【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于散热
,涉及高导热石墨膜材料。
技术介绍
目前,石墨膜材料因其优异的特性,包括高导热性、耐热、耐腐蚀以及高导电性,在目前的エ业应用中,广泛应用在电子类产品散热、耐热密封材料、发热体等
比如,目前广泛使用的手持終端中,智能手机因为自身的尺寸小、电子元件密集度高、发热量大等特点,需要通过高热导率、轻质、稳定的材料来实现散热功能。在实际应用中,具有高散热性能的石墨膜材料,是优良的解决方案。 石墨膜材料的制造方案,当前的典型实施方式,包括有膨胀石墨法,它是通过将天然石墨和浓酸相混合,使其膨胀生成人造石墨,去酸之后高压压挤生成石墨膜。需要指出的是,利用这种方法制造的人造石墨膜材料,在导热性能、导电性能以及强度方面,都不算是很理想。另一典型实施方式,是选择有机的高分子薄膜材料直接进行热处理,进行石墨化。在进行石墨膜材料制备的过程中,不会混入酸成分等杂质,另一方面,所制造的石墨膜材料在耐弯曲性、导热性、导电性等方面,都有较大的优势。通过高分子薄膜材料进行石墨化的过程中,加工的エ艺条件会对生成的石墨膜的品质,产生较大的影响。在这种情况下,如何选择更为 ...
【技术保护点】
一种高导热石墨膜材料的制造方法,其特征在于该方法包括有如下步骤:步骤1,采集用以进行碳化和石墨化处理的高分子薄膜材料,进行碳化处理;步骤2,将碳化处理之后的碳化膜材料,进行升温处理,使其逐步达到石墨化温度;步骤3,在石墨化温度范围内,选择温度参考点,以温度参考点为参照温度,在阈值范围的变化范围内进行周期性振荡,其中在整个石墨化温度范围内,所完成的振荡周期包括三次及三次以上。
【技术特征摘要】
1.一种高导热石墨膜材料的制造方法,其特征在于该方法包括有如下步骤 步骤I,采集用以进行碳化和石墨化处理的高分子薄膜材料,进行碳化处理; 步骤2,将碳化处理之后的碳化膜材料,进行升温处理,使其逐步达到石墨化温度; 步骤3,在石墨化温度范围内,选择温度参考点,以温度参考点为参照温度,在阈值范围的变化范围内进行周期性振荡,其中在整个石墨化温度范围内,所完成的振荡周期包括三次及三次以上。2.根据权利要求I所述的一种高导热石墨膜材料的制造方法,其特征在于所述的石墨化温度,在2400°C -3300°C之间。3.根据权利要求2所述的一种高导热石墨膜材料的制造方法,其特征在于所述的用以设置温度参考点的石墨化温度,优选为2600°C -3100°C之间。4.根据权利要求I所述的一种高导热石墨膜材料的制造方法,其特征在于所述的温度参考点,优选的温度设置范围,是在加上或减去温度阈值的情况下,仍在前述的26000C -3100°C的温度范围之间。5.根据权利要求I所述的一种高导热石墨膜材料的制造方法,其特征在于所述温度的阈值范围为25°C _200°C之间。6.根据权利要求5所述的一种高导热石墨膜材料的制造方法,其特征在于所述的温度的阈值范围,优选为80°C _150°C之间。7.根据权利要求I所述的一种高导热石墨膜材料的制造方法,其特征在于所述的在石墨化温度范围内所进行的温度振荡周期,优选为4-15次。8.根据权利要求7所述的一种高导热石墨膜材料的制造方法,其特征在于所述的温度振荡周期,进一步优选为6-12次。9.根据权利要求I所述的一种高导热石墨膜材料的制造方法,其特征在于所述的石墨化温度范围内的时间,对应在10分钟-1200分钟之间。10.根据权利要求I所述的一种高导热石墨膜材料的制造方法,其特征在于所述的高分子薄膜材料为聚酰亚胺(PI)、聚酰胺(PA)、聚噁二唑(POD)、聚苯并噁唑(PBO)、聚苯并双噁唑(PBBO)、聚噻唑(PT)、聚苯并噻唑(PBT)、聚苯并双噻唑(PBBT)、聚对亚苯基亚乙烯基(PPV)、聚苯并咪唑(PBI)、聚...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐世中,其他发明人请求不公开姓名,
申请(专利权)人:常州碳元科技发展有限公司,
类型:发明
国别省市:
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