用于制作单晶硅太阳能电池选择性发射极的蚀刻胶组合物制造技术

本发明专利技术提供了一种用于制作单晶硅太阳能电池选择性发射极的蚀刻胶组合物，组合物组成及含量（质量百分数）为：20～70%的纯水，5～20%的四氢呋喃，5～20%的PVP，0.01～5%非离子表面活性剂聚氧乙烯胺，0.01～5%的渗透剂脂肪醇聚氧乙烯醚，0.01～5%对苯二酚，0.01～10%氢氟酸，0.01～10%氟化铵。本发明专利技术主要用于制造单晶硅太阳能发射电极，可以有效地使电极栅宽度减少到100um以下，提高光电转换的效率。同时，使传统的丝网印刷程序简化，设备投资少，使用方便，可以进行规模化生产，可以推广应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于制作单晶硅太阳能电池选择性发射极的蚀刻胶组合物，该蚀刻胶主要是在单晶硅太阳能电池板器件制造过程中，用于选择性发射极的制作。
技术介绍
太阳能是人类取之不尽、用之不竭的可再生能源，也是清洁能源。不产生任何的环境污染。在太阳能的有效利用当中，大阳能光电利用是近些年来发展最快、最具活力的研究领域，是其中最受瞩目的项目之一。为此，人们研制和开发了太阳能电池。制作太阳能电池主要是以半导体材料为基础，其工作原理是利用光电材料吸收光能后发生光电于转换反应。 硅系列太阳能电池中，单晶硅大阳能电池转换效率最高，技术也最为成熟。高性能单晶硅电池是建立在高质量单晶硅材料和相关的成热的加工处理工艺基础上的。现在单晶硅的电地工艺己近成熟，在电池制作中，一般都采用表面织构化、发射区钝化、分区掺杂等技术，开发的电池主要有平面单晶硅电池和刻槽埋栅电极单晶硅电池。提高转化效率主要是靠单晶硅表面微结构处理和分区掺杂工艺。对于刻槽埋栅来说，目前主要有两种形式，激光刻槽埋栅和丝网印刷。理想的电极应具有低的串联电阻和小的表面覆盖率，为了得到这样的电极，有研究者提出了激光刻槽埋栅电极工艺。这种方法是在表本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制作单晶硅太阳能电池选择性发射极的蚀刻胶组合物，其特征在于：所述组合物组成及含量（质量百分数）为？20～70%纯水5～20%四氢呋喃5～20%PVP0.01～5%非离子表面活性剂聚氧乙烯胺0.01～5%渗透剂脂肪醇聚氧乙烯醚0.01～5%对苯二酚0.01～10%氢氟酸0.01～10%氟化铵。

【技术特征摘要】
1.一种用于制作单晶硅太阳能电池选择性发射极的蚀刻胶组合物，其特征在于所述组合物组成及含量(质量百分数)为2.—种单晶硅太阳能电池选择性发射极，其特征在于所述发射极中含有如权利要求I所述的蚀刻胶组合物。3.—种如权利要求2所述的单晶硅太阳能电池选择性发射极的制备方法，其特征在于包含如下步骤 步骤一、制备二氧化硅层，单晶硅扩散后的表面经气相沉淀得到一层厚度为1000 5000A的二氧化硅； 步骤二、制备丝印胶，按照权利要求I...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋振华，卞玉桂，顾奇，
申请(专利权)人：苏州瑞红电子化学品有限公司，
类型：发明
国别省市：