一种GaN基多量子阱结构的外延片压电场的测量系统技术方案

本实用新型专利技术提供一种GaN基多量子阱结构的外延片压电场的测量系统，包括：设置在测量密封室内、激发所述外延片产生光信号，并对所述光信号进行模数处理的测量子系统；通过所述光信号获得外延片光谱从而获得外延片压电场的分析控制子系统。所述测量子系统包括：为外延片提供外置电压的电压源；产生用于照射在外延片表面的光以激发外延片产生光信号的激发光源；接收并放大外延片的光信号的光电倍增管；将光电倍增管输出的光信号转换为数字信号的A/D模数转换器。所述分析控制子系统包括：得到外延片的光谱并获得外延片压电场的多功能控制器和调节电压源电压的电压调节控制器。本实用新型专利技术结构简单，操作方便，准确获得的外延片压电场。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及GaN基半导体器件测量
，特别是涉及一种GaN基多量子阱结构的外延片压电场的测量系统。
技术介绍
由于GaN基半导体器件特殊的空间对称性，以及材料本身大的压电常数，不同组分合金之间大的晶格失配而极易引起大的应变，在垂直极性面GaN基应变薄膜的方向上，存在很大的自发极化，产生自发极化场。在GaN基多量子阱结构中，压电极化场的存在引起量子阱的能带结构在异质界面处发生倾斜，电子和空穴波函数在空间上发生分离，重叠密度大为减少，电子空穴对复合几率因而减少。这种由极化场引起的量子限制斯达克(stark)效应将使发光器件的发光波长的不稳定性和发光效率低，这些都是在极性衬底上生长的 GaN极性薄膜所不可避免的。量子限制stark效应是影响GaN基器件的内量子效率的重要机制，其使发光器件的辐射复合效率降低。然而，目前对于内量子效率的直接测量手段很少有报道，测量手段往往局限于传统的反推式，反推要求能够精确的计算取光效率，而取光效率主要受芯片几何外形，材料折射率和各种吸收损耗的影响。还有些学者提出一种变温测量的方法，在降温过程中测量外量子效率随温度的变化，在一定温度范围内，测量出外量子效本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种GaN基多量子阱结构的外延片压电场的测量系统，其特征在于，包括：设置在测量密封室内、激发外延片产生光信号，并对所述光信号进行模数处理的测量子系统；与所述测量子系统相连、通过所述光信号获得外延片光谱并通过分析所述外延片光谱获得外延片压电场的分析控制子系统。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：汪连山，吕志勤，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：实用新型
国别省市：