集成开关电源的倒装封装装置及其倒装封装方法制造方法及图纸

技术编号:8131751 阅读:171 留言:0更新日期:2012-12-27 04:22
本发明专利技术涉及一种集成开关电源的倒装封装装置及其倒装封装方法。所述倒装封装结构包括一重分布层,其重分布层单元的第一表面用以连接所述第一组凸块中的电极性相同的凸块;所述重分布层单元的第二表面包括一组第二组凸块,所述第二组凸块用以将所述电极性进行重新排布;一引线框架的一组引脚的第一表面与所述第二组凸块中的电极性相同的凸块连接,以使所述引脚具有相应的电极性;一倒装片封装结构,用以将所述硅片、所述第一组凸块、所述第二组凸块和所述引线框架进行封装,并利用所述引线框架的第二表面来实现所述集成开关电源与外部PCB板之间的电气连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件领域,具体涉及。
技术介绍
开关电源(例如直流-直流电压转换器),用于为各种各样的电子系统提供稳定的电压源。低压设备(如笔记本电脑、手机等)的电池管理尤其需要高效率的直流-直流变换器。开关型电压调节器通过把输入直流电压转换成高频电压,然后再对其进行滤波而产生直流输出电压。具体来说,开关电源包括一个功率器件、一个输出滤波器和一个控制器,所述功率器件用以使直流输入电压源(如电池)和负载(如集成电路IC) 交替性的连接和断开连接。所述输出滤波器,典型地包括一个电感和电容,连接到输入电压源和负载之间,以对输出进行滤波,进而提供直流输出电压。所述控制器(如脉宽调节器,脉冲频率调节器等),用以控制所述功率器件,从而获得基本恒定的直流输出电压。为了实现集成电路芯片内焊垫与外部之间的电气连接,以及为集成电路芯片提供一个稳定可靠的工作环境,集成电路封装是必不可少的ー个环节。集成电路封装质量的好坏,对集成电路总体的性能优劣关系很大。因此,封装应具有较强的机械性能、良好的电气性能、散热性能和化学稳定性。对集成开关电源而言,可以采用不同的封装方案,如可以将功率器件、控制器等分别设置本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成开关电源的倒装封装装置,用以封装一集成开关电源,其特征在于,包括,一个或者多个硅片,所述硅片的第一表面包括一组第一组凸块,所述第一组凸块具有至少两种以上的电极性;一重分布层,其包括一组重分布层单元,所述重分布层单元的第一表面用以连接所述第一组凸块中的电极性相同的凸块;所述重分布层单元的第二表面包括一组第二组凸块,所述第二组凸块用以将所述电极性进行重新排布;一引线框架,包括一组引脚,所述引脚的第一表面与所述第二组凸块中的电极性相同的凸块连接,以使所述引脚具有相应的电极性;一倒装片封装结构,用以将所述硅片、所述重分布层和所述引线框架进行封装,并利用所述引线框架的第二表面来实现所述集成开关电...

【技术特征摘要】
1.ー种集成开关电源的倒装封装装置,用以封装一集成开关电源,其特征在于,包括, 一个或者多个硅片,所述硅片的第一表面包括ー组第一组凸块,所述第一组凸块具有至少两种以上的电极性; 一重分布层,其包括ー组重分布层单元,所述重分布层单元的第一表面用以连接所述第一组凸块中的电极性相同的凸块;所述重分布层单元的第二表面包括ー组第二组凸块,所述第二组凸块用以将所述电极性进行重新排布; 一引线框架,包括ー组引脚,所述引脚的第一表面与所述第二组凸块中的电极性相同的凸块连接,以使所述引脚具有相应的电极性; 一倒装片封装结构,用以将所述硅片、所述重分布层和所述引线框架进行封装,并利用所述引线框架的第二表面来实现所述集成开关电源与外部PCB板之间的电气连接。2.根据权利要求I所述的集成开关电源的倒装封装结构,其特征在于,所述第一组凸块呈一矩阵排列。3.根据权利要求2所述的集成开关电源的倒装封装结构,其特征在于,所述重分布层单元呈矩形形状,以按照所述矩阵的行或者列将所述第一组凸块中电极性相同的凸块连接。4.根据权利要求2所述的集成开关电源的倒装封装结构,其特征在于,所述重分布层单元将所述矩阵的不同行或者列的电极性相同的第一组凸块中的凸块连接。5.根据权利要求I所述的集成开关电源的倒装封装结构,其特征在于,所述重分布层将所述电极性集中排布于所述娃片的一区域内。6.根据权利要求I所述的集成开关电源的倒装封装结构,其特征在于,所述集成开关电源包括一集成至少两个功率器件的功率器件硅片。7.根据权利要求I所述的集成开关电源的倒装封装结构,其特征在于,所述集成开关电源包括至少ー个分立布置的包括单个功率器件的功率器件硅片。8.根据权利要求6或7所述的集成开关电源的倒装封装结构,其特征在于,所述功率器件为横向双扩散金属氧化物半导体晶体管。9.根据权利要求I所述的集成开关电源的倒装封装结构,其特征在于,所述倒装片封装结构为方形扁平无引脚封装(QFN)结构或者双排平面无引脚封装(DFN)结构。10.根据权利要求I所述的集成开关电源的...

【专利技术属性】
技术研发人员:谭小春
申请(专利权)人:矽力杰半导体技术杭州有限公司
类型:发明
国别省市:

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