述，便可以很好的实现本技术。权利要求1.一种荧光灯用自激震荡滤波电路，其特征在于主要由场效应晶体管Q1、场效应晶体管Q2，以及分别与场效应晶体管Ql和场效应晶体管Q2相并联的耦合滤波电路组成。2.根据权利要求I所述的一种荧光灯用自激震荡滤波电路，其特征在于与场效应晶体管Ql相并联的耦合滤波电路主要由连接在场效应晶体管Ql的栅极与漏极之间的电感线圈L3，以及与该电感线圈L3相并联的低频滤波电容Cl组成。3.根据权利要求I所述的一种荧光灯用自激震荡滤波电路，其特征在于与场效应晶体管Q2相并联的耦合滤波电路主要由连接在场效应晶体管Q2的栅极与漏极之间的电感线圈L2，以及与电感线圈L2相并联的低频滤波电容C2组成。4.根据权利要求I 3任一项所述的一种荧光灯用自激震荡滤波电路，其特征在于在场效应晶体管Ql处还并联有二级管DT5，在场效应晶体管Q2处并联有二极管DT6。专利摘要本技术公开了一种荧光灯用自激震荡滤波电路，其特征在于主要由场效应晶体管Q1、场效应晶体管Q2，以及分别与场效应晶体管Q1和场效应晶体管Q2相并联的耦合滤波电路组成。本技术的电路中具有耦合滤波电路，因此能有效的将输入的一次谐波和二次谐波进行充分过滤，确保自激震荡电路的正常使用。文档编号H05B41/282GK202799339SQ20122039604公开日2013年3月13日 申请日期2012年8月12日 优先权日2012年8月12日专利技术者王艳 申请人:成都方拓科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种荧光灯用自激震荡滤波电路，其特征在于：主要由场效应晶体管Q1、场效应晶体管Q2，以及分别与场效应晶体管Q1和场效应晶体管Q2相并联的耦合滤波电路组成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王艳，
申请(专利权)人：成都方拓科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：