一种金属氧化物边缘场开关型液晶显示面板及其制造方法技术

本发明专利技术提出一种金属氧化物边缘场开关型液晶显示面板及其制造方法，包括：扫描线；信号线，与扫描线纵横交叉，像素单元，由扫描线和信号线交叉限定，所述每个像素单元包括薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管包括与TFT栅极、TFT源极、以及TFT漏极，所述TFT源极、TFT漏极及像素电极位于底层；栅格状共通电极，位于顶层；第一绝缘层，覆盖在TFT源极、TFT漏极和像素电极之上；共通电极线，与所述栅格状共通电极线电性连接；第二绝缘层，覆盖在信号线、扫描线和共通电极线之上。本发明专利技术以金属氧化物作为TFT沟道半导体、源漏电极、栅格状像素电极或栅格状共通电极使用，可以提高TFT驱动能力和简化工艺。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种金属氧化物边缘场开关型液晶显示面板的制造方法。
技术介绍
传统的CRT显示器依靠阴极射线管发射电子撞击屏幕上的磷光粉来显示图像，但液晶显示的原理则完全不同。通常，液晶显示(LCD)装置具有上基板和下基板，彼此有 一定间隔和互相正对。形成在两个基板上的多个电极相互正对。液晶夹在上基板和下基板之间。电压通过基板上的电极施加到液晶上，然后根据所作用的电压改变液晶分子的排列从而显示图像、因为如上所述液晶显示装置不发射光，它需要光源来显示图像。因此，液晶显示装置具有位于液晶面板后面的背光源。根据液晶分子的排列控制从背光源入射的光量从而显示图像。如图I所示，上层偏光片101和下层偏光片109之间夹有彩膜基板104、共通电极105、液晶层106和阵列基板107，液晶分子是具有折射率及介电常数各向异性的物质。在阵列基板107上形成像素电极108、薄膜晶体管(TFT) 114、阵列子像素111、扫描线110、信号线112等。信号线112连接到TFT的漏极，像素电极108连接到源级，扫描线110连接到栅极。背光源113发出的光线经过下偏光片109,成为具有一定偏振方向的偏振光。薄膜晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种金属氧化物边缘场开关型液晶显示面板，其特征在于，包括：扫描线；信号线，与扫描线纵横交叉，所述信号线包括第一信号线、相邻像素单元的第二信号线和位于第一信号线和第二信号线之间的信号线连接线；像素单元，由扫描线和信号线交叉限定，所述每个像素单元包括薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管包括与扫描线电性连接的TFT栅极、与信号线连接线电性连接的TFT源极、与像素电极电性连接的TFT漏极、以及TFT沟道区，所述TFT沟道区位于底层；栅格状共通电极，位于顶层；共通电极线，与所述栅格状共通电极线电性连接；第一绝缘层，覆盖在TFT沟道区之上；第二绝缘层，覆盖在信号线、扫描线和共通电极线之上；第三绝缘层，覆盖...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：焦峰，
申请(专利权)人：南京中电熊猫液晶显示科技有限公司，
类型：发明
国别省市：