【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体器件及其制作方法,特别涉及一种双面外露以改善散热性能的半导体器件及其制作方法。
技术介绍
在半导体功率器件的应用中,散热和器件尺寸是两个重要参数;即是说,一般希望在不增加器件尺寸的基础上,能够有更多的面积暴露在塑封体外,以获得更好的散热效果。通常的半导体器件,采用暴露栅极或漏极的结构,来帮助散热。如图I、图2所示,是现有一种半导体器件的两种实施结构,其中,芯片100的栅极110和源极120朝上,通过锡球140而对应与栅极110和源极120的引脚151、152连接;仅 仅使芯片100朝下的漏极130,直接暴露在该塑封体160的底部以外。芯片漏极130的暴露面积,可以是占塑封体160底面的全部(图2)或者只是塑封体160底面的一部分(图I)。因此,该器件中仅有芯片漏极130这一面可以暴露出来进行散热。如图3所示,是现有另一种半导体器件的结构示意图。其中,一倒装芯片100的漏极130朝上与一散热片170连接,该散热片170在塑封体160的顶部暴露设置。倒装芯片100的栅极和源极朝下,通过锡球140分别与栅极和源极的焊盘191、192对应连接;所述栅极或源极的焊盘191、192底部也可以暴露在塑封体160之外来改善散热性能。但是,该器件的实现过程十分复杂。
技术实现思路
本专利技术涉及一种双面外露的半导体器件,可以直接将位于芯片一面的漏极,以及位于另一面的散热片都暴露在塑封体外,达到改善芯片散热性能的目的。本专利技术的另一目的是提供了该双面外露的半导体器件的制作方法。为了达到上述目的,本专利技术的技术方案之一是提供一种双面外露的半导体器件,其 ...
【技术保护点】
一种双面外露的半导体器件,其特征在于,该器件包含在制作时由下至上依次连接的以下部件:第二引线框架(20),其由导热但不导电的材料制成,并设置有散热片(21);第一引线框架(10),其由导电材料制成,并设置有相互分隔的若干引脚;倒装的半导体芯片(30),其设置有若干顶部电极和若干底部电极;所述芯片(30)的顶部电极向下,并对应与所述第一引线框架(10)的若干引脚电性连接;该器件中还包含,塑封体(40),其覆盖所述倒装的芯片(30),并将该芯片(30)与第一、第二引线框架模压塑封;所述第二引线框架(20)的散热片(21),及所述芯片(30)的底部电极,分别暴露在该器件正反两面的所述塑封体(40)以外。
【技术特征摘要】
1.一种双面外露的半导体器件,其特征在于,该器件包含在制作时由下至上依次连接的以下部件 第二引线框架(20),其由导热但不导电的材料制成,并设置有散热片(21); 第一引线框架(10),其由导电材料制成,并设置有相互分隔的若干引脚; 倒装的半导体芯片(30),其设置有若干顶部电极和若干底部电极;所述芯片(30)的顶部电极向下,并对应与所述第一引线框架(10)的若干引脚电性连接; 该器件中还包含, 塑封体(40),其覆盖所述倒装的芯片(30),并将该芯片(30)与第一、第二引线框架模压塑封;所述第二引线框架(20)的散热片(21),及所述芯片(30)的底部电极,分别暴露在该器件正反两面的所述塑封体(40)以外。2.如权利要求I所述双面外露的半导体器件,其特征在于, 所述第一引线框架(10),是由铜Cu或其他导电材料制成; 所述第二引线框架(20),是由氧化铝Al2O3或氮化铝A1N,或者其他导热但不导电的材料制成,并且仅在该第二引线框架(20)的背面设有镍Ni或铜Cu的镀层;所述第一引线框架(10)连接在所述第二引线框架(20)没有设置镀层的表面之上。3.如权利要求I所述双面外露的半导体器件,其特征在于, 所述第一引线框架(10)通过焊接或以环氧树脂粘接的方式,固定连接在所述第二引线框架(20)的上面。4.如权利要求I所述双面外露的半导体器件,其特征在于, 所述芯片(30)中,其暴露在塑封体(40)外的底部电极包含漏极(33),其顶部电极包含栅极(31)和源极(32); 所述第一引线框架(10)中的若干引脚,包含相隔开的栅极引脚(11)和源极引脚(12); 所述第二引线框架(20)上散热片(21)的位置,与所述栅极(31)连接栅极引脚(11)、所述源极(32)连接源极引脚(12)的位置相对应。5.如权利要求4所述双面外露的半导体器件,其特征在于, 所述芯片(30)包含一晶圆(34),该晶圆(34)顶面上对应芯片(30)栅极(31)、源极(32)的位置分别植有若干锡球(351、352);该些锡球(351、352)对应与第一引线框架(10)的栅极引脚(11)、源极引脚(12)连接; 在所述晶圆(34)磨薄的背面,通过蒸发钛Ti、银Ag或镍Ni材料,形成一定厚度的金属层(36),作为该芯片(30)的漏极(33)及保护层。6.如权利要求5所述双面外露的半导体器件,其特征在于, 所述芯片(30)的晶圆(34)是扇入型封装时,还包含第一封装体(37),其具有足够厚度以覆盖所述晶圆(34)顶面,并环绕所述栅极(31)和源极(32)上的锡球(351、352);通过研磨使所述锡球(351、352)的顶面与研磨后的所述第一封装体(37)的顶面齐平。7.如权利要求5所述双面外露的半导体器件,其特征在于, 所述芯片(30)的晶圆(34)是扇出型封装时,还包含第二封装体(38),其具有一定厚度以覆盖所述晶圆(34)顶面,并环绕所述栅极(31)和源极(32)上的锡球(351、352),使所述锡球(351、352)的顶部暴露在该第二封装体(38)夕卜。8.如权利要求4所述双面外露的半导体器件,其特征在于, 所述第一引线框架(10)上,栅极引脚(11)、源极引脚(12)各自引出塑封体(40)外的部分为阶梯型,并且使该些引脚的端部与所述倒装芯片(30)暴露的漏极(33)处在同一平面。9.一种双面外露的半导体器件的制作方法,其特征在于,包含以下步骤 步骤I、将一条导电的第一引线框架(10),固定连接在一条导热但不导电的第二引线框架(20)上; 步骤2、在晶圆(34)上制作若干半导体芯片(30)的顶部电极和底部电极; 步骤3、从晶圆(34)上切割形成若干个独立的半导体芯片(30); 步骤4、对单个芯片(30)来说,将芯片(30)倒装并电性连接在第一引线框架(10)上;步骤5、对倒装芯片(30)及其下方的第一、第二引线框架进行模压塑封,使所述第二引线框架(20)的散热片(21),及所述芯片(30)的底部电极,分别暴露在该器件正反两面的塑封体(40)以外; 步骤6、将半导体器件分离成型。10.如权利要求I所述双面外露的半导体器件的制作方法,其特征在于, 步骤I中,进一步包含以下步骤 步骤1-1、由铜Cu或其他导电材料制成第一引线框架(10);所述第一引线框架(10)设置有相互分隔的栅极引脚(11)和源极引...
【专利技术属性】
技术研发人员:龚玉平,薛彦迅,
申请(专利权)人:万国半导体开曼股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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