电子材料的清洗方法和清洗系统技术方案

一种电子材料清洗系统具备试剂清洗设备(1)、湿式清洗设备(2)和单片式清洗装置(3)。试剂清洗设备(1)具有功能性试剂蓄存槽(6)和介由浓硫酸电解管道(7)与该功能性试剂蓄存槽(6)连接的电解反应装置(8)。该功能性试剂蓄存槽(6)介由功能性试剂供给管道(10)可将功能性试剂(W1)供给于单片式清洗装置(3)。湿式清洗设备(2)具备纯水的供给管道(21)、与氮气源连通的氮气供给管道(22)、以及这些纯水供给管道(21)和氮气供给管道(22)分别连接于其上的内部混合型二流体喷嘴(23)。从二流体喷嘴(23)的前端可喷射由氮气和超纯水形成的液滴(W2)。根据所述电子材料清洗系统，可以缩短电子材料的抗蚀剂的剥离处理所需的时间，进而通过抗蚀剂剥离后的湿式清洗，可以在短时间内确实地除去抗蚀剂残渣。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在要求极严格的控制的电子部件制造领域、具体为半导体基板、液晶显示屏、有机EL显示屏及其光掩模等的制造领域中用于将电子材料上的抗蚀剂等有效剥离除去的清洗方法和清洗系统。
技术介绍
在半导体的制造エ序中，包含在半导体晶片的表面局部注入作为杂质的金属离子的エ序。该エ序中，为了防止向不希望的部分的注入，由感光性树脂材料等构成的抗蚀剂作为掩模材料被形成图案，在抗蚀剂表面也注入同等浓度的离子。由于离子注入后的抗蚀剂在制造上是无用的产物，所以进行用于从晶片表面上剥离除去的抗蚀剂除去处理。 这样的抗蚀剂除去处理中，用灰化装置将抗蚀剂灰化后，运进清洗装置，利用清洗液除去抗蚀剂残渣。但是，进行利用灰化装置的灰化处理时，存在未被抗蚀剂保护的部分受到损害的问题。对于该问题，专利文献I中记载了，对晶片表面供给硫酸和过氧化氢的混合液SPM，利用SPM所含的过ー硫酸(H2SO5)的氧化カ将晶片表面无用的抗蚀剂剥离除去。另外，即使用SPM清洗时，离子的注入量为高浓度的情况下，由于抗蚀剂的表面变质，所以有时也无法良好地除去抗蚀剂或除去抗蚀剂花费时间。因此，对于这种情况，专利文献I中提出了一种处理方法，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.03.15 JP 2010-0572461.一种电子材料的清洗方法，其特征在于，具有 试剂清洗エ序，该试剂清洗エ序使电解硫酸所得到的功能性试剂接触电子材料；和 湿式清洗エ序，该湿式清洗エ序使由气体和液体形成的液滴的射流接触所述电子材料。2.如权利要求I所述的电子材料的清洗方法，其特征在于，将接触了所述电子材料的功能性试剂回收，将该功能性试剂再次电解后进行再利用。3.如权利要求I或2所述的电子材料的清洗方法，其特征在于，使所述功能性试剂以被加热到100 200°C的状态接触电子材料。4.如权利要求I 3中任一项所述的电子材料的清洗方法，其特征在于，所述功能性试剂的硫酸浓度为80 96质量％。5.如权利要求I 4中任一项所述的电子材料的清洗方法，其特征在于， 用于所述硫酸的电解的电极的至少阳极为导电性金刚石电扱， 所述功能性试剂含有通过利用所述阳极的氧化反应而生成的过硫酸。6.如权利要求I 5中任一项所述的电子材料的清洗方法，其特征在于，所述由气体和液体形成的液滴的射流是由选自氮、氧、稀有气体、清洁空气、ニ氧化碳、臭氧中的一种气体或两种以上的混合气体、和纯水形成的。7.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：山川晴义，床嶋裕人，
申请(专利权)人：栗田工业株式会社，
类型：
国别省市：