大功率半导体开关器件通用驱动芯片制造技术

一种大功率半导体开关器件通用驱动芯片，包括电源脚、地脚、正向输入脚、反向输入脚和驱动输出脚，其内集成有MOS对管、电平选择电路和DC-DC变换电路，DC-DC变换电路与电源脚连接；MOS对管由P-MOS管和N-MOS管组成，P-MOS管源极接电源脚，N-MOS管源极接地脚，漏极接驱动输出脚；电平选择电路的一个输入端接正向输入脚并通过第一电阻接地脚，另一个输入端接反向输入脚并通过第二电阻接DC-DC变换电路的输出端，电平选择电路的输出端经驱动单元接MOS对管的栅极。本驱动芯片可以应用于电磁感应加热装置。本驱动芯片控制方式灵活，能够大大减小应用电路占用的空间，提高抗干扰能力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及驱动芯片，更具体地说，是一种大功率半导体开关器件通用驱动芯片。
技术介绍
大功率驱动应用装置，比如利用IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)驱动的装置---电磁炉，IH(Induction Heating)饭煲等，已经被广泛地使用。人们也在不断地对其进行改进，以改善性能和降低成本。现有的IGBT驱动电路采用分立元件组成，成本高，占用空间大，装配复杂，抗干扰能力差，静态功耗大，不符合电子产品的小型化、集成化的发展趋势。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，针对现有大功率驱动电路存在的元件占用空间大、抗干扰能力差和控制模式单一的缺陷，提供一种大功率半导体开关器件通用驱动芯片。本专利技术一种大功率半导体开关器件通用驱动芯片包括电源脚、地脚、正向输入脚、反向输入脚和驱动输出脚，所述芯片内集成有MOS对管、电平选择电路和DC-DC变换电路，所述DC-DC变换电路与电源脚连接用于产生+5V电源；所述MOS对管由P-MOS管和N-MOS管漏极相接组成，P-MOS管源极接电源脚，N-MOS管源极接地脚，漏极接所述驱动输出脚；所述电平选择电路的一个本文档来自技高网...

【技术保护点】
大功率半导体开关器件通用驱动芯片，其特征在于，包括电源脚(VDD)、地脚(GND)、正向输入脚(IN+)、反向输入脚(IN？)和驱动输出脚(OUT)，所述芯片内集成有MOS对管(1)、电平选择电路(3)和DC？DC变换电路(4)，所述DC？DC变换电路与电源脚连接用于产生+5V电源；所述MOS对管由P？MOS管和N？MOS管漏极相接组成，P？MOS管源极接电源脚，N？MOS管源极接地脚，漏极接所述驱动输出脚；所述电平选择电路的一个输入端接正向输入脚并通过第一电阻接(8)地脚，另一个输入端接反向输入脚并通过第二电阻(7)接DC？DC变换电路的输出端，电平选择电路的输出端经驱动单元(2)接MOS对...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：丘守庆，许申生，李鹏，程高明，陈劲锋，刘春光，
申请(专利权)人：深圳市鑫汇科电子有限公司，
类型：发明
国别省市：