同时双面晶片研磨机中的流体静力垫压力调控制造技术

公开了用于调控具有一对研磨轮的双面晶片研磨机中的流体静压力的系统和方法。所述系统和方法使用处理器来测量由所述研磨轮所引取的电流的量。使用模式检测软件基于所测得的电流来预测研磨阶段。在各个阶段通过流量控制阀改变所述流体静压力，以改变施加至晶片的夹持压力并由此改善被加工处理的晶片中的纳米拓扑结构。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般地涉及半导体晶片的同时双面研磨，更具体地涉及用于改善晶片纳米拓扑结构(纳米形貌，nanotopology)的双面研磨机和方法。
技术介绍
半导体晶片通常用于制造印有电路的集成电路(IC)芯片。电路首先以微缩形式印在晶片的表面上，然后晶片被切割成电路芯片。然而该较小的电路要求晶片表面非常平整且平行，以确保能将电路适当地印在晶片的整个表面上。为了实现这一点，在将晶片从晶锭上切割下来之后，通常利用研磨过程来改善晶片的某些特性(例如，平整度和平行度)。 同时双面研磨对晶片的两个侧面同时进行操作并产生具有高度平整表面的晶片。因此，这是一种可取的研磨エ艺。可用来实现该エ艺的双面研磨机包括由Koyo MachineIndustries Co.，Ltd.制造的那些研磨机。这些研磨机在研磨期间使用晶片夹持装置将半导体晶片保持住。所述夹持装置通常包括ー对流体静カ(静水压力/静液压，hydrostatic)垫和ー对研磨轮。所述ー对流体静カ垫和ー对研磨轮以彼此相対的关系定向，以将其间的晶片保持为竖直取向。所述流体静カ垫有利地在各个垫和晶片表面之间形成流体屏障，以便在研磨期间保持住晶片而不使刚本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.03.26 US 61/317,9191.一种使用以下类型的双面研磨机对半导体晶片进行加工处理的方法，所述研磨机将晶片保持在一对研磨轮之间以及在其中具有流体静压力的一对流体静力垫之间，所述研磨机包括处理器，该处理器包括检测由所述研磨机所引取的电流的模式检测软件，所述方法包括多个阶段，所述多个阶段包括 夹持晶片， 研磨晶片，和 使晶片与研磨轮脱离接触， 使用所述软件来检测各个阶段并在各个阶段改变所述流体静压力以改变施加至晶片的夹持压力，由此改善被加工处理的晶片中的纳米拓扑结构。2.根据权利要求I所述的方法，其中，通过改变经过流量控制阀的流量来改变所述流 体静压力。3.根据权利要求I所述的方法，其中，所述模式检测软件测量由所述研磨机所引取的电流以检测各个阶段。4.根据权利要求I所述的方法，还包括在研磨阶段期间降低所述流体静压力。5.根据权利要求I所述的方法，还包括在研磨阶段期间升高所述流体静压力。6.一种使用以下类型的双面研磨机对半导体晶片进行加工处理的方法，所述研磨机在研磨操作期间将晶片保持在一对研磨轮之间以及一对流体静力垫之间，所述方法包括 在研磨操作的第一阶段，在流体静力垫中建立第一流体静压力以初始地夹持晶片， 在研磨操作的第二阶段，使流体静压力降低至比晶片研磨期间的第一压力低的第二流体静压力，以及 在研磨操作的第三阶段，使流体静压力升高至第三流体静压力以夹持晶片，并由此改善被加工处理的晶片中的纳米拓扑结构。7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第三流体静压力基本上等于所述第一流体静压力。8.根据权利要求6所述的方法，其中，在晶片研磨期间晶片基本上由研磨轮夹持。9.根据权利要求6所述的方...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·S·巴加瓦特，R·R·旺达姆，T·科穆拉，
申请(专利权)人：MEMC电子材料有限公司，
类型：
国别省市：